碳纳米晶体管基本信息

中文名 碳纳米晶体管 外文名 Carbon Nanotub
作    为 沟道导电材料 制    作 晶体管

根据大小形状的不同,碳纳米管的属性可以分为金属型和半导体型两种。再将碳纳米管用做晶体管过程中,科学家们遇到的难题是人工制造的碳纳米晶体管是两种属性的混合体。这两种属性晶体管相互粘连呈线状或束状,这样就使碳纳米管用途大打折扣,因为只有半导体属性的碳纳米管才可以作为晶体管,而且当碳纳米晶体管两种属性粘连在一起时,金属性比半导体性还强。逐个处理碳纳米管的工作是缓慢而且繁琐的,但又没有实际的方法将金属型和半导体分开,这便成为将碳纳米管用作晶体管的最大障碍。2100433B

碳纳米晶体管造价信息

市场价 信息价 询价
材料名称 规格/型号 市场价
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行情 品牌 单位 税率 供应商 报价日期
单壁碳纳米管防静电环氧面漆A组分 FL1238A 查看价格 查看价格

嘉宝莉

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单壁碳纳米管防静电环氧面漆B组分 FL1238B 查看价格 查看价格

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单壁碳纳米管水性聚氨酯导静电面漆B组分 FL2313B 查看价格 查看价格

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单壁碳纳米管水性聚氨酯导静电面漆A组分(中灰淡灰) FL2313A 查看价格 查看价格

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单壁碳纳米管水性聚氨酯导静电面漆A组分(淡绿) FL2313A 查看价格 查看价格

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无机纳米陶瓷涂料(外墙) 包工包料,不含腻子层,一底两面.单组份自干型、水性、硬度2-3H、防火等级A级、防霉等级0级、耐人工气候老化≥800h、耐沾污性≤6%、耐碱性>160h,耐水性>160h. 查看价格 查看价格

爱比釉

13% 广西齐全新材料科技有限公司
无机纳米陶瓷涂料(内墙) 包工包料,不含腻子层,一底两面.单组份自干型、水性、硬度2-3H、防火等级A级 、防霉等级0级、水蒸气透过率>1400g/m2/天、VOC≤ 35g/L、甲醛含量0、苯系物总含量0、重金属含量(铅、镉、铬、汞)0、烷基酚聚氧乙烯醚含量0. 查看价格 查看价格

爱比釉

13% 广西齐全新材料科技有限公司
纳米水性塑胶跑道 1 查看价格 查看价格

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材料名称 规格/型号 除税
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行情 品牌 单位 税率 地区/时间
自发电一焊机 305A 查看价格 查看价格

台班 韶关市2010年8月信息价
二氧化碳气保护焊机 电流250A 查看价格 查看价格

台班 汕头市2012年1季度信息价
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台班 汕头市2011年4季度信息价
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二氧化碳气保护焊机 电流250A 查看价格 查看价格

台班 广州市2009年4季度信息价
材料名称 规格/需求量 报价数 最新报价
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供应商 报价地区 最新报价时间
晶体管图示仪 BJ4811A|10台 1 查看价格 成都天大仪器设备有限公司 四川  成都市 2015-12-20
晶体管测试仪 HP3326A|10台 1 查看价格 北京无线电仪器厂 北京  北京市 2015-12-18
晶体管图示仪 XJ-4810A|5台 1 查看价格 成都天大仪器设备有限公司 四川  成都市 2015-10-21
晶体管话筒U87Ai 技术指标: 声音工作原理:压力梯度传感器 指向性:全向性,心型,8字型 频响:20Hz-20KHz 灵敏度(1KHz-1KOHM):20/28/22mVPa × 输出阻抗:200ohms 负载阻抗:1000ohms 灵敏度(CCIR486-3):26/23/25dB-A× 灵敏度(DIN/IEC 651):15/12/14dB-A× S/N比(CCIR 486-3):68/71/69dB× S/N比(DIN/IEC 651):79/82/80dB× 最大声压级(THD小于0.5%):117dB(心型) 最大声压级(THD 小于0.5%,预衰减):127dB 最大输出电压:390Mv 麦克风传感器(DIN/IEC651)动态范围:105dB 电压:48v+4V 电流:0.8mA 接头:XLR3F 重量:500克 直径|2只 1 查看价格 北京乐城仕国际科技有限公司 重庆  重庆市 2018-07-02
晶体管图示仪 DW4822|4台 1 查看价格 成都天大仪器设备有限公司 四川  成都市 2015-10-22
晶体管图示仪 8J4830|4台 1 查看价格 成都天大仪器设备有限公司 四川  成都市 2015-09-16
晶体管图示仪 BJ4814|4台 1 查看价格 成都天大仪器设备有限公司 四川  成都市 2015-08-12
晶体管图示仪 XJ-4810|5台 1 查看价格 成都天大仪器设备有限公司 四川  成都市 2015-04-07

