退火薄板

冷轧组织主要由内含大量剪切带的伸长晶粒组成，其中表层和1/4层之间的剪切带强度和密度较心部大。高硅钢薄板冷轧织构主要由以{112}〈110〉为强点的α织构（〈110〉∥RD）和以{111}〈112〉为强点的γ织构组成。

高硅钢冷轧板经700、900、1000和1100℃保温10min退火后都完成再结晶，平均晶粒尺寸分别为18、139、172和191μm。

700℃退火时，再结晶织构主要为以{001}〈210〉为峰值的{001}织构和以{111}〈112〉为峰值的γ织构，而且{111}〈112〉和{001}〈210〉强度接近，取向密度分别为4．3和4．1。高于900℃退火时，γ织构取向密度降到2．0以下，而{001}〈210〉织构取向密度增强到9．7以上，{001}织构成为主导的织构组分。总体上在700～900℃范围内随退火温度升高，{001}〈210〉迅速成为主导织构组分，γ织构显著减弱。在900℃以上范围随退火温度升高，{001}〈210〉继续增强，但增长幅度减小。总之，900℃以上温度退火有利于无取向高硅钢薄板再结晶织构的优化 。

论利用热轧、冷轧和退火工艺制备高硅钢薄板，并分析退火温度对再结晶织构的影响。退火温度对冷轧高硅钢薄板再结晶织构影响显著，高于900℃退火可获得以{001}〈210〉为峰值的强{001}再结晶织构。高硅钢再结晶织构演变呈现出与普通硅钢不同的规律：随再结晶晶粒长大，{001}织构逐渐增强成为主要织构组分，而γ织构逐渐减弱 。

含6．5%（质量分数）Si的高硅钢具有高磁导率、极低铁损和低噪音等优异的软磁性能，是低能耗、小型化、高速化、环境友好的理想铁芯材料。高硅钢磁性能对再结晶织构十分敏感，但由于其高硬脆性，长期以来对高硅钢的研究主要集中在如何改善加工成形问题上，关于高硅钢织构的优化控制进展很小。

Machado等研究了含1．0%（质量分数）Al的Fe－6．5%（质量分数）Si合金的温轧织构。Ros－Yanze等表征了高硅钢热轧、冷轧和退火后的织构特征。

在他们的研究中，高硅钢热轧织构由立方织构{001}〈100〉），γ织构和Goss织构（{110}〈001〉）组成，冷轧后主要演变为γ织构，退火后形成以{111}〈110〉为峰值的γ织构。由于对磁性而言，γ再结晶织构是硅钢中的最不利的织构组分，所以他们的研究均未涉及到高硅钢再结晶织构的优化问题。

利用传统的热轧、冷轧和退火工艺流程制造高硅钢薄板，并采用X射线衍射技术分析其再结晶织构的演变规律与控制效果 。

高硅钢薄板再结晶织构受退火温度影响的原因可能来自两个方面：

（1）不同取向晶粒形核率的温度依赖性；

（2）不同取向晶粒长大速率的温度依赖性。

为此，进行了900℃不同时间的退火实验，以考察晶粒长大过程中的织构演变。两退火工艺下均完全再结晶，平均晶粒尺寸分别为22和151μm。退火0．4min时再结晶织构主要为以{001}〈210〉为峰值的{001}织构和以{111}〈112〉为峰值的γ织构，而且二者强度相近；退火100min时，{001}织构成为主导织构组分。显然，在0．4～10min范围内随退火时间延长，以{111}〈112〉为峰值的γ织构显著减弱，{001}〈210〉发展为主导织构组分；在10～100min范围内，织构类型和取向密度变化都相对较小。

