制造工艺

制造工艺指制造CPU或GPU的制程,或指晶体管门电路的尺寸,单位为纳米(nm)。主流的CPU制程已经达到了7-14纳米(AMD三代锐龙已全面采用7nm工艺,intel第9代全面采用14nm),更高的在研发制程甚至已经达到了4nm或更高,已经正式商用的高通855已采用7nm制程。 
更先进的制造工艺可以使CPU与GPU内部集成更多的晶体管,使处理器具有更多的功能以及更高的性能;更先进的制造工艺会减少处理器的散热设计功耗(TDP),从而解决处理器频率提升的障碍;更先进的制造工艺还可以使处理器的核心面积进一步减小,也就是说在相同面积的晶圆上可以制造出更多的CPU与GPU产品,直接降低了CPU与GPU的产品成本,从而最终会降低CPU与GPU的销售价格使广大消费者得利.....处理器自身的发展历史也充分的说明了这一点,先进的制造工艺不仅让CPU的性能和功能逐步提升,也使成本得到了有效的控制。

制造工艺基本信息

中文名 制造工艺 外文名 Semiconductor device fabrication
别    名 制造CPU或GPU的制程 单    位 纳米(nm)

制造工艺硅提纯

生产CPU与GPU等芯片的材料是半导体,现阶段主要的材料是硅Si,这是一种非金属元素,从化学的角度来看,由于它处于元素周期表中金属元素区与非金属元素区的交界处,所以具有半导体的性质,适合于制造各种微小的晶体管,是最适宜于制造现代大规模集成电路的材料之一。

在硅提纯的过程中,原材料硅将被熔化,并放进一个巨大的石英熔炉。这时向熔炉里放入一颗晶种,以便硅晶体围着这颗晶种生长,直到形成一个几近完美的单晶硅。以往的硅锭的直径大都是200毫米,而CPU或GPU厂商正在增加300毫米晶圆的生产。

制造工艺切割晶圆

硅锭造出来了,并被整型成一个完美的圆柱体,接下来将被切割成片状,称为晶圆。晶圆才被真正用于CPU与GPU的制造。所谓的“切割晶圆”也就是用机器从单晶硅棒上切割下一片事先确定规格的硅晶片,并将其划分成多个细小的区域,每个区域都将成为一个处理器的内核(Die)。一般来说,晶圆切得越薄,相同量的硅材料能够制造的处理器成品就越多。

制造工艺影印

(Photolithography)

在经过热处理得到的硅氧化物层上面涂敷一种光阻(Photoresist)物质,紫外线通过印制着处理器复杂电路结构图样的模板照射硅基片,被紫外线照射的地方光阻物质溶解。而为了避免让不需要被曝光的区域不受到光的干扰,必须制作遮罩来遮蔽这些区域。这是个相当复杂的过程,每一个遮罩的复杂程度得用10GB数据来描述。

制造工艺蚀刻

(Etching)

这是CPU与GPU生产过程中重要操作,也是处理器工业中的重头技术。蚀刻技术把对光的应用推向了极限。蚀刻使用的是波长很短的紫外光并配合很大的镜头。短波长的光将透过这些石英遮罩的孔照在光敏抗蚀膜上,使之曝光。接下来停止光照并移除遮罩,使用特定的化学溶液清洗掉被曝光的光敏抗蚀膜,以及在下面紧贴着抗蚀膜的一层硅。

然后,曝光的硅将被原子轰击,使得暴露的硅基片局部掺杂,从而改变这些区域的导电状态,以制造出N井或P井,结合上面制造的基片,处理器的门电路就完成了。

制造工艺重复分层

为加工新的一层电路,再次生长硅氧化物,然后沉积一层多晶硅,涂敷光阻物质,重复影印、蚀刻过程,得到含多晶硅和硅氧化物的沟槽结构。重复多遍,形成一个3D的结构,这才是最终的CPU与GPU的核心。每几层中间都要填上金属作为导体。

制造工艺封装

这时的CPU或GPU是一块块晶圆,它还不能直接被用户使用,必须将它封入一个陶瓷的或塑料的封壳中,这样它就可以很容易地装在一块电路板上了。封装结构各有不同,但越高级的处理器封装也越复杂,新的封装往往能带来芯片电气性能和稳定性的提升,并能间接地为主频的提升提供坚实可靠的基础。

