1.将高纯金属铟在空气中燃烧或将碳酸铟煅烧生成In2O、InO、In2O3,精细控制还原条件可制得高纯In2O3。也可用喷雾燃烧工艺制得平均粒径为20nm的三氧化二铟陶瓷粉。
2.将氢氧化铟灼烧制备三氧化二铟时,温度过高的话,In2O3有热分解的可能性,若温度过低则难以完全脱水,而且生成的氧化物具有吸湿性,因此,加热温度和时间是重要的因素。另外,因为In2O3容易被还原,所以必须经常保持在氧化气氛中。
3.将氢氧化铟在空气中,于850℃灼烧至恒重,生成In2O3,再在空气中于1000℃加热30min。其他硝酸铟、碳酸铟、硫酸铟在空气中灼烧也可以制得三氧化二铟。
蒸气压(mmHg,25ºC):<0.01
溶解性:不溶于水,溶于热的无机酸
In2O3含量:99.99%,(其它杂质以%计) |
|||
氯化物<=0.001 |
硫酸盐<= 0.002 |
氮化合物<=0.003 |
Cu <=0.0002 |
Pb <=0.0004 |
Cd <=0.00079 |
Ti <=0.0003 |
Sn <=0.00063 |
Al<=0.0002 |
Fe <=0.0015 |
Ag<=0.00005 |
其它再议 |
中文名称:氧化铟
中文别名:氧化铟(III);纳米氧化铟;三氧化二铟;氧化铟/纳米氧化铟;
英文名称:Indium Oxide
英文别名:Diindium trioxide,Indium sesquioxide;Indium(III) oxide;Diindium trioxide Indium sesquioxide;
Diindium trioxide,Indium sesquioxide,Indium(III) oxide;Indium oxide;
CAS号:1312-43-2
分子式:In2O3
分子量:277.63400
精确质量:277.79200
PSA:43.37000
你好,氧化锆陶瓷制作工艺: 注浆成型的成型过程包括物理脱水过程和化学凝聚过程,物理脱水通过多孔的石膏模的毛细作用排除浆料中的水分,化学凝聚过程是因为在石膏模表面CaSO4 ...
氯化水解法:将三氯化磷加入反应器中,通入氯气,同时滴加水,控制氯水比在3.94左右,通氯气和滴水速度分别为25~35kg/h和6.25~8.8 kg/h。用夹套蒸汽加热至105~109℃使反应器内反应...
世界上90%的咔唑是从煤焦油中得到的 ;也可由邻氨基联苯合成,然后用二重结晶精制。(1)合成法:以邻氨基二苯胺为原料,经亚硝酸处理,制得1-苯基-1,2,3-苯并,加热后,失去氮而生成咔唑。(2)法:...
1.用作光谱纯试剂和电子元件的材料等
2.用于金属反射镜面的保护涂层、光电显示半导体薄膜,也用于制造铟盐、玻璃。
电阻式触摸屏中经常使用的原材料,主要用于荧光屏、玻璃、陶瓷、化学试剂等。另外,广泛应用于有色玻璃、陶瓷、碱锰电池代汞缓蚀刘、化学试剂等传统领域。近年来大量应用于光电行业等高新技术领域和军事领域,特别适用于加工为铟锡氧化物(ITO)靶材,制造透明电极和透明热反射体材料,用于生产平面液晶显示器和除雾冰器。
1.疏水参数计算参考值(XlogP):无
2.氢键供体数量:0
3.氢键受体数量:3
4.可旋转化学键数量:0
5.互变异构体数量:无
6.拓扑分子极性表面积3
7.重原子数量:5
8.表面电荷:0
9.复杂度:0
10.同位素原子数量:0
11.确定原子立构中心数量:0
12.不确定原子立构中心数量:0
13.确定化学键立构中心数量:0
14.不确定化学键立构中心数量:0
15.共价键单元数量:5
1、单一同位素质量:277.7925 Da
