无掩膜激光直写光刻机
无掩膜激光直写光刻机可以在光刻胶上直接曝光绘出所需要的图案，而不需要掩膜版。
无掩膜激光直写光刻机基本信息
| 中文名 | 无掩膜激光直写光刻机 | 用 途 | 光刻 |
|---|
Focus Lock自动对焦
Focus Lock技术是利用自动对焦功能对样品表面高度进行探测，并通过Z向调整和补偿，以保证曝光分辨率。
直写前预检查
软件可以实时显微观测基体表面，并显示预直写图形位置。通过调整位置、角度，直到设计图形按要求与已有结构重合，保证直写准确。
标记物自动识别
点击“Bulls-Eye”按钮，系统自动在显微镜图像中识别光刻标记。标记物被识别后，将自动将其移动到显微镜中心位置。
光学轮廓仪
Microwriter ML3 配备光学轮廓探测工具，用于匀胶后沉积层，蚀刻层，MEMS等前道结构的形貌探测与套刻。Z向最高精度100 nm，方便快捷。
简单的直写软件
MicroWriter ML3由一个简单直观的Windows界面软件控制。工具栏会引导使用者进行简单的布局设计、基片对准和曝光的基本操作。该软件在Windows10系统下运行。
Clewin 掩模图形设计软件
可以读取多种图形设计文件（DXF, CIF, GDSII, 等）
可以直接读取TIFF, BMP 等图片格式
书写范围只由基片尺寸决定
无掩膜激光直写光刻机造价信息
电子/半导体器件
微/纳电机系统
自旋电子学
传感器
微流控
材料科学
生物实验室芯片
光子学
......
小型台式无掩膜光刻机Microwriter ML3，通过激光直写在光刻胶上直接曝光制作所需要的图案，而无需掩膜版，专为实验室设计开发，适用于各种实验室桌面。
无掩膜激光直写光刻机常见问题
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蚀刻机可以分为化学蚀刻机及电解蚀刻机两类。在化学蚀刻中是使用化学溶液，经由化学反应以达到蚀刻的目的，化学蚀刻机是将材料用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。光刻机(Mask Aligner)...
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使用中可能产生的问题及售后服务保证 （一）．使用环境 雕刻机为高科技机电一体化设备，对工作环境有一定的要求。 1．避开强电、强磁等严重影响雕刻机信号传输的设备。如：电焊机、发射塔等。 2．使用三芯电源...
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立式激光机和卧室激光机的区别:1、立式激光机：激光管直接放置于工作台面的上方，激光束不移动，而是工作台面移动；立式激光机优点：不使用反射镜，避免激光的损耗和擦拭镜片的问题，日常维护量小；立式激光机缺点...
无掩膜激光直写光刻机文献
利用光刻机挡板优化MPW光罩布局
伴随着国内市场竞争的日趋激烈,常规的MPW(多项目晶圆)布局也不能满足客户的要求,同时也不能最大限度地降低设计公司的研发成本,也不利于国内foundry厂市场的开拓。鉴于此,文章着重提出了利用光刻机挡板把光罩进行区域划分,在不增加流片和满足客户要求的前提下,使光罩得到最大限度的利用,降低了客户的流片费用。通过在15cm片上流片验证,更加突出了此优化光罩布局的方法在研发成本和满足客户要求等方面的优越性,因而这种布局对我国集成电路的发展和新产品的研发工作,特别是对国内中小企业的成长提供了有力的支持,也为foundry厂赢得市场提供了重要的手段。
基于人机工程学的光刻机嵌入式控制面板界面设计
基于人机工程学的研究方法,以光刻机嵌入式控制面板的人机信息交互作为设计切入点,结合工程实践分析了控制面板显示器和控制器在使用时的特点,探讨了光刻机控制面板在界面设计中应遵循的原则。在此基础上,设计了一套可行的光刻机嵌入式控制面板。
通过激光与材料的相互作用，调节样品台旋转及X轴运动速度，可以实现类光栅结构点线阵列、任意图形和灰度图形的激光刻写。
激光波长405 nm，分辨率达100nm。
该设备由计算机控制高精度激光束扫描，在光刻胶上直接曝光写出所设计的任意图形，从而把设计图形直接转移到掩模上。激光直写系统的基本结构如图所示，主要由He-Cd激光器、声光调制器、投影光刻物镜、CCD摄像机、显示器、照明光源、工作台、调焦装置、He-Ne激光干涉仪和控制计算机等部分构成。激光直写的基本工作流程是：用计算机产生设计的微光学元件或待制作的VLSI掩摸结构数据；将数据转换成直写系统控制数据，由计算机控制高精度激光束在光刻胶上直接扫描曝光；经显影和刻蚀将设计图形传递到基片上。 2100433B
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