书 名 | 紫外光电子器件——氮化物技术及应用 | 作 者 | [德]迈克尔·尼塞尔(Michael Kneissl) |
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ISBN | 9787122303592 | 页 数 | 400页 |
定 价 | 198元 | 出版社 | 化学工业出版社 |
出版时间 | 2018年2月 | 装 帧 | 平装 |
开 本 | 16开 |
第1章氮化物紫外光电子器件技术及应用概述/001
摘要001
1.1背景002
1.2UV发光器件及其应用003
1.3UV-LED的最新技术和未来挑战004
1.4UV-LED的主要参数和器件性能007
1.5缺陷对UV-LED IQE的作用008
1.6UV-LED的电注入效率和工作电压010
1.7UV-LED的光提取011
1.8UV-LED的热管理与退化012
1.9展望013
1.10小结014
致谢015
参考文献015
第2章AlN体衬底的生长与性能/025
摘要025
2.1AlN晶体的特性与历史026
2.2PVT法生长AlN体单晶:理论027
2.3PVT法生长AlN体单晶:技术029
2.4籽晶生长与晶体长大031
2.5PVT生长AlN体单晶的结构缺陷033
2.6AlN衬底的杂质及相应性质034
2.7结论与展望037
致谢038
参考文献038
第3章蓝宝石衬底上氮化物UV发光器件用AlGaN层气相外延/044
摘要044
3.1简介045
3.2MOVPE生长Al(Ga)N缓冲层046
3.3减少MOVPE生长Al(Ga)N层TDD的技术048
3.4HVPE生长AlGaN层050
3.4.1HVPE技术基础050
3.4.2衬底的选择053
3.4.3HVPE选择生长AlGaN层结果054
3.5小结062
致谢063
参考文献063
第4章AlN/AlGaN生长技术和高效DUV-LED开发/067
摘要067
4.1简介068
4.2DUV-LED研究背景068
4.3蓝宝石衬底上高质量AlN的生长技术073
4.4内量子效率(IQE)的显著提高076
4.5222~351nm AlGaN和InAlGaN DUV-LED080
4.6电注入效率(EIE)通过MQB的增加086
4.7未来高光提取效率(LEE)的LED设计092
4.8小结098
参考文献098
第5章位错和点缺陷对近带边发射AlGaN基DUV发光材料内量子效率的影响/101
摘要101
5.1简介103
5.2实验细节104
5.3杂质和点缺陷对AlN近带边发光动力学的影响107
5.4AlxGa1-xN薄膜的近带边有效辐射寿命112
5.5硅掺杂及引起的阳离子空位形成对AlN模板上生长Al0.6Ga0.4N薄膜近带边发光的发光动力学影响113
5.6小结117
致谢118
参考文献118
第6章UV-LED的光偏振和光提取/122
摘要122
6.1紫外LED光提取123
6.2光偏振125
6.2.1影响AlGaN层光偏振开关的因素127
6.2.2光学偏振与衬底方向的关系130
6.2.3光学偏振对光提取效率的影响132
6.3改善光提取的概念134
6.3.1接触材料与设计134
6.3.2表面制备138
6.3.3封装144
参考文献145
第7章半导体AlN衬底上高性能UVC-LED的制造及其使用点水消毒系统的应用前景/151
摘要151
7.1简介153
7.1.1UVC光源类型153
7.1.2什么是UVC光?153
7.1.3紫外杀菌如何工作?155
7.2AlN衬底上UVC LED的制造156
7.3提升POU水消毒用的UVC-LED性能增益162
7.3.1UVT效应162
7.3.2设计灵活性164
7.3.3流动单元建模165
7.3.4流动分析案例165
7.3.5UVC光的使用168
参考文献169
第8章AlGaN基紫外激光二极管/171
摘要171
8.1简介172
8.2AlN体材上的最高材料质量生长174
8.2.1AlN体衬底174
8.2.2同质外延AlN174
8.2.3AlGaN激光器异质结构175
8.2.4多量子阱有源区176
8.3宽带隙AlGaN材料的大电流能力177
8.4大电流水平下的高注入效率180
8.5光泵浦UV激光器183
8.6紧凑深紫外Ⅲ-N激光器的其他概念186
8.6.1电子束泵浦激光器186
8.6.2InGaN基VECSEL 二次谐波产生187
8.7小结187
致谢188
参考文献188
第9章日盲和可见光盲AlGaN探测器/192
摘要192
9.1简介193
9.2光电探测器基础195
9.2.1特征参数与现象195
9.2.2各种类型的半导体光电探测器202
9.3Ⅲ族氮化物用于固态UV光电检测211
9.3.1AlGaN基光电导体213
9.3.2AlGaN基MSM光电探测器213
9.3.3AlGaN基肖特基势垒光电二极管214
9.3.4AlGaN基PIN光电二极管215
9.3.5AlGaN基雪崩光电探测器217
