香雪兰栽培技术

栽培用种球应选直径为1cm以上的大球。为减轻病毒感染，必须选用脱毒的组培球，或由种子、子球培育的新球。一般用组培苗，或种子播种，小球培育1~2年后可育成优质种球。

种植前，种球需进行消毒、打破休眠、促进发根等预处理。种球消毒可用500~800倍液多菌灵或甲基托布津等杀菌剂浸种球茎1~2h（小时），捞起阴干即可。促根处理应在见根长出后栽植，催根不宜过长，否则栽植时易伤根系。

普通栽培定植期在9~10月，通过保护设施越冬，主要花期在3~4月。定植时，如果适当排开播种，再采取促成栽培与延迟栽培可使香雪兰周年供花。

栽培距离因品种、球茎大小、栽培季节而不同。一般种植株行距为8cm×（10~14）cm，每平方米种植密度为80~110株。狭叶品种比宽叶品种种植密，冬季栽培比夏栽密，小球比大球密。种植时通常覆土2~3cm，切忌太厚，植后土表常覆盖一层薄薄的草炭土或松针、稻草、锯木屑等，以保持土壤湿润。

香雪兰喜欢有机质丰富、保水力强而排水良好的沙质壤土，pH6~7.2。种植前土壤消毒每平方米可用五氯硝基苯6~10g，溴甲烷50~70g，映喃丹8~12g处理。施药后，翻耙平整，隔5~7天即可播种。栽植床的畦高，干旱地区为5cm左右；土壤湿度大，不易排水的床面，畦面宜20~25cm。酸性土壤更适宜栽种。

栽植后至出芽前必须保持土壤湿润。现蕾后要适当逐步减少浇水量，尽量保持土表干燥，以利降低空气湿度，预防病害。自定植到开花时间较短，栽植前施入的有机肥和复合肥，基本可以满足生长需要，但如果植株生长较弱，在2~4片叶时，再追施1次硝酸铵、尿素与硫酸钾。初花时用0.2%磷酸二氢钾作叶面施肥，但出蕾前后最好避免追肥。

使用排水性好，不含氯化物和病菌的栽培基质，pH控制在5.8~7.2之间。栽培基质的厚度不低于25cm ，香雪兰对氯非常敏感，氯会引起香雪兰叶片出现焦斑。因此不能使用过磷酸盐或其它含氯的肥料。还要注意避免使用含氯的灌溉水。

温度管理对香雪兰切花生产很重要。一般栽后6周左右花序已完全分化，较小的球茎会推迟2~3周。在花芽分化期要避免25℃以上的高温，10℃以下的低温。从4叶期起保证有4周以上时间维持温度13~14℃，以顺利诱导4~6叶期间的花原基分化，这有利切花产量与质量的提高。花蕾出现后适当提高环境温度，以促进开花；但为延长花期，当第一朵花开放后，可将温度降低到15℃左右，使切花采收期延长。大棚与温室管理要注意室温25℃以上要通风，10℃以下要加覆盖保温或加温。

栽培过程中幼苗期与开花期宜适当遮光。在第一叶生长期，适当遮荫，可降低地温，促进根系发育。在花芽分化前给以10h左右的短日照处理，有利促进花芽分化，增加花茎长度与花序上的花朵数与侧穗数。

花芽分化完成后适当延长日照，有利促进花序的良好发育与提早开花。香雪兰虽然喜光，但也要避免强光照射，在光过强、温度较高的情况下，可用透光率70%的遮阳网遮荫。

原产非洲南部好望角。中国南方各地多露天栽培，北方各地多盆栽。

​香雪兰喜凉爽湿润与光照充足的环境，耐寒性较差，生长适宜温度为15℃~20℃，越冬最低温度为3℃~5℃。昼夜温差大，有利于生长发育，夜间温度以10℃~15℃为宜，白天不能超过20℃，否则生长不良。喜疏松、排水性良好、富含腐殖质的土壤。

香雪兰在生长过程中，球茎在13.5℃~15℃条件下，能促进生根、发芽。花芽分化要求8℃~13℃的低温。在花芽发育期要求适宜温度为13℃~18℃。低于18℃会推迟花期，花茎缩短。较高的温度可以促进提早开花，但植株生长衰弱。香雪兰在短日照条件下，有利促进花芽分化。而花芽分化之后，长日照可以提早开花。通常9月播种球茎，约在11月上旬花芽开始分化，11月下旬分化完成。植株到翌年5月后，叶片逐渐枯萎，球茎进入自然休眠期。

多年生球根草本花卉。球茎狭卵形或卵圆形，外包有薄膜质的包被，包被上有网纹及暗红色的斑点。叶剑形或条形，略弯曲，长15~40厘米，宽0.5~1.4厘米，黄绿色，中脉明显。

花茎直立，上部有2~3个弯曲的分枝，下部有数枚叶；花无梗；每朵花基部有2枚膜质苞片，苞片宽卵形或卵圆形，顶端略凹或2尖头，长0.6~1厘米，宽约8毫米；花直立，淡黄色或黄绿色，有香味，直径2~3厘米；花被管喇叭形，长约4厘米，直径约1厘米，基部变细，花被裂片6，2轮排列，外轮花被裂片卵圆形或椭圆形，长1.8~2厘米，宽约6毫米，内轮较外轮花被裂片略短而狭；雄蕊3，着生于花被管上，长2~2.5厘米；花柱1，柱头6裂，子房绿色，近球形，直径约3毫米。蒴果近卵圆形，室背开裂。花期4~5月，果期6~9月。