中试用连续真空镀膜设备

本设备可采用高性能离子镀膜及化学气相沉积两种方式在材料表面制备保护涂层，如：可在硬质合金上沉积金刚石涂层，提高硬质合金综合力学性能。

反应腔尺寸Φ5500*500mm, 反应腔升降行程400mm，工作台尺寸240*420mm，工作台升降行程≧100mm，气压调节范围1000-10000Pa，热丝加热功率0-33KW，直流偏压0-200V，直流偏流0-20A，工作温度300-1000℃，总功率500KW，反应腔极限真空度≦5Pa，保压能力≦30Pa/hrs，四路流量计配气。

真空镀膜设备内容简介

《真空镀膜设备》详细介绍了真空镀膜设备的设计方法与镀膜设备各机构元件的设计计算、设计参数的选择，其中重点、系统地介绍了磁控溅射靶的设计计算和溅射镀膜的膜厚均匀性设计。全书共分13章，主要讲解真空镀膜室结构、镀膜室工件架、真空镀膜机的加热与测温装置、真空镀膜机的抽气系统、真空室电和运动的导入结构、溅射镀膜设备的充布气系统、蒸发源、磁控溅射靶、溅射镀膜的膜厚均匀性等方面的设计与计算。

《真空镀膜设备》有很强的实用性，适合真空镀膜设备的设计制造、真空镀膜设备的应用等与真空镀膜技术有关的行业从事设计、设备操作与维护的技术人员使用，还可用作高等院校相关专业师生的教材及参考书。