9.3.6AlGaN基光阴极219
9.3.7高度集成的Ⅲ氮族器件220
9.4宽禁带光电探测器现状221
9.5小结223
参考文献224
第10章紫外LED水消毒应用/234
摘要234
10.1简介235
10.2紫外消毒的基本原则235
10.2.1影响紫外能流的因素237
10.2.2紫外反应器性能的建模与验证239
10.3案例分析240
10.3.1测试紫外LED的实验设置提案241
10.3.2测试条件243
10.3.3使用紫外LED测试的结果246
10.4紫外LED水消毒应用潜力251
致谢252
参考文献252
第11章紫外发光器件皮肤病光疗应用/256
摘要256
11.1简介257
11.2紫外光疗的光源257
11.2.1自然日光258
11.2.2气体放电灯259
11.2.3激光器261
11.2.4UV-LED261
11.3皮肤紫外光疗的变化262
11.3.1补骨脂素加UVA(PUVA)治疗262
11.3.2宽谱UVB(BB-UVB)治疗263
11.3.3窄谱UVB(NB-UVB)治疗264
11.3.4UVA-1治疗265
11.3.5靶向紫外光疗265
11.3.6体外光化学治疗(ECP)266
11.4主要皮肤适应证的作用机制267
11.4.1牛皮癣268
11.4.2特应性皮炎268
11.4.3白癜风269
11.4.4皮肤T细胞淋巴瘤269
11.4.5扁平藓和斑秃269
11.4.6全身性硬化症和硬斑病270
11.4.7移植体抗宿主病270
11.4.8多形性日光疹270
11.5采用新型UV发光器件的临床研究271
11.5.1使用无极准分子灯的研究271
11.5.2使用紫外LED的研究272
11.6总结与展望273
参考文献273
第12章紫外发光器件气体传感应用/281
摘要281
12.1简介282
12.2吸收光谱284
12.3吸收光谱系统288
12.4紫外光谱仪光源291
12.5光谱仪用LED的光学和电学性质295
12.6UV-LED吸收光谱仪的应用298
12.6.1臭氧传感器299
12.6.2臭氧传感器设计299
12.6.3测量配置300
12.6.4结果300
12.6.5SO2和NO2传感器301
12.6.6SO2/NO2气体排放传感器设计301
12.6.7测量配置302
12.7结论与展望303
参考文献304
第13章化学与生命科学中的紫外荧光探测和光谱仪/306
摘要306
13.1简介307
13.2荧光检测和光谱仪的基础和装置308
13.3实验室分析仪器用荧光313
13.4环境监测和生物分析用荧光化学传感315
13.5用自发荧光探测微生物322
13.6皮肤病医疗诊断用荧光326
13.7总结与展望329
参考文献329
第14章UVB诱导次生植物代谢物/339
摘要339
14.1次生植物代谢物的本质和形成340
14.2次生植物代谢物的营养生理学341
14.3水果蔬菜消费与慢性病的关系342
14.4植物-环境相互作用中的次生植物代谢物342
14.4.1植物的UVB感知和信令342
14.4.2UVB应激源及植物生长调节剂344
14.5结构分化UVB响应345
14.5.1类黄酮和其他酚类346
14.5.2硫代葡萄糖苷349
14.6定制的UVB-LED次生植物代谢物UVB诱导351
14.6.1研究现状:UVB-LED用于植物照明351
14.6.2UVB-LED针对性植物属性触发的优势352
14.6.3UVB-LED针对性植物属性触发实验装置353
14.7展望354
参考文献354
第15章紫外LED固化应用/365
摘要365
15.1简介366
15.2光源367
15.3化学机制368
15.4动力学371
15.5医学应用372
15.6涂层、油墨和印刷375
15.7光固化快速成型377
15.8结论与展望378
参考文献379
专业术语中英文对照表383
单位换算表400
本书全面介绍了基于Ⅲ族氮化物的紫外LED、激光器和探测器的新技术,涵盖不同的衬底及外延方法,InAlGaN材料的光学、电学和结构特性以及各种光电子器件,如UV-LED、紫外激光器和紫外日盲探测器。此外,综述了紫外发光器件和探测的一些关键应用领域,包括水净化、光疗、气敏、荧光激发、植物生长照明和UV固化。
本书含有大量翔实的图表和参考文献,可供读者进一步了解和认识氮化物紫外光电器件及其应用。本书由德国、美国、日本、爱尔兰等国的知名专家共同执笔,各章的作者都在相关领域有着丰富的经验,其对技术发展的独到见解,能够开拓读者思路,为国内氮化物紫外光电子器件的发展提供借鉴和参考。
本书可供电气工程、材料科学、物理学研究生层次的学生、研究人员和科学家,以及将紫外发光器件和探测器用到各种领域的开发人员参考。
1、按制造行业划分——元件与器件 元件与器件的分类是按照元器件制造过程中是否改变材料分子组成与结构来区分的,是行业划分的概念。在元器件制造行业,器件是由半导体企业制造,而元件则由电子零部件企业制造。...
