极限真空优于5*10^-4Pa;真空室尺寸:Φ600mm球形;抽速:26分钟达到1×10-3Pa;钛靶和碳靶各2个,均为Ф100mm;弧电源电流60~150A连续可调;脉冲负偏压0~1000V可调,占空比10%--90%可调;离子源平均引出电流/电压:10.7mA/76KV;束斑直径Ф150mm。
薄膜沉积。 2100433B
半导体离子注入工艺 09电科 A柯鹏程 0915221019 离子注入法掺杂和扩散法掺杂对比来说,它的加工温度低、容易制作浅结、均匀的 大面积注入杂质、易于自动化等优点。当前,离子注入法已成为超大规模集成电路 制造中不可缺少的掺杂工艺。离子注入是一种将带点的且具有能量的粒子注入衬底 硅的过程。注入能量介于 1eV到 1MeV之间,注入深度平均可达 10nm~10um。相对 扩散工艺,粒子注入的主要好处在于能更准确地控制杂质参杂、可重复性和较低的 工艺温度。 1.离子注入原理 : 离子是原子或分子经过离子化后形成的,即等离子体,它带有一定量的电荷。可通 过电场对离子进行加速,利用磁场使其运动方向改变,这样就可以控制离子以一定 的能量进入 wafer 内部达到掺杂的目的。 离子注入到 wafer 中后,会与硅原子碰撞而损失能量, 能量耗尽离子就会停在 wafer 中某位置。离子通过与硅原子
采用俄歇电子能谱仪分析Ta离子注入铝青铜合金的Ta、Cu和Al元素分布,利用显微硬度仪测量注入Ta离子铝青铜的显微硬度,用摩擦磨损试验机分析QAl9-4铝青铜的摩擦系数和磨损质量损失。结果表明:随Ta离子注入剂量的增加,铝青铜中的Ta原子浓度升高,离子注入深度超过100 nm,显微硬度显著增高,在距合金表面约60 nm深处硬度达到最大值;铝青铜的摩擦系数显著降低,单位时间内磨损质量损失显著减小,因此明显提高了铝青铜的耐磨性能。
在真空电弧重熔过程中,金属的熔化和凝固过程同时进行,由子在水冷铜结晶器内存在大的温度梯度,在这种条件下凝固会形成粗大晶体。而在真空凝壳炉熔炼中,金属的熔化和浇注完全分开进行,由于金属液面没有电极的阳极辉点,热场相对均匀,加之熔池发生搅动,促使铸件凝固时长大的晶体前沿形成过冷金属液,在该处出现补充的结晶中心,从而可以获得细晶组织,这是真空凝壳炉较真空电弧炉熔炼的又一优点。真空凝壳炉熔炼的铸件具有较高的机械性能。例如一般真空电弧炉熔炼的MT(Mo 0.5%Ti)合金的延伸率占为1%-2%,而用真空凝壳炉熔炼的同一合金的占为3%~5% 。
高速开关的电弧电压决定了故障电流转移的时间,研制的高速开关断口采用的是17.5kV真空灭弧室。真空电弧有10kA 以下的扩散型和10kA以上的集聚型两种形态。混合型断路器电弧电流一般只有几千安,属于扩散型电弧。对扩散型真空电弧电压起主导作用的是阴极压降,而阴极压降主要由触头材料决定。触头材料的沸点温度与热导率的乘积越大,阴极压降越高。因此为提高电弧电压,缩短电流换流时间,可以选取高沸点和热导率的触头材料。除此之外,也可通过外加磁场的方式提高电弧电压,电弧电压最高可达数千伏。
高速开关采用的是宝光真空灭弧室厂生产的17.5kV/1.250A 的真空灭弧室,触头开距为(9±1)mm,运动部分质量为1.1kg。当电流从4kA增大到10kA时铜钨触头的真空电弧电压基本在30V左右保持稳定,当电流下降时电弧电压有所降低。
1950年美国发明了第一台小型(4.5kg)真空电弧凝壳炉。后来各国又出现了电子束凝壳炉、等离子体凝壳炉等,但常用的是真空电弧凝壳炉,简称真空凝壳炉 。