700和900℃下再结晶刚完成阶段的织构相似性表明：不同温度下再结晶织构的差异，是在晶粒长大过程中形成的。随再结晶晶粒长大，{001}晶粒逐步吞并其它取向晶粒而成为主导织构组分，γ晶粒则逐渐被吞并而减弱。无取向硅钢的晶粒尺寸和再结晶织构是影响磁性能的两个关键结构参数。目前采用的退火工艺都是以获得最优晶粒尺寸为导向，而在此过程中再结晶织构通常随晶粒长大向不利方向转变。高硅钢的再结晶织构呈现不同的演变规律：随晶粒长大，不利的γ织构逐渐减弱甚至消失，而有利的{001}织构则持续增强为主要织构组分 。

退火球化退火的具体工艺

①普通（缓冷）球化退火，缓冷适用于多数钢种，尤其是装炉量大时，操作比较方便，但生产周期长；②等温球化退火，适用于多数钢种，特别是难于球化的钢以及球化质量要求高的钢（如滚动轴承钢）；其生产周期比普通球化退火短，不过需要有能够控制共析转变前冷却速率的炉子；③周期球化退火，适用于原始组织为片层状珠光体组织的钢，其生产周期也比普通球化退火短，不过在设备装炉量大的条件下，很难按控制要求改变温度，故在生产中未广泛采用；④低温球化退火，适用于经过冷形变加工的钢以及淬火硬化过的钢（后者通常称为高温软化回火）；⑤形变球化退火，形变加工对球化有加速作用，将形变加工与球化结合起来，可缩短球化时间。它适用于冷、热形变成形的钢件和钢材（如带材）。

退火再结晶退火工艺

应用于经过冷变形加工的金属及合金的一种退火方法。目的为使金属内部组织变为细小的等轴晶粒，消除形变硬化，恢复金属或合金的塑性和形变能力（回复和再结晶）。若欲保持金属或合金表面光亮，则可在可控气氛的炉中或真空炉中进行再结晶退火。

去除应力退火 铸、锻、焊件在冷却时由于各部位冷却速度不同而产生内应力，金属及合金在冷变形加工中以及工件在切削加工过程中也产生内应力。若内应力较大而未及时予以去除，常导致工件变形甚至形成裂纹。去除应力退火是将工件缓慢加热到较低温度（例如，灰口铸铁是500～550℃，钢是500～650℃），保温一段时间，使金属内部发生弛豫，然后缓冷下来。应该指出，去除应力退火并不能将内应力完全去除，而只是部分去除，从而消除它的有害作用。

还有一些专用退火方法，如不锈耐酸钢稳定化退火；软磁合金磁场退火；硅钢片氢气退火；可锻铸铁可锻化退火等。

退火半导体退火

半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时，高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子发生位移，结果造成大量的空位，将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区，所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火，以恢复晶体的结构和消除缺陷。同时，退火还有激活施主和受主杂质的功能，即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800C，比热扩散掺杂的温度要低得多 。

退火蒸发电极金属退火

蒸发电极金属以后需要进行退火，使得半导体表面与金属能够形成合金，以接触良好（减小接触电阻）。这时的退火温度要选取得稍高于金属-半导体的共熔点（对于Si-Al合金，为570度） 。2100433B

1、H1×——冷作硬化状态（中间退火）。

冷轧中间道次进行退火，冷却后不再进行补充热处理。“H1”后的数字表示冷作硬化的程度。

2、H2×——冷作硬化后部分退火状态（成品退火）。

不完全退火

应变硬化 不完全退火

适用于大加工率后，以最终的部分退火获得所需要的强度指标的制品。对于在室温下自然软化的金，H2、H3对应状态具有相同的低应力值；对其他合金H2、H1对应各状态具有相同的最低应力值，但H2各状态的延伸率稍高。“H1”后的数字表示经部分退火后，冷作硬化保留的程度。

3、H3×——冷作硬化后稳定化处理状态。

稳定化退火

应变应化 低温回复

稳定化退火——为使工件中微细的显微组成物沉淀或球化的退火。

适用于大冷作量后，以低温热处理稳定力学性能的产品。稳定化处理后，应力值稍有降低，塑性有所改善。该状态仅适用于不进行稳定化处理，在室温下就会自发软化的合金。“H3”后的数字表示稳定化处理前冷作硬化保留的程度。