中文名 | 微电子工艺 | 类 别 | 慕课 |
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提供院校 | 哈尔滨工业大学 | 授课老师 | 王蔚、田丽 |
大学物理,大学化学
第一讲 介绍绪论与第1章 硅片的制备
绪论:1、 微电子工艺是讲什么的?
2、 微电子工艺的发展历程如何?
3、 微电子工艺有什么特点?
4、半导体单晶硅有什么特性?
第1章 硅片的制备
1.1多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法
1.2单晶生长-机理
1.2单晶生长-掺杂
1.2单晶生长-MCZ与FZ法
1.3硅片制备
第一讲 作业
第二讲 介绍第2章 外延,包括:外延概述、汽相外延、分子束外延、其它外延、外延层缺陷及检测共五节内容
2.1 外延概述
2.2 汽相外延
2.3 分子束外延
2.4 其它外延方法
2.5 外延层缺陷及检测
第二讲 作业
第三讲,介绍第3章 热氧化,包括:SiO2薄膜概述、硅的热氧化、初始氧化阶段及薄氧化层制备等6节内容
3.1 二氧化硅薄膜概述
3.2 硅的热氧化
3.3 初始氧化阶段及薄氧化层制备
3.4 热氧化过程中的杂质再分布
3.5 氧化层的质量及检测
3.6 其它氧化方法
第三讲 作业
第四讲 介绍第4章 扩散,包括:扩散机构、晶体中扩散的基本特点及宏观动力学方程、杂质的扩散掺杂等共7节内容。
4.1 扩散机构
4.2 晶体中扩散的基本特点及宏观动力学方程
4.3 杂质的扩散掺杂
4.4 热扩散工艺中影响杂质分布的其他因素
4.5 扩散工艺条件与方法
4.6 扩散工艺质量与检测
4.7 扩散工艺的发展
第四讲 作业
第五讲 介绍第5章 离子注入,包括:离子注入原理、注入离子在靶中的分布、注入损伤等,共八节内容
5.1 概述
5.2 离子注入原理
5.3 注入离子在靶中的分布
5.4 注入损伤
5.5 退火
5.6 离子注入设备与工艺
5.7 离子注入的其它应用
5.8 离子注入与热扩散比较及掺杂新技术
第五讲 作业
期中测验
第六讲,介绍第6章 化学汽相淀积,包括:CVD概述,CVD工艺原理、方法,二氧化硅薄膜淀积等共七节内容。
6.1 CVD概述
6.2 CVD工艺原理
6.3 CVD工艺方法
6.4 二氧化硅薄膜的淀积
6.5 氮化硅薄膜淀积
6.6 多晶硅薄膜的淀积
6.7 CVD金属及金属化合物薄膜
第六讲 作业
第七讲 介绍第7章物理汽相淀积,包括PVD概述、真空系统及真空的获得、真空镀铝等五节内容
7.1 PVD概述
7.2 真空系统及真空的获得
7.3 真空蒸镀
7.4 溅射
7.5 PVD金属及化合物薄膜
第七讲 作业
第八讲 介绍第8章 光刻工艺,包括光刻概述,光刻工艺流程以及光刻技术等8节内容。
8.2 基本光刻工艺流程
8.3 光刻掩膜板制造技术
8.4 光刻胶
8.5 紫外曝光技术
8.6 光刻增强技术
8.7 其它曝光技术
8.8 光刻新技术展望
8.1 光刻概述
第八讲 作业
第九讲 介绍第九章 刻蚀技术 包括:刻蚀技术概述、湿法刻蚀技术、干法刻蚀技术及常用薄膜的刻蚀等共5节内容。
9.1 刻蚀技术--概述
9.2 刻蚀技术 -- 湿法刻蚀技术
9.3 刻蚀技术-- 干法刻蚀技术
9.4 SiO2薄膜的干法刻蚀技术
9.5 刻蚀技术-- 多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术
第九讲 作业
第十讲 介绍典型工艺集成,包括金属化、隔离技术,以及CMOS电路、双极型电路工艺。
10.1--1 工艺集成--金属化与多层互连
10.1--2 工艺集成--金属化与多层互连--尖楔现象
10.2 工艺集成--集成电路中的隔离技术
10.3 CMOS集成电路的工艺集成
10.4 双极型集成电路的工艺集成
结语 我的中国芯
第十周作业
江苏省盐城市滨连霞电子工艺品加工有限公司位于具有“世界工厂”美誉的盐城市。本公司经营的产品从单一产品逐步发展到多品牌复合化运作及多层面全方位经营,从单一的加工走向自主开发、设计、生产、连锁经营等,产品...
