一种TFT液晶玻璃铂金通道液位口砖

陈高昂

一种液晶玻璃基板的生产方法专利目的

《一种液晶玻璃基板的生产方法》的发明目的是降低液晶玻璃基板生产残次品率，提高玻璃基板品质和生产效率 。

一种液晶玻璃基板的生产方法技术方案

《一种液晶玻璃基板的生产方法》提供了一种液晶玻璃基板的生产方法，该生产方法包括：

a、将玻璃基板原料混合后送入池炉区的池炉中进行高温熔融，得到熔融玻璃液；

b、将步骤a所得熔融玻璃液送入铂金区的铂金通道中进行净化，得到净化玻璃液；

c、将步骤b所得净化玻璃液送入成型区的退火炉中进行固化，得到玻璃板；

d、将步骤c所得玻璃板送入热切区的定型炉中进行切割，然后经过热切外围区的运输送入半包区进行检查后完成液晶玻璃基板的包装，得到液晶玻璃基板半成品；

其中，控制所述池炉区操作环境压力高于大气压4-6帕，控制所述铂金区操作环境压力高于大气压14-16帕，控制所述成型区操作环境压力高于大气压10.5-12.5帕，控制所述热切区操作环境压力高于大气压14-16帕，控制所述热切外围区操作环境压力高于大气压11-13帕，控制所述半包区操作环境压力高于大气压6-8帕 。

一种液晶玻璃基板的生产方法改善效果

《一种液晶玻璃基板的生产方法》中液晶玻璃基板的生产方法能够很好地控制各个工作区域的相对压差、湿度、洁净度、风量和流速等；为池炉、通道、成型、热切和检验工序等同时提供稳定的工作环境，进而保证液晶玻璃的正常、连续生产；《一种液晶玻璃基板的生产方法》的生产方法得到的液晶玻璃基板成品率高、品质高且生产效率高 。

一种液晶玻璃基板的生产方法生产方法

参考图1所示，《一种液晶玻璃基板的生产方法》提供一种液晶玻璃基板的生产方法，该生产方法包括：

a、将玻璃基板原料混合后送入池炉区1的池炉中进行高温熔融，得到熔融玻璃液；

b、将步骤a所得熔融玻璃液送入铂金区2的铂金通道中进行净化，得到净化玻璃液；

c、将步骤b所得净化玻璃液送入成型区3的退火炉中进行固化，得到玻璃板；

d、将步骤c所得玻璃板送入热切区4的定型炉中进行切割，然后经过热切外围区5的运输送入半包区6进行检查后完成液晶玻璃基板的包装，得到液晶玻璃基板半成品；

其中，控制所述池炉区1操作环境压力高于大气压4-6帕，控制所述铂金区2操作环境压力高于大气压14-16帕，控制所述成型区3操作环境压力高于大气压10.5-12.5帕，控制所述热切区4操作环境压力高于大气压14-16帕，控制所述热切外围区5操作环境压力高于大气压11-13帕，控制所述半包区6操作环境压力高于大气压6-8帕。

根据《一种液晶玻璃基板的生产方法》，以所述玻璃基板原料总质量为基准，所述玻璃基板原料可以包括56-64重量％的SiO₂、7-11重量％的B₂O₃、14-18重量％的Al₂O₃、0.01-10重量％的BaO、3-8重量％的CaO、0.5-8重量％的SrO、0-0.5重量％的ZnO、0-4重量％的MgO，0-0.5重量％的ZrO2和0.1-1重量％的澄清剂。

根据《一种液晶玻璃基板的生产方法》，所述池炉区1、铂金区2、成型区3、热切区4、热切外围区5和半包区6中可以各自独立地设置有压力传感器、静压箱、排风机或调节式风阀；该生产方法还可以包括：通过压力传感器探测压力并通过控制器控制静压箱、排风机或调节式风阀，从而控制所述池炉区1、铂金区2、成型区3、热切区4、热切外围区5和半包区6的操作环境压力。

