紫外探测器产品类型

一、光电真空探测器，如光电倍增管、像增强器和EBCCD等；

二、光电导探测器，如GaN基和AlGaN基电光导探测器等；

三、光伏探测器，如Si，SiC,GaN P-N结和肖特基势垒光伏探测器以及CCD。

紫外线探测器对紫外辐射具有高响应。其中，日盲紫外探测器的光谱响应区集中在中紫外（波长小于290nm）,而对紫外区以外的可见光及红外辐射响应较低；光盲紫外探测器长波响应限在紫外与可见光交界处。

外光电效应器件通常指光敏电真空器件，主要用于紫外、红外和近红外等波段。具有内增益的外光电效应器件包括光电敏倍增管、像增强器等光敏电真空器件，它们具有极高灵敏度，能将极微弱的光信号转换成电信号，可进行单光子检测，其灵敏度比内电光效应的半导体器件高几个量级。

内光电效应分为光导效应和光伏效应。光导效应中，半导体吸收足够能量的光子后，把其中的一些电子或空穴从原来不导电的束缚状态激活到能导电的自由状态，导致半导体电导率增加、电路中电阻下降。光伏效应中，光生电荷在半导体内产生跨越结的P-N小势差。产生的光电压通过光电器件放大并可直接进行测量。根据光导效应和光伏效应制成的器件分别称为半导体光导探测器和光伏探测器。

ICE越过贾科比尼一津纳彗星时，穿越了四个互不相同的区域。国际紫外探测器穿过第四个区域——该彗星的离子尾，离彗核约16，000公里（10，000英里)。国际紫外探测器观测到，该区域是来自该彗星的一个较冷的电离气体区，它为一个磁场所围绕。科学家们相信，随着太阳风中的磁场在彗星周围集积起来，便会形成一条磁尾，它包围着该彗星的离子尾。

紫外探测器材料是对紫外光敏感的材料。主要采用氮化镓系列、金刚石等宽禁带半导体材料。

半导体SiC的禁带宽度为3.25eV，具有高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优点，特别是该器件的反向漏电流低。SiC紫外探测器只对波长400nm一下的辐射选择性接收，其紫外辐射的接收与硅探测器相比，要大两个数量级，并且不需要表面加工处理，可保持长期的稳定性。另外，灵敏度和暗电流在使用温度条件下几乎不受温度变化的影响，可在700K的高温下使用 。

随着体单晶及其同质外延SiC材料性能的不断提高，可在不同的沉积条件下用直流溅射法在玻璃底衬的SiC衬底上沉积ITO：TIO和Ni膜，并可由此制成SiC金属-半导体-金属紫外辐射探测器。