钨青铜一般采用氢气还原、电解还原、气相沉积、熔融或固态反应的方法制备,其中以固态反应最易实现。 2100433B
钨青铜结构有四方晶系和斜方晶系两种,它们沿C轴方向共角相连。另一类为斜方晶系的钨青铜型结构可视为沿四方单胞的对角线进一步畸变而造成。如Ba2NaNb5O15为斜方钨青铜型结构。
钨青铜的颜色随组成的不同而有很大变化,如NaxWO3中x~0.9时为金黄色,x~0.6时为橙红色,x~0.45时为红紫色,x~0.3时为暗蓝紫色。结构上,NaxWO3中每去掉一个Na离子,则一个W原子就应从W(Ⅴ)变为W(Ⅵ)。因此,在这种有缺陷的NaxWO3中有(1-x)个W(Ⅵ)原子和(1-x)个空Na原子的位置。完全纯的NaxWO3还未制得,而WO3(即Na原子数为最小极限x=0)是稍微畸变的ReO3结构(即去掉钙钛矿结构中的大阳离子的结构)。所以实际上钨青铜的组成近于Na0.3WO3-Na0.9WO3。
商周时期的青铜应该是锡青铜。
锡磷青铜是一种合金铜,具有良好的导电性能,不易发热、确保安全同时具备很强的抗疲劳性。锡磷青铜的插孔簧片硬连线电气结构,无铆钉连接或无摩擦触点,可保证接触良好,弹力好,拨插平稳。锡青铜,以锡为主要合金元...
(1)锡青铜 以锡为主要合金元素的铜基合金称锡青铜。工业中使用的锡青铜,锡含量大多在3%~14%之间。锡含量小于5%锡青铜适于冷加工使用;锡含量为5%~7%的锡青铜适于热加工;锡含量大于10%的锡青铜...
钨青铜结构有四方晶系和斜方晶系两种,前者单元原胞都含有10个[BO6]氧八面体,它们沿C轴方向共角相连。另一类为斜方晶系的钨青铜型结构可视为沿四方单胞的对角线进一步畸变而造成。如Ba2NaNb5O15为斜方钨青铜型结构。
稀土钨青铜 M0.1WO3 为蓝紫色粉末, M 为稀土元素,具有立方晶体结构。 钇钨青铜YxWO3 则具有立方晶体和四方晶体两种结构。锂和钠、锂和钾还可形成混合钨青铜,如 NaxLiyWO3 和 KxLiyWO3,其中 x 可小到 0.13, x+y 可高达 0.51。通常前者为立方晶体,后者为六角形晶体。
钨青铜中最常见的是钠钨青铜,它具有金属的光泽,呈现的颜色随 x 值的变化而异,可从金黄色到淡蓝灰色,例如, NaWO3 为金黄色, Na0.67WO3 为绛红色, Na0.5WO3 为紫红色, Na0.2WO3 为蓝色。当 Na∶WO3 比值大于 0.3 时,它的电阻温度系数为正值,极不稳定,具有半金属性质;小于 0.3 时则为负值,是半导体。
所有钨青铜在性质上都极端惰性,具半金属性,有金属光泽和导电性。它们的化学惰性表现在不溶于水和抵抗除氢氟酸以外的一切酸。但它们可将硝酸银从其氨水溶液中还原为金属银,而在碱存在时,它们可被氧氧化为钨(Ⅵ)酸盐。它们的半导体性,可认为其中的一切钨原子都是W(Ⅵ),金属钠的价电子像在金属钠中一样,在钨青铜的晶格中自由运动。锂也可形成钨青铜,但不导电。
一种经验式为 MxWO3的非化学计量化合物,其中M通常是碱金属,也可以是碱土金属、铵离子和稀土金属离子等。x 介于 0 和 1之间。钨青铜一般具有金属光泽和特殊的颜色。 M 的品种和 x 数值的变化,可使它具有导体或半导体性质。结晶化学研究证明,钨青铜实质上是碱金属原子插入 WO3 晶格之后而形成的固溶体。当所有的空位皆被充满后,得到的化合物便是 MWO3 。钨青铜的形成与钨的可变原子价有关,如果只是部分空位被碱金属的原子所置换,则一部分钨原子将由六价变为五价。
钨青铜中最常见的是钠钨青铜,它具有金属的光泽,呈现的颜色随 x 值的变化而异,可从金黄色到淡蓝灰色,例如, NaWO3 为金黄色, Na0.67WO3 为绛红色, Na0.5WO3 为紫红色, Na0.2WO3 为蓝色。当 Na∶WO3 比值大于 0.3 时,它的电阻温度系数为正值,极不稳定,具有半金属性质;小于 0.3 时则为负值,是半导体。
(新)-JISF7427-2005造船.青铜制阀门
电弧喷涂是重要的热喷涂技术之一,在表面修复和强化方面得到广泛应用。文中采用超音速电弧喷涂技术进行铝青铜涂层制备试验研究。通过涂层性能试验得出结论,超音速电弧喷涂所得涂层较常规电弧喷涂的涂层结合强度高、孔隙率低,能满足大轴承套圈耐磨涂层的使用要求。
化学式为:(A1)4(A2)2B10O30和(A1)(A2)2(A3)4B10O30。式中A1为钙、锶、钡和铅等;A2为锂、钠和钾等;A3为锂和镁等;B=铌、钽和钛等。也可简写成A×Bl0O30。
钨青铜结构有四方晶系和斜方晶系两种,前者单元原胞都含有10个[BO6]氧八面体,它们沿C轴方向共角相连。另一类为斜方晶系的钨青铜型结构可视为沿四方单胞的对角线进一步畸变而造成。如Ba2NaNb5O15为斜方钨青铜型结构。2100433B
采用磁控溅射、激光脉冲沉积技术研究钨青铜结构铁电、电光薄膜材料在不同衬底上的生长制备条件,生长制备出具有高取向、高质量的钨青铜结构铁电、电光薄膜材料,如:KNSBN, BSTN, SCNN等。通过能谱分析\X射线衍射、扫描电镜、原子力显微镜研究,确定薄膜的组分、晶态结构、取向和表面形貌;通过椭偏光谱、透射光谱的测量和分析研究,得到薄膜的折射率和消光系数等光学参数谱及变化规律;用反射光栅测量技术测量 2100433B
批准号 |
50372085 |
项目名称 |
高取向钨青铜结构铁电、电光薄膜材料研究 |
项目类别 |
面上项目 |
申请代码 |
E0206 |
项目负责人 |
张曰理 |
负责人职称 |
教授 |
依托单位 |
中山大学 |
研究期限 |
2004-01-01 至 2006-12-31 |
支持经费 |
24(万元) |