载流子注入网格型GaAs4*4光开关阵列研究

光开关列阵是集成光学技术研究的热点之一,在MEMS、液晶光开关列阵广受关注的同时，由于全反射型光开关具有体积小、工艺简单、易于集成化等优点同样受到研发单位的重视。本课题按计划要求顺利完成光开关单元及列阵的理论研究、器件设计，并在整体上采用正交输入输出结构，使器件较均匀地分布在晶片上，既避免电流注入引起的器件发热集中，又有利于输入输出波导与光纤的耦合，同时利于列阵的维护与扩充。本项目成果已申请国家发明专利并获初审通过。对单元其间非对称Y分支波导节点设计进行了优化，减少注入区截面积，既提高消光比，又降低注入电流。国内某通讯公司研发部门希望对该项研究进行合作，并转向InP基底，目前正在探讨方案及可行性。 2100433B

调光开关经过发展，品种繁多，规格齐全，可按操作方式和调光方式分类。

一、调光开关按操作方式分为：

1）旋钮调光开关

2）触摸调光开关

3）按键调光开关

4) 遥控调光开关

5）感应调光开关

二、调光开关按调光方式分为：

1. 可控硅调光开关

2. PWM式调光开关

3. 0-10V调光开关

4. 晶闸管调光开关

载流子寿命life time of carriers

非平衡载流子在复合前的平均生存时间，是非平衡载流子寿命的简称。在热平衡情况下，电子和空穴的产生率等于复合率，两者的浓度维持平衡。在外界条件作用下（例如光照），将产生附加的非平衡载流子，即电子—空穴对；外界条件撤消后，由于复合率大于产生率，非平衡载流子将逐渐复合消失掉，最后回复到热平衡态。非平衡载流子浓度随时间的衰减规律一般服从exp(-t/τ）的关系，常数τ表示非平衡载流子在复合前的平均生存时间，称为非平衡载流子寿命。在半导体器件中，由于非平衡少数载流子起主导作用，因此τ常称为非平衡少数载流子寿命，简称少子寿命。τ值范围一般是10-1～103μs。复合过程大致可分为两种：电子在导带和价带之间直接跃迁，引起一对电子—空穴的消失，称为直接复合；电子—空穴对也可能通过禁带中的能级（复合中心）进行复合，称为间接复合。每种半导体的τ并不是取固定值，将随化学成分和晶体结构的不同而大幅度变化，因此，寿命是一种结构灵敏参数。τ值并不总是越大越好。对于Si单晶棒和晶体管的静态特性来说，希望τ值大些。但是,对于在高频下使用的开关管，却往往需要掺杂（扩散金），以增加金杂质复合中心，降低τ值，提高开关速度。在电力电子器件生产中，常用电子束辐照代替掺金，降低τ值。在Si和GaAs材料、器件和集成电路生产过程中，τ值是必须经常检测的重要参数。