真空镀膜设备图书目录

1 真空镀膜设备设计概述

2 真空镀膜室结构设计计算

2.1 基本设计原则

2.1 2镀膜室的材料选择与焊接要求

2.2.1 材料选择

2.2.2 焊接要求

2.3 镀膜室壁厚的计算

2.3.1 镀膜室的计算壁厚

2.3.2 镀膜室的实际壁厚与壁厚附加量

2.3.3 镀膜室的最小壁厚

2.4 圆筒形镀膜室壳体的设计计算

2.4.1 圆筒形镀膜室基本设计参数

2.4.2 圆筒形镀膜室的强度(壁厚)计算

2.4.3 外压圆筒加强圈的设计

2.4.4 简体加工允许偏差

2.4.5 镀膜室封头的壁厚计算

2.5 圆锥形壳体的设计

2.6 盒形壳体设计

2.7 压力试验

2.8 真空镀膜室门设计

2.9 真空镀膜室的冷却

3 镀膜室升降机构的设计

3.1 立式镀膜机真空室的升降机构

3.1.1 机械升降机构

3.1.2 液压升降机构

3.1.3 气动液压相结合的升降机构

3.2 真空室的复位

4 镀膜室工件架的设计

4.1 常用工件架

4.1.1 球面行星传动工件架

4.1.2 摩擦传动工件架

4.1.3 齿轮传动工件架

4.1.4 拨杆传动工件架

4.2 工件架的转速

5 真空镀膜机的加热与测温装置

5.1 加热方式及其装置

5.2 测温方式与装置

5.3 真空室内引线设计

6 真空镀膜机的挡板机构

7 真空镀膜机的抽气系统设计

7.1 镀膜设备用真空系统

7.1.1 普通镀膜设备用典型高真空系统

7.1.2 超高真空系统

7.2 真空镀膜机抽气系统的设计

7.2.1 真空镀膜设备对抽气系统的要求

7.2.2 镀膜机抽气系统的放气量计算

7.2.3 真空泵的选择

8 真空室内电和运动的导人导出结构设计

8.1 电导人导出结构设计

8.1.1 电导入导出结构设计要求

8.1.2 电导入导出部件的结构形式

8.2 运动导入导出结构设计

8.2.1 常规转轴动密封导入导出结构

8.2.2 磁流体动密封运动导入导出结构

8.2.3 金属波纹管密封柔性运动导入导出结构

8.2.4 磁力驱动动密封运动导入导出结构

9 充布气系统设计

9.1 充布气系统设计原则

9.2 充布气系统结构设计

9.2.1 充布气系统类型及结构

9.2.2 布气管路结构形式

9.2.3 充布气管路分析计算

9.3 充气控制方式设计

9.3.1 封闭式气压稳定充气控制

9.3.2 质量流量控制器充气控制

9.4 真空室内充大气时间计算

10 电磁屏蔽结构设计

10.1 真空镀膜设备屏蔽概述

10.2 电磁辐射屏蔽设计

11 蒸发源的设计计算

11.1 电阻加热式蒸发源的热计算

11.2 e型枪蒸发源的设计计算

11.2.1 灯丝参数计算

11.2.2 磁偏转线圈及灯丝位置的确定

11.2.3 膜材蒸发时所需热量

11.2.4 e型枪蒸发源的水冷却

11.2.5 e型枪蒸发源的电源

11.2.6 多枪蒸发源的设计安装

11.3 感应加热式蒸发源的结构设计

11.3.1 坩埚设计

11.3.2 电源及其频率的选择

11.4 蒸发源的蒸发特性及膜厚分布

11.4.1 点蒸发源的膜厚分布

11.4.2 小平面蒸发源膜厚分布

11.4.3 环形蒸发源

11.4.4 矩形平面蒸发源

11.4.5 蒸发源与基片的相对位置

12 磁控溅射靶的设计

12.1 靶磁场的设计原则

12.1.1 磁场强度的选择

12.1.2 磁场均匀性：

12.1.3 矩形靶弯道磁场设计

12.1.4 磁场设计改进方法

12.2 磁控靶的磁场设计计算

12.2.1 三维直角坐标系中的靶磁场

12.2.2 矩形平面磁控溅射靶的磁场

12.2.3 圆形平面磁控溅射靶的磁场计算

12.2.4 同轴圆柱磁环溅射靶的磁场计算

12.2.5 同轴圆柱条形磁体溅射靶的磁场计算

12.2.6 S枪溅射靶的磁场计算

12.3 平面磁控靶结构改进

12.3.1 运动磁场的靶结构

12.3.2 双环组合磁极靶结构

12.3.3 组合磁场靶结构

12.3.4 磁场分流靶结构

12.3.5 其他磁体形式的靶结构

12.4 永磁体及导磁片设计

12.4.1 永磁体材料

12.4.2 导磁垫片

12.5 阳极与屏蔽罩的设计

12.5.1 阳极设计

12.5.2 屏蔽罩设计

12.6 溅射靶水冷系统的设计与计算

12.6.1 冷却水流速率的计算

12.6.2 冷却水管内径的计算

12.6.3 冷却水管长度

12.7 靶材的设计选择

12.7.1 靶材的种类

12.7.2 靶材的选用原则

12.7.3 对靶材的技术要求

12.7.4 靶材与阴极背板的连接

12.7.5 常用靶材

12.8 磁控溅射靶设计方法

12.8.1 靶设计分析方法

12.8.2 磁控靶设计程序

13 溅射镀膜的膜厚均匀性设计

13.1 溅射镀膜不均匀性的原因及影响因素

……

甲方：

乙方：

甲方聘用乙方为试用期员工，试用期为壹 个月，自2014 年2 月17 日起至2014 年 3月 17日止。经双方平等协商，现就试用期间的有关事项订立以下条款，以共同遵守。

一、乙方的岗位（工种）为销售部业务员： ，在试用期间，根据工作需要和乙方能力，甲方有权对乙方的工作岗位进行调整。

二、在试用期间，乙方应保守甲方的商业秘密，严格遵守劳动纪律和甲方的各项管理规定及制度，并根据甲方工作安排，认真履行职责，维护甲方合法权益。

三、乙方试用期工资为 1500元/月 200（绩效考核） 奖金 提成，甲方按月发放。加班工资按 /小时计算。

四、乙方在试用期内，考勤均由甲方按实际出勤状况和公司考勤制度执行。

五、乙方在试用期内，除工资外，本公司的任何福利待遇均已包含在试用期工资内。

六、乙方每月工资由甲方自上班之日起的次月30日前发放，若工资发放日恰逢周日或假日，甲方结合工厂实际情况逐日顺延发放。

七、在试用期内，乙方提出解除本合同时，须提前一周通知甲方，协商解决，否则，将根据公司制度，由厂部按制度论处。

八、乙方如在报到后的第一月内提出辞职甲方将扣除招聘、培训费用共 后，按实际数额发放报酬。

九、在试用期内，甲方如认为乙方不能胜任工作或发现乙方应聘材料弄虚作假，不符合录用条件的，可随时停止试用并予以解雇，工资按乙方实际考勤（或计件工资总额），依据公司制度及本合同相关内容（条款）结算。

十、在试用期内，乙方严重违反劳动纪律或者甲方的管理规章制度的；或者故意或严重失职，给甲方利益造成损害的，甲方有权立即终止试用并予以解雇。乙方应对造成的结果予以相应的赔偿责任。

十一、在试用期内，因乙方泄露甲方商业秘密，给甲方造成经济损失；或因乙方的故意或重大过失行为给甲方造成经济损失的，甲方有权向乙方进行追偿。

十二、试用期为一个月，试用期满或试用期内工作突出并经考核合格者，将在当月内与公司签订正式劳动合同。试用期满后薪酬待遇为1500底薪 200（餐贴） 100（话费补贴）。考核不合格者， 将予以解雇。（不得延长试用期，同一用人单位与同一劳动者只能约定一次试用期。 ）

十三、乙方声明，乙方在签署本合同时，已知晓甲方的制度并愿意遵守各项事宜。

十四、本合同一式两份，甲乙双方各执一份，经双方签字后于 年 月 日起生效。

十五、未尽事宜，甲、乙双方协商解决。

甲方：（公章） 乙方： （签字）

年 月 日 年 月 日2100433B