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1 电子工艺论文 第一章 元件的原理及检测 第一节 发光二极管 发光二极管还可分为: 普通单色发光二极管、高亮度发光二极管、超高亮度发光二极管、变色发 光二极管、闪烁发光二极管、电压控制型发光二极管、红外发光二极管等。 红外发光二极管 红外发光二极管也称红外线发射二极管,它是可以将电能直接转换成红外 光并辐射出去的发光器件,主要应用于各种光控及遥控发射电路中。其结构、 原 理与普通发光二极管相近, 只是使用的半导体材料不同。 红外发光二极管通常使 用砷化镓( GaAs)、砷铝化镓( GaAlAs)等材料,采用全透明或浅蓝色、黑色的 树脂封装。常用的红外发光二极管有 SIR系列、 SIM系列、 PLT系列、GL系列、 HIR系列和 HG系列等。 一、使用发光二极管时注意的问题 1.发光二极管使用时必须正向连接。 两根引线中较长的一根为正极, 应接电源正 极。有的发光二极管的两根引线一样长,
随着中国电子制造业的不断发展壮大,中国的SMT产业规模与人员亦飞速发展壮大,然而从目前高校开设的课程来看,中国目前有开设SMT专业的高校仍是廖廖无几,远远不能满足行业发展的需要,针对目前SMT行业人才紧缺,高校毕业人才跟不上行业人才发展需要的现状,深圳职业技术学院特举办第三届中国(深圳)微电子制造工程电子工艺(SMT)技术与教育研讨会。
与传统电子技术相比,微电子技术具备一定特征,具体表现为以下几个方面:
①微电子技术主要是通过在固体
内的微观电子运动来实现信息处理或信息加工。
②微电子
信号传递能够在极小的尺度下进行。
③微电子技术可将某个子系统或电子功能部件集成于芯片当中,具有较高的集成性,也具有较为全面的功能性。
④微电子技术可在晶格级微区进行工作。
由于无线电电路设计的近似性、元器件的离散性和装配工艺的局限性,装配完的整机一般都要进行不同程度的测试与调整。所以在电子产品的生产过程中,调试是一个非常重要的环节,调试工艺水平在很大程度上决定了整机的质量。
静态测试与调整的内容较多,适用于产品研制阶段或初学者试制电路使用。在生产阶段,为了提高生产效率。往往只作简单针对性的调试,主要以调节可调性元件为主。对于不合格电路,也只作简单检查,如观察有没有短路或断路等。若不能发现故障,则应立即在底板上标明故障现象,再转向维修生产线进行维修,这样才不会耽误生产线的运行。
动态测试与调整是保证电路各项参数、性能、指标的重要步骤。其测试与调整的内容包括动态工作电压、波形的形状及其幅值和放大倍数、动态范围、相位关系、通频带、输出功率等。对于数字电路来说,只要器件选择合适,直流工作点正常,逻辑关系就不会有太大问题,一般测试电平的转换和工作速度即可 。2100433B
微电子技术是一门作用于半导体上的微小型集成电路系统的学科。微电子技术的关键在于研究集成电路的工作方式以及如何实际制造应用。集成电路的发展依赖于半导体器件的不断演化。微电子技术可在纳米级超小的区域内通过固体内的微观电子运动来实现信息的处理与传递,并且有着很好的集成性。
从本质上来看,微电子技术的核心在于集成电路,它是在各类半导体器件不断发展过程中所形成的。在信息化时代下,微电子技术对人类生产、生活都带来了极大的影响。