光电子器件的设计原理是依据外场对导波光传播方式的改变,它是光电子技术的关键和核心部件。大路上许多LED的显示或者是某些店铺的一些名称品牌的显示所用到的技术都是来源于光电子器件。感兴趣的话,可以自己到百...
深圳市莱威光电子有限公司注册资本1000万元,拥有生产厂房10000余平方米, 通过ISO9001:2008质量管理体系认证和ISO14001:2004环境管理体系认证。产品通过欧洲CE ...
光电探测器件-光电子探测成像器件的设计
最小标准模型(MSM)结构的光电探测器主要分为光导型和肖特基型两种。制备得到了肖特基型的氮化镓(GaN)MSM结构紫外光电探测器,采用这种结构的器件主要是因为其暗电流低、响应时间快、响应度大、寄生电容小等优点。MSM形状的叉指电极是通过传统的紫外光刻和湿法刻蚀得到的,并采用Au作为金属电极。得到的肖特基型GaN紫外光电探测器的暗电流在1 V偏压下为3.5 nA,器件在1 V偏压下的最大响应度值出现在362 nm处,大小为0.12 A/W,器件的上升时间小于10 ns,下降时间为210 ns。并对器件响应时间的影响因素进行了深入的分析。
《常用电子器件原理及典型应用》汇集了在电气工程、电子技术、仪器仪表、自动控制、通信技术等许多学科领域中广泛应用的多种新型的电子器件,简明扼要地论述了其结构原理、主要特性、应用方法和典型实例等。
本书主要以图解形式介绍现代电子器件的基本知识、原理、识别及在不同领域、不同环境中的典型应用。其特点以现代器件为例,介绍它们在新产品或高技术产品中的使用,突出应用实例与效果。
本书适合广大电子技术初学者、深造者、电子爱好者、电器设计者及相关院校师生参考。
由中国LED行业机构举办的全国紫外线光源及装置技术研讨会2014年12月15日-16日在无锡举办。会上共同探讨了紫外线光源及装置的发展动向和LED紫外光源发展及应用等热点问题。
十几个研究报告包括紫外辐射、紫外杀菌消毒、紫外水处理、紫外固化、紫外杀虫诱虫、动植物专用紫外补钙等技术领域的发展趋势、产品设计与研发、控制与测试技术等方面。
气体放电和固态紫外光源特性的综合比较,借用数据表示,2012年全球UV市场容量为3.5亿美元,2017年有望达到近8亿美元,其中,UVLED将从2012年的13%占比升至2017年的35%,达到2.69亿美元。另外,复旦电光源研究所的大功率紫外LED光固化系统已研发出系列样机,实线产业化,还获得了2014年工博会高校展区优秀展品奖特等奖。张所长十分看好紫外光源行业,表示行业前景光明,固态紫外光源是照明行业的“新蓝海”。
在UVA市场的70%是固化应用,其中>90%是380nm+。印刷固化应用的市场份额为60%;工业应用市场份额为30%;粘结固化市场份额为10%。
固化系统相关产品在2012年的市场营业收入超过14亿美元。
UVA市场的年平均增长幅度超过40%。
随着消费者对纯白视觉的追求,UVA将迎来爆发性的增长。
目前,Nichia是365nm产品系列中的王者;
随着SemiLEDs新型油墨的应用推广,将使得固化应用市场的客户从365nm转为380nm+;
自2013年起,LGIT在385nm+产品上取得飞速的发展,从SemiLEDs手中夺取了相当的市场份额;
LG、Seoul和Nichia建立了完整的从UVA到UVC的产品线。
在2012年,传统UV灯管的销售数量达到3320万只,营业额达到4.954亿美元。UVLED业务从2011年的4500万美元将会迅猛增长到2017年的2.7亿美元,在此期间,UVLED市场将增长6倍,而同期的低压紫外汞灯的增长仅仅只有1.6倍。市场应关注:UV灯具的应用必须适应与其各个波长段的功能以及其光学效率的提升,固化市场是唯一一个全方位和全周期的应用产品市场。