根据《一种液晶玻璃基板的生产方法》，以ISO14644-1为标准，控制所述热切区4操作环境和热切外围区5操作环境的洁净等级可以为950-1050，控制所述半包区6操作环境的洁净等级可以为4850-5150。

根据《一种液晶玻璃基板的生产方法》，控制所述池炉区1操作环境的温度可以为29-31℃，控制所述铂金区2操作环境的温度可以为41-43℃，控制所述成型区3操作环境的温度可以为25-27℃，控制所述热切区4操作环境的温度可以为24-26℃，控制所述热切外围区5操作环境的温度可以为24-26℃，控制所述半包区6操作环境的温度可以为24-26℃。

根据《一种液晶玻璃基板的生产方法》，控制所述铂金区2操作环境的相对湿度可以为55-65％，控制所述热切区4操作环境的相对湿度可以为45-55％，控制所述热切外围区5操作环境的相对湿度可以为45-55％，控制所述半包区6操作环境的相对湿度可以为45-55％。

根据《一种液晶玻璃基板的生产方法》，控制所述铂金区2操作环境的露点温度可以为31-33℃。

根据《一种液晶玻璃基板的生产方法》，可以通过调节各区域总的送风量和总的排风量来控制所述池炉区1、铂金区2、成型区3、热切区4、热切外围区5和半包区6的操作环境压力。

根据《一种液晶玻璃基板的生产方法》，所述池炉中高温熔融的温度可以为1500-1600℃，所述退火炉中进行固化的温度可以为100-200℃，所述定型炉出口进行切割的温度可以为100-160℃。

根据《一种液晶玻璃基板的生产方法》，所述铂金通道中的温度可以为1200-1600℃。

以上结合附图详细描述了《一种液晶玻璃基板的生产方法》的优选实施方式，但是，《一种液晶玻璃基板的生产方法》并不限于上述实施方式中的具体细节，在《一种液晶玻璃基板的生产方法》的技术构思范围内，可以对《一种液晶玻璃基板的生产方法》的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于《一种液晶玻璃基板的生产方法》的保护范围。

另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，《一种液晶玻璃基板的生产方法》对各种可能的组合方式不再另行说明。

此外，《一种液晶玻璃基板的生产方法》的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背《一种液晶玻璃基板的生产方法》的思想，其同样应当视为《一种液晶玻璃基板的生产方法》所公开的内容。

下面将通过实施例来进一步说明《一种液晶玻璃基板的生产方法》，但是，《一种液晶玻璃基板的生产方法》并不因此而受到任何限制 。

一种液晶玻璃基板的生产方法案例

• 实施例1

（1）按照以下重量百分比准备玻璃基板原料：56重量％的SiO2、7重量％的B₂O₃、14重量％的Al₂O₃、0.01重量％的BaO、3重量％的CaO、0.5重量％的SrO和0.1重量％的澄清剂SnO₂；

（2）在池炉区（1）、铂金区（2）、成型区（3）、热切区（4）、热切外围区（5）和半包区（6）中各自独立地设置压力传感器、静压箱、排风机或调节式风阀，通过压力传感器探测压力并通过控制器控制静压箱、排风机或调节式风阀，或者通过调节各区域总的送风量和总的排风量来控制所述池炉区（1）操作环境压力高于大气压4帕、铂金区（2）操作环境压力高于大气压14帕、成型区（3）操作环境压力高于大气压10.5帕、热切区（4）操作环境压力高于大气压14帕、热切外围区（5）操作环境压力高于大气压11帕、半包区（6）操作环境压力高于大气压6帕；以ISO14644-1为标准，控制所述热切区（4）操作环境和热切外围区（5）操作环境的洁净等级为950、半包区（6）操作环境的洁净等级为4850；控制池炉区（1）操作环境的温度为29℃、铂金区（2）操作环境的温度为41℃、成型区（3）操作环境的温度为25℃、热切区（4）操作环境的温度为24℃、热切外围区（5）操作环境的温度为24℃、半包区（6）操作环境的温度为24℃，控制铂金区（2）操作环境的露点温度为31℃；控制铂金区（2）操作环境的相对湿度为55％、热切区（4）操作环境的相对湿度为45％、热切外围区（5）操作环境的相对湿度为45％、半包区（6）操作环境的相对湿度为45％；

