信息损耗

信息损耗是信息质的降低或量的消耗。信息“质”的损耗,主要是指由于信息的失真而造成信息失去它的价值,在使用中必须剔除。信息“量”的损耗,主要是指信息价值的减少。这种减少有两种形式:一是信息绝对量下降,如储存信息消失;二是信息相对量下降,如知识信息的“老化”,信息内容的时效性不断降低。老化了的信息,利用率逐步降低,慢慢变得“无用”而只具有历史价值。 

信息损耗基本信息

中文名 信息损耗 定    义 信息损耗是信息质的降低或量的消耗

美国学者贝尔纳早在1958年就开始进行了关于知识“老化”的研究,并引进了“半衰期”的概念。目前经专家分析,下列几个学科的期刊文献的“半衰期”分别为:化学工程4.8年,数学10.5年,物理学4.6年,化学学8.1年。社会科学方面的文献也有类似情况,其中经济、科普著作、教材更新更快,其“半衰期”更短。 2100433B

信息损耗造价信息

市场价 信息价 询价
材料名称 规格/型号 市场价
(除税)
工程建议价
(除税)
行情 品牌 单位 税率 供应商 报价日期
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材料名称 规格/型号 除税
信息价
含税
信息价
行情 品牌 单位 税率 地区/时间
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信息损耗常见问题

信息损耗文献

回波损耗与结构回波损耗 回波损耗与结构回波损耗

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回波损耗作为评价电缆阻抗均匀性的指标,一直在电缆行业内广泛应用,然而很多国内电缆出 口企业在与国外厂商接触中,发现国外客户更多地提出用结构回波损耗而非回波损耗来衡量电 缆的好坏,如美国、澳大利亚等国。那么回波损耗和结构回波损耗有什么区别呢 ? 根据美国标准结 ANSI/SCTE 03 2003 及 ASTM D 4566 ,结构回波损耗 SRL 的定义为: SRL =结构回波损耗, dB; Z in =输入阻抗(复数), Ω Zavg=平均阻抗(复数), Ω 根据标准: R i=电缆各个频率点下输入阻抗的实部; X i=电缆各个频率点下输入阻抗的虚部; Ravg =电缆所有测试点实部的平均值; Xavg =电缆所有测试点虚部的平均值。 根据 IEC 61196 或 GB/T 17737 标准,回波损耗 RL 的定义为: RL =回波损耗, dB, ZT=终端接标称阻抗时的输入端阻抗(复数

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回波损耗 回波损耗

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回波损耗:在高频场合 ,反映行波在保护设备的 "过渡点 "处被反射的 比例 . 在这一参数下可直接衡量 , 保护器件与系统的涌 波阻抗的匹配程 度 . 回波损耗: return loss 。回波损耗是表示信号反射性能的参数。回 波损耗说明入射功率的一部分被反射回到 信号源。例如,如果注入 1mW (0dBm)功率给放大器其中 10%被反射 (反弹 )回来,回波损耗就是 10dB。从 数学角度看,回波损耗为 -10 log [( 反射功率 )/( 入射功率 )] 。回波损耗 通常在输入和输出都进行规定。 回波损耗,又称为反射损耗。 是电缆链路由于阻抗不匹配所产生的反 射,是一对线自身的反射。 不匹配主要发生在连接器的地方, 但也可能发 生于电缆中 特性阻抗发生变化的地方,所以施工的质量是提高回波损耗的 关键。回波损耗将引入信号的波动, 返回的信号将被双工的千兆网误认为 是收到的信号而产生

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当负荷电流通过线路时,在线路电阻上会产生功率损耗。

剩余损耗指除了涡流损耗和磁滞损耗以外的其他所有损耗。它是由具有不同机制的磁弛豫过程所导致的。在低频和弱磁场中,剩余损耗主要是磁后效损耗,且与频率无关。高频下剩余损耗主要包括尺寸共振、畴壁共振和自然共振等引起的损耗。在铁氧体中剩余损耗占优势。

低频和弱磁场

磁后效引起的剩余损耗与频率、畴壁位移和磁化矢量转动的阻尼系数成比例。这种损耗大致有两类:里希特型和约旦型损耗。前者与温度和频率有关;后者对温度和频率的依赖性甚小。里希特型损耗主要是由杂质扩散产生的感生各向异性引起的。约旦型损耗则主要是由热涨落引起的。铁氧体的里希特损耗是由于价电子在离子间扩散引起的。

高频和超高频

在10赫以上的高频和超高频区,铁氧体磁谱与磁损耗有关的磁导率虚分量μ″在不同频率区域可能出现几个吸收峰,它们对应着共振损耗,也是一种弛豫损耗。随着频率升高,这些吸收峰分别是由尺寸共振、畴壁共振、自然共振和自然交换共振引起的。

磁性导体在交变磁场中,由于电磁感应而产生涡电流,这就引起磁场强度H和磁感应强度B的振幅和相位在材料内部的不均匀分布,并使B的相位落后于H的相位而增加一部分能量损耗,称为涡流损耗。对一些金属磁性材料的实验研究表明:测得的磁损耗要比理论计算的涡流损耗和准静态损耗之和大得多。实验与理论之差的额外损耗称为反常损耗。反常损耗部分来源于畴壁移动时通过电磁感应在畴壁附近感生的微涡流;另一部分则是由于畴壁的钉扎或畴壁的变形。值得注意的是,反常损耗在一些金属磁性材料(如硅钢片)总损耗中占很大部分。

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