氧化镓

Ga2O3能与氟气反应，生成GaF3，Ga2O3溶于50%的HF中得到产物GaF3·3H2O. Ga2O3能溶于微热的稀硝酸、稀盐酸和稀硫酸中。经过灼烧的Ga2O3不溶于这些酸甚至于浓硝酸，也不溶于强碱的水溶液中，只能通过NaOH、KOH或KHSO4和K2S2O7一起熔融才能使它溶解。与过量两倍的NH4Cl在250℃一起熔融生成氯化镓。在红热时，Ga2O3与石英反应形成玻璃体，但冷却时没有新化合物生成。红热时也能和上釉的瓷坩埚发生反应。

在加热的条件下，Ga2O3能与许多金属氧化物发生反应。现已测定了碱金属氧化物反应(高于400℃)所得到的镓酸盐M(I)GaO2的晶体结构，与Al2O3和Ln2O3一样，它与MgO、ZnO、CoO、NiO和CuO反应能形成尖晶石型的M(II)Ga2O4. 与三价金属氧化物反应的产物M(III)GaO3通常有钙钛矿或石榴石型结构(如镧系镓酸盐LnGaO3). 而且有更为复杂的三元氧化物。人们研究过有关用于激光、磷光和发光材料的镓的混合氧化物。认为镓酸盐的发光性质归之于氧的空缺。因为FeGaO3有令人感兴趣的电磁性质(即压电性和铁磁性)，所以它的合成、稳定性和晶体结构已被人们广泛地研究。

Ga2-xFexO3(x≈1)属于正交晶体，晶胞参数是:a=8.75A，b=9.40A，c=5.07A，配位数为8，熔融温度是1750℃，密度是5.53g/cm3。NiO·Fe2-xGaxO3的磁性和晶体结构也被研究过。

通常对水体是稍微有害的，不要将未稀释或大量产品接触地下水，水道或污水系统，未经政府许可勿将材料排入周围环境。

1、氢键供体数量:0

2、氢键受体数量:3

3、可旋转化学键数量:0

4、拓扑分子极性表面积(TPSA):43.4

5、重原子数量:5

6、表面电荷:0

7、复杂度:34.2

8、同位素原子数量:0

9、确定原子立构中心数量: 0

10、不确定原子立构中心数量:0

11、确定化学键立构中心数量:0

12、不确定化学键立构中心数量:0

13、共价键单元数量:1

1.向三氯化镓GaCl3的热水溶液中加NaHCO3的高浓热水溶液，煮沸到镓的氢氧化物全部沉淀出来为止。用热水洗涤沉淀至没有Cl-为止，在600℃以上煅烧则得到β-Ga2O3。残留NH4Cl时，在250℃就和Ga2O3反应，生成挥发性GaCl3。

2.这是高纯Ga2O3的制法。以高纯金属Ga为阳极，溶解于5%~20%H2SO4溶液里，向溶液加氨水，冷却，将Ga(NH4)(SO4)2反复结晶，在105℃干燥，在过量氧的条件下在800℃灼烧2h，则得到纯度为9999%~99.9999%的产品。

3.称取1kg99.9999%的高纯镓放入三颈烧瓶中，加入高纯硝酸，使镓全部溶解，然后过滤，滤液倒入三颈烧瓶中，移至电炉上蒸发(在通风橱中进行)，浓缩到接近结晶时，将溶液移置于大号蒸发皿中蒸发至干。将蒸干的Ga(NO3)3放在马弗炉中进行灼烧，温度控制在550℃，灼烧5h，待冷却后取出成品，得1.2kg高纯氧化镓。

中文名称:氧化镓

中文同义词:三氧化二镓;;氧化镓(Ⅲ);氧化镓, 99.999% (METALS BASIS);氧化镓, PURATRONIC|R, 99.999% (METALS BASIS);氧化镓, 99.995% (METALS BASIS);氧化镓, 99.99% (METALS BASIS);氧化镓 (METALS BASIS);

英文同义词:GALLIUM SESQUIOXIDE;GALLIUM OXIDE;GALLIUM(III) OXIDE;GALLIUM(+3)OXIDE;Digallium trioxide;digalliumtrioxide;Ga2-O3;Gallia;

CAS号:12024-21-4;

EINECS号:234-691-7;

相关类别:GalliumMetal and Ceramic Science;Oxides;Catalysis and Inorganic Chemistry;Chemical Synthesis;Gallium;metal oxide;

Mol文件:12024-21-4.mol

氧化镓(III)，即三氧化二镓，是镓的氧化物中最稳定的。在空气中加热金属镓使之氧化或在200-250℃时 焙烧硝酸镓、氢氧化镓以及某些镓的化合物都可形成Ga2O3. Ga2O3 有五种同分异构体:α，β，γ，δ，ε，其中最稳定的是β-异构体，当加热至1000℃以上或水热条件(即湿法)加热至300℃以上时，所有其他的异构体都被转换为β-异构体。可采用各自不同的方法制得各种纯的异构体。

把金属镓在空气中加热至420~440℃;焙烧硝酸盐使之分解或加热氢氧化镓至500℃等都可制得α-Ga2O3。

快速加热氢氧化物凝胶至400~500℃可值得γ-Ga2O3，γ-Ga2O3具有缺陷的尖晶石结构。

在250℃加热硝酸镓然后在约200℃浸溃12小时，可制得δ-Ga2O3，它类似于In2O3、Tl2O3、Mn2O3和Ln2O3的C-结构。

在550℃短暂加热(约30分钟)δ-Ga2O3可制得ε-Ga2O3。

将硝酸盐、醋酸盐、草酸盐或其他镓的化合物以及Ga2O3的任意其他异构体加热至1000℃以上均可分解或转化为β-Ga2O3。

白色三角形的结晶颗粒。不溶于水。微溶于热酸或碱溶液。熔点1900℃(在600℃时转化为β型)。

易溶于碱金属氢氧化物和稀无机酸。

有α，β两种变体。α型为白色菱形六面体。

物性数据:

1、性状:α-Ga2O3为六方晶型，β-Ga2O3属于单斜晶型。

2、密度(g/mL,25℃):未确定

3、相对蒸汽密度(g/mL,空气=1):未确定

4、熔点(ºC):1740

5、沸点(ºC,常压):未确定

6、沸点(ºC，1mmHg):未确定

7、折射率:未确定

8、 闪点(ºC):未确定

9、比旋光度(º):未确定

10、自燃点或引燃温度(ºC):未确定

11、蒸气压(20ºC):未确定

12、饱和蒸气压(kPa,60ºC):未确定

13、燃烧热(KJ/mol):未确定

14、临界温度(ºC):未确定

15、临界压力(KPa):未确定

16、油水(辛醇/水)分配系数的对数值:未确定

17.、爆炸上限(%,V/V):未确定

18、爆炸下限(%,V/V):未确定

19.、溶解性:不溶于水。微溶于热酸或碱溶液。

用作高纯分析试剂、用于电子工业半导体材料制备。

用作高纯分析试剂、半导体材料。

安全说明:S24/25:防止皮肤和眼睛接触;

类别:有毒物品;

毒性分级:低毒;

急性毒性:口服-小鼠LD50: 10000 毫克/公斤; 腹腔-小鼠LD50: 5000 毫克/公斤;

储运特性:库房通风低温干燥;

灭火剂:干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水;

职业标准:STEL 3 毫克/立方米;

贮存方法:贮存于阴凉、干燥的库房内。