（3）保持各工作区生产环境条件如（2）中控制下，a、将玻璃基板原料混合后送入池炉区（1）的池炉中进行1500℃的高温熔融，得到熔融玻璃液；b、将步骤a所得熔融玻璃液送入铂金区（2）的铂金通道中进行1200℃的净化，得到净化玻璃液；c、将步骤b所得净化玻璃液送入成型区（3）的退火炉后温度逐渐降低至100-150℃进而固化，得到玻璃板；d、将步骤c所得玻璃板送入热切区（4）的定型炉中进行切割，控制定型炉出口的切割温度为100℃；然后经过热切外围区（5）的运输送入半包区（6）进行检查后完成液晶玻璃基板的包装，得到液晶玻璃基板半成品1 。

• 实施例2

（1）按照以下重量百分比准备玻璃基板原料：64重量％的SiO₂、11重量％的B₂O₃、18重量％的Al₂O₃、10重量％的BaO、8重量％的CaO、8重量％的SrO、0.5重量％的ZnO、4重量％的MgO，0.5重量％的ZrO₂和1重量％的澄清剂SnO₂；

（2）在池炉区（1）、铂金区（2）、成型区（3）、热切区（4）、热切外围区（5）和半包区（6）中各自独立地设置压力传感器、静压箱、排风机或调节式风阀，通过压力传感器探测压力并通过控制器控制静压箱、排风机或调节式风阀，同时结合调节区域总的送风量和排风量控制所述池炉区（1）操作环境压力高于大气压6帕、铂金区（2）操作环境压力高于大气压16帕、成型区（3）操作环境压力高于大气压12.5帕、热切区（4）操作环境压力高于大气压16帕、热切外围区（5）操作环境压力高于大气压13帕、半包区（6）操作环境压力高于大气压8帕；以ISO14644-1为标准，控制所述热切区（4）操作环境和热切外围区（5）操作环境的洁净等级为1050、半包区（6）操作环境的洁净等级为5150；控制池炉区（1）操作环境的温度为31℃、铂金区（2）操作环境的温度为43℃、成型区（3）操作环境的温度为27℃、热切区（4）操作环境的温度为26℃、热切外围区（5）操作环境的温度为26℃、半包区（6）操作环境的温度为26℃，控制铂金区（2）操作环境的露点温度为33℃；控制铂金区（2）操作环境的相对湿度为65％、热切区（4）操作环境的相对湿度为55％、热切外围区（5）操作环境的相对湿度为55％、半包区（6）操作环境的相对湿度为55％；

（3）保持（2）中各工作区生产环境条件控制下，a、将玻璃基板原料混合后送入池炉区（1）的池炉中进行1600℃的高温熔融，得到熔融玻璃液；b、将步骤a所得熔融玻璃液送入铂金区（2）的铂金通道中进行1600℃的净化，得到净化玻璃液；c、将步骤b所得净化玻璃液送入成型区（3）的退火炉后温度逐渐降低至150-200℃进而固化，得到玻璃板；d、将步骤c所得玻璃板送入热切区（4）的定型炉中进行切割，控制定型炉出口的切割温度为160℃；然后经过热切外围区（5）的运输送入半包区（6）进行检查后完成液晶玻璃基板的包装，得到液晶玻璃基板半成品2 。

• 实施例3

（1）按照以下重量百分比准备玻璃基板原料：60重量％的SiO2、9重量％的B2O3、16重量％的Al₂O₃、5重量％的BaO、5重量％的CaO、4重量％的SrO、0.25重量％的ZnO、2重量％的MgO，0.25重量％的ZrO₂和0.5重量％的澄清剂SnO₂；

