微型计算机化设计原理

译者序

序

信号、标号英汉对照表

目录

第一章 微型计算机的作用

第二章 微型计算机的寄存器与数据操作

第三章 微型计算机硬件

第四章 存储器

第五章 输入/输出

第六章 硬件和软件的开发

第七章 算法过程

附录 几种微型计算机的特性

汉英名词对照索引

用微型计算机装备的仪器和设备具有智能化的优异特性。与此相应的新兴的设计原理和方法，叫做微型计算机化设计．

本书是全面论述微型计算机化设计原理和方法的专著，全书共分七章，六个附录。其中第一、二章讨论微型计算机化设计的一般问题和软件；第三、四、五章着重介绍微型计算机硬件和接口；第六章探讨微型计算机化仪器的开发；第七章给出一些实用算法，可供设计者直接引用．附录配合正文内容扼要介绍六种常用的微型计算机．

本书可作为高等院校有关专业的研究生和高年级学生的参考教材；对于从事微型计算机应用与设计的工程技术人员，也可作为设计方面的工具书或供自学时参考．

微型防爆电筒LED发光原理

发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光。假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。

理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关，即

λ≈1240/Eg（mm）

式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。

微型防爆电筒LED的特性

1．极限参数的意义

（1）允许功耗Pm：允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。

（2）最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。

（3）最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。

（4）工作环境topm：发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。

2.cree led参数

这是CREE LED的参数,超过这个一般就是虚标了

Q5 →350mA 亮度107-114 Lumens，最大电流1000mA(可达220-250Lumens）

Q4 →350mA 亮度100.4-107 Lumens，最大电流1000mA

Q3 →350mA 亮度93.9-100.4 Lumens，700mA 亮度152.1-162.6 Lumens

Q2→350mA 亮度87.4-93.9 Lumens，700mA 亮度141.6-152.1 Lumens

P4 →350mA 亮度80.6-87.4 Lumens，700mA 亮度130.6-141.6 Lumens

P3→350mA 亮度73.9-80.6 Lumens，700mA 亮度119.7-130.6 Lumens

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