锗二极管参数与应用

锗二极管（DO-7玻璃封装）

1N60P（2-1K60）VR：40V，Cj：1pF；

1N60（1K60）VR：40V，Cj：1pF；

1N34A（1K34A）VR：40V，Cj：1pF。

锗二极管压降一般都在0.2v~0.4v。

主要用于：计算器，收音机，电视机等检波电路。

1、锗二极管正向在0.1V就开始有电流了，而硅二极

管要到0.5V才开始有电流，就是开始导通时的电压不同，锗管小，硅管大；

2、开始导通后，锗管电流增大得慢，硅管电流增大得快；

以上两点也可以总结为，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻；但是硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。

在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。使二极管能够导通的正向最低电压

小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。

正向导通：如果给二极管正极的电压高于负极电压（正向偏置电压），只要正极电压达到一定的值，二极管导通，导通后二极管相当于一个导体，二极管的两引脚之间的电阻很小，相当于接通。电流流动方向是从正极流向负极，电流不能从负极流向正极，否则二极管已损坏。

反向截止：如果给二极管正极加的电压低于负极电压（反向偏置电压），二极管处于截止状态，二极管两引脚之间电阻很大，相当于开路。只要是反向电压，二极管中就没有电流流动，如果加的反向电压太大，二极管会击穿，电流从负极流向正极，说明二极管损坏。

稳压二极管具有反向击穿的特性，快恢复二极管相当于两个稳压二极管。

由于半导体锗二极管在气液两相流中具有不同的传热能力，因而引起其温度发生变化，使二极管的正向输出电压也随之发生变化，利用二极管的这种特性制成低温液体液位计可达到精确测量和控制低温工质液而变化的目的。

具有半导体性质。对固体物理和固体电子学的发展超过重要作用。锗的熔密度5.32克/厘米3，锗可能性划归稀散金属，锗化学性质稳定，常温下不与空气或水蒸汽作用，但在600～700℃时，很快生成二氧化锗。与盐酸、稀硫酸不起作用。浓硫酸在加热时，锗会缓慢溶解。在硝酸、王水中，锗易溶解。碱溶液与锗的作用很弱，但熔融的碱在空气中，能使锗迅速溶解。锗与碳不起作用，所以在石墨坩埚中熔化，不会被碳所污染。锗有着良好的半导体性质，如电子迁移率、空穴迁移率等等。锗的发展仍具有很大的潜力。现代工业生产的锗，主要来自铜、铅、锌冶炼的副产品。2100433B

锗一般从铅锌冶炼或燃烧煤过程中以副产品回收。原料用火法冶炼或湿法冶炼从主金属分离并富集成锗精矿后，再氯化和分精馏或萃取提纯成纯四氯化锗。纯四氯化锗水解获得高纯二氧化锗，经烘干后氢还原成金属锗，再进行区域提纯为高纯锗，最后用直拉法制成单晶锗(见直拉锗单晶)。2100433B

目录· 特征 · 锗简介 · 锗性质 · 相关词条 · 相关链接 · 特征 · 锗简介 · 锗性质 · 相关词条 · 相关链接