（2）在池炉区（1）、铂金区（2）、成型区（3）、热切区（4）、热切外围区（5）和半包区（6）中各自独立地设置压力传感器、静压箱、排风机或调节式风阀，通过压力传感器探测压力并通过控制器控制静压箱、排风机或调节式风阀，或者通过调节总的送风量和总的排风量控控制所述池炉区（1）操作环境压力高于大气压5帕、铂金区（2）操作环境压力高于大气压15帕、成型区（3）操作环境压力高于大气压11.5帕、热切区（4）操作环境压力高于大气压15帕、热切外围区（5）操作环境压力高于大气压12帕、半包区（6）操作环境压力高于大气压7帕；以ISO14644-1为标准，控制所述热切区（4）操作环境和热切外围区（5）操作环境的洁净等级为1000、半包区（6）操作环境的洁净等级为5000；控制池炉区（1）操作环境的温度为30℃、铂金区（2）操作环境的温度为42℃、成型区（3）操作环境的温度为26℃、热切区（4）操作环境的温度为25℃、热切外围区（5）操作环境的温度为25℃、半包区（6）操作环境的温度为25℃，控制铂金区（2）操作环境的露点温度为32℃；控制铂金区（2）操作环境的相对湿度为60％、热切区（4）操作环境的相对湿度为50％、热切外围区（5）操作环境的相对湿度为50％、半包区（6）操作环境的相对湿度为50％；

（3）保持（2）中各工作区生产环境条件控制下，a、将玻璃基板原料混合后送入池炉区（1）的池炉中进行1550℃的高温熔融，得到熔融玻璃液；b、将步骤a所得熔融玻璃液送入铂金区（2）的铂金通道中进行1400℃的净化，得到净化玻璃液；c、将步骤b所得净化玻璃液送入成型区（3）的退火炉后温度逐渐降低至100-200℃进而固化，得到玻璃板；d、将步骤c所得玻璃板送入热切区（4）的定型炉中进行切割，控制定型炉出口的切割温度为130℃；然后经过热切外围区（5）的运输送入半包区（6）进行检查后完成液晶玻璃基板的包装，得到液晶玻璃基板半成品3 。

• 对比例1

按照实施例1的方法生产液晶玻璃基板，改变如下的控制条件：池炉区操作环境的温度24.17℃，热切区操作环境的温度为33.9℃，热切区操作环境的相对湿度为37.8％，热切区操作环境压力高于成型区操作环境压力0.2帕 。

• 对比例2

按照实施例2的方法生产液晶玻璃基板，改变如下的控制条件：铂金区操作环境温度42℃，热切区操作环境压力高于成型区操作环境压力0.9帕，热切区操作环境温度为34.2℃，热切区操作环境的相对湿度为28.2％。

对实施例1-3及对比例1-2生产液晶玻璃基板的条纹级别、流量、玻璃应力、玻璃粉尘级别、玻璃厚度波动、翘曲波动（上端；下端）、垂度的检测值见表1。

表1：实施例1-3及对比例1-2的玻璃基板数值检测表

由表1可以看出，《一种液晶玻璃基板的生产方法》的液晶玻璃基板生产方法能够保证液晶玻璃的正常、连续生产，生产出的液晶玻璃基板具有非常好的品质。

以上描述了《一种液晶玻璃基板的生产方法》的优选实施方式，但是，《一种液晶玻璃基板的生产方法》并不限于上述实施方式中的具体细节，在《一种液晶玻璃基板的生产方法》的技术构思范围内，可以对《一种液晶玻璃基板的生产方法》的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于《一种液晶玻璃基板的生产方法》的保护范围。

另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，《一种液晶玻璃基板的生产方法》对各种可能的组合方式不再另行说明 。

图1是应用《一种液晶玻璃基板的生产方法》的制备方法的液晶玻璃基板生产中各工作区的结构示意图。

附图标记说明：1池炉区，2铂金区，3成型区，4热切区，5热切外围区，6半包区 。