2、标称质量:278 Da
3、平均质量:277.6342 Da
通常来说对水是无害的,若无政府许可,勿将材料排入周围环境。
在氢气或其他还原剂存在下,加热至400~500℃可还原成金属铟或低价铟的氧化物。
在高温下分解为低级氧化物。另外,在高温下可与金属铟发生反应,低温灼烧生成的In2O3虽易溶于酸,但经过高温处理得越完全就越难溶,吸湿性也消失了。三氧化二铟在赤热状态下用氢气还原时,则生成金属铟。
RTECS号:NL1770000
急性毒性:大鼠口经LD:>10gm/kg;小鼠引入腹膜LDLo:5gm/kg;小鼠口经LDLo:10gm/kg
本产品可按用户要求,装入塑料桶,热塑套管封口。
包装(Package): 20公斤/袋
保持贮藏器密封、储存在阴凉、干燥的地方,确保工作间有良好的通风或排气装置。
采用钛酸丁酯作为成膜前驱体,乙醇作为溶剂、乙酰丙酮作络合试剂制备了稳定、均匀、透明的TiO2溶胶;以5 cm/min的速度浸渍提拉镀膜,80℃干燥10 min,480℃下灼烧3 h,冷却,获得具有均匀的纳米二氧化钛薄膜的自洁瓷砖。该法方便、快捷,自洁效果较为理想。
本发明提供了一种银氧化锌电接触合金的制备方法,具体为分别制备淀粉溶液和氧化锌悬浮液,向淀粉溶液中依次加入氧化锌悬浮液和硝酸银水溶液,然后对混合溶液进行干燥、煅烧,得到固体粉末,对粉末采用传统工艺进行压制-烧结-挤压,即得到银氧化锌电接触合金。
国家标准《氧化铟锡靶材》(GB/T 20510-2017 )的制定,有利于打破发达国家设置的技术壁垒,促进氧化铟锡靶材国产化;有利于规范中国国内氧化铟锡靶材的生产。
国家标准《氧化铟锡靶材》(GB/T 20510-2017 )规定了氧化铟锡靶材的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、质量证明书、订货单(或合同)内容等。该标准适用于以99.99%金属铟、锡为原料生产的氧化铟锡靶材,用于制作透明导电膜。
标准计划
2014年11月19日,国家标准计划《氧化铟锡靶材》(20140965-T-610)下达,项目周期48个月,由中国有色金属工业协会提出,由TC243(全国有色金属标准化技术委员会)归口上报,TC243SC2(全国有色金属标准化技术委员会重金属分会)执行,主管部门为中国有色金属工业协会。
发布实施
2021年3月9日,国家标准《氧化铟锡靶材》(GB/T 20510-2017 )由中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中华人民共和国国家标准化管理委员会发布。
2021年8月1日,国家标准《氧化铟锡靶材》(GB/T 20510-2017 )实施。
国家标准《氧化铟锡靶材》(GB/T 20510-2017 )依据中国国家标准《标准化工作导则—第1部分:标准的结构和编写》(GB/T 1.1-2009)规则起草。
国家标准《氧化铟锡靶材》(GB/T 20510-2017 )代替《氧化铟锡靶材》(GB/T 20510-2006),与《氧化铟锡靶材》(GB/T 20510-2006)相比,主要变动如下:
删除了“失氧率”的要求对氧化铟锡靶材的化学成分进行了修改,删除了对杂质元素锌、钙、镁量的控制,增加了杂质铬、铊量的控制;
修改了相对密度的含量范围;
增加了“表面粗糙度”;
增加了“组织均匀性;
修改了组批的方式;
删除了标准附录“失氧率的测定”。
主要起草单位:株洲冶炼集团股份有限公司、中国船舶重工集团公司第725研究所、北京冶科纳米科技有限公司。
主要起草人:谭仪文、黄剑、彭小苏、郗雨林、孙振德、梅方胜、崔晓芳、张士察。