制造工艺多次测试

测试是一个处理器制造的重要环节,也是一块处理器出厂前必要的考验。这一步将测试晶圆的电气性能,以检查是否出了什么差错,以及这些差错出现在哪个步骤(如果可能的话)。

当CPU或GPU被放进包装盒之前,一般还要进行最后一次测试,以确保之前的工作准确无误。根据前面测试而确定的处理器的体质不同,它们被放进不同的包装,销往世界各地。

制造工艺造价信息

市场价 信息价 询价
材料名称 规格/型号 市场价
(除税)
工程建议价
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制造工艺CPU

CPU制作工艺指的是在生产CPU过程中,要加工各种电路和电子元件,制造导线连接各个元器件等。现在其生产的精度以纳米(以前用微米)来表示,精度越高,生产工艺越先进。在同样的材料中可以容纳更多的电子元件,连接线也越细,有利于提高CPU的集成度。制造工艺的纳米数是指IC内电路与电路之间的距离。制造工艺的趋势是向密集度愈高的方向发展,密度愈高的IC电路设计,意味着在同样大小面积的IC中,可以拥有密度更高、功能更复杂的电路设计。微电子技术的发展与进步,主要是靠工艺技术的不断改进。芯片制造工艺从1971年开始,经历了10微米、6微米、3微米、1.5微米、1微米、800纳米、600纳米、350纳米、250纳米、180纳米、130纳米、90纳米、65纳米、45纳米、32纳米、22纳米、14纳米、10纳米,一直发展到(2019年)最新的7纳米,而5纳米将是下一代CPU的发展目标。

2017年1月3日,美国高通公司在CES2017正式推出其最新的顶级移动平台——集成X16 LTE的Qualcomm骁龙835处理器。骁龙835处理器是首款采用10纳米FinFET工艺节点实现商用制造的移动平台。

制造工艺GPU

显卡的制造工艺实际上就是指显示核心的制程,它指的是晶体管门电路的尺寸,现阶段主要以纳米(nm)为单位。显示芯片的制造工艺与CPU一样,也是用微米来衡量其加工精度的。制造工艺的提高,意味着显示芯片的体积将更小、集成度更高,可以容纳更多的晶体管。和中央处理器一样,显示卡的核心芯片,也是在硅晶片上制成的。微电子技术的发展与进步,主要是靠工艺技术的不断改进,显示芯片制造工艺在1995年以后,从0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.15微米、0.13微米、0.11微米、90纳米、80纳米、65纳米、55纳米、40纳米、28纳米、16纳米、12纳米一直发展到现在的7纳米制程。显卡厂商AMD(超威半导体)已经有三款7nnm工艺显卡在售。

制造工艺常见问题

  • cbn砂轮制造工艺

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制造工艺文献

封头制造工艺 封头制造工艺

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编码: JYL技-01/11 版次: A 修改 :1 页码: 24/40 封头压制工艺守则 1 主题内容与适用范围 本规程规定了受压封头冲压的技术要求和操作方法。并适用于材质为碳钢、低合金钢 的翻边、平拆管板、椭圆封头及碟形封头拱形管板的加热压制和修复。 2 引用标准 GB/T25198-2010 《钢制压力容器用封头》 GB/T25198-2010 《锅壳式锅炉受压元件制造技术条件》 3 对操作人员的技术要求 操作人员应熟悉图样、技术要求及工艺规范。 操作人员应熟悉所用设备、模具、工具的性能、结构及必要的维修知识 ,严格遵守操 作规程。加热炉和压力机的操作人员须持有操作许可证 ,方能上岗操作。 操作人员要认真做好现场管理工作 ,对工件、模具、工具应具有相应的工位器具 ,整齐 放置在指定地点 ,防止碰损、锈蚀。 4 设备及工装

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钛棒制造工艺:

热锻-热轧-车光(磨光)

《机械制造工艺》配有“机械制造工艺”数字课程。

数字课程名称

出版社

出版时间

内容提供者

“机械制造工艺”数字课程

高等教育出版社、高等教育电子音像出版社

2007年7月

张绪祥、王军

分类

按生产方法可分为无缝圆管和焊接圆管。

无缝钢管制造工艺

管坯——检验——剥皮——检验——加热——穿孔——酸洗——修磨——润滑风干——焊头——冷拔——固溶处理——酸洗——酸洗钝化——检验

焊接钢管制造工艺

带钢——检验——剪切——定尺——定性——焊接——磨平(无缝化)——定尺——检验

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