第一个碳纳米晶体管(Carbon Nanotube Transistor)阵列,是由IBM的研究人员制造出来的, 利用这一突破性的晶体管技术,制造的芯片将比硅芯片更小更快。

碳纳米晶体管阵列所利用的碳纳米晶体管是有碳原子排列而成的微小圆柱体,比现在的硅晶体管小100倍,而且不用对他们逐个处理,即不用从大量的纳米光中去费力的寻找有用的电子属性个体。研究表明,碳纳米晶体管性能上可以和硅一争高低, 而且碳纳米晶体管可以制造的更小。在未来,硅芯片已经不能被制造得更小,因而必须寻找新的的制造计算机芯片的材料,碳纳米晶体管将是很好的选择。

碳纳米晶体管常见问题

  • 解释下碳纳米晶体管工作原理是啥?

    美国贝尔实验室科学家研究出仅是沙粒一百万分之一大小的纳米( n anometers)晶体管( t ransistor),这项新的突破对于发展低耗电量的细小电脑晶片,将扮演重要的角色。 电脑晶片将随着纳...

  • 碳纳米晶体管工作原理是什么

    晶体管工作原理是什么? 利用半导体的特性,每个管子工作原理个不同,你可以找机电方面的书看 下图中的S是指源极(Source),D是指漏极(Drain),G是栅极(Gate)。晶体管的工作原理其实很...

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碳纳米晶体管文献

纵向晶体管设计方案使晶体管尺寸缩小到50纳米 纵向晶体管设计方案使晶体管尺寸缩小到50纳米

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评分: 4.5

美国贝尔实验室采用一种革命性的设计方案用现有的半导体生产设备制造出了世界上最小的晶体管。该技术有可能使硅芯片继续向更小的尺寸发展,并使某些芯片的处理速度提高一倍。许多半导体专家认为现有的制

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纵向晶体管设计方案晶体管尺寸缩小到50纳米 纵向晶体管设计方案晶体管尺寸缩小到50纳米

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纵向晶体管设计方案晶体管尺寸缩小到50纳米

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【碳纳米概念股】碳纳米晶体管性能首次超越硅晶体管 美国研究人员6日宣布,他们成功制备出一种碳纳米晶体管,其性能首次超越现有硅晶体管,有望为碳纳米晶体管将来取代硅晶体管铺平道路。

硅是目前主流半导体材料,广泛应用于各种电子元件。但受限于硅的自身性质,传统半导体技术被认为已经趋近极限。碳纳米管具有硅的半导体性质,科学界希望利用它来制造速度更快、能耗更低的下一代电子元件,使智能手机和笔记本电脑等设备的电池寿命更长、无线通信速率和计算速度更快。

A股上市公司中:

楚江新材(17.74 +1.37%,买入):旗下顶立科技在碳纳米管领域储备了充足的技术、产品和装备优势,目前正切入锂电池材料行业。

新纶科技(19.04 +0.63%,买入):投建了超薄高导热石墨烯/碳纳米管复合薄膜散热材料提升专项项目。

拓邦股份(14.08 +0.36%,买入):参股公司德方纳米致力于纳米材料制备技术开发直至产业化。

近日,美国研究人员成功制备出一种碳纳米晶体管,其性能首次超越现有硅晶体管,有望为碳纳米晶体管将来取代硅晶体管铺平道路。

硅是目前主流半导体材料,广泛应用于各种电子元件。但受限于硅的自身性质,传统半导体技术被认为已经趋近极限。碳纳米管具有硅的半导体性质,科学界希望利用它来制造速度更快、能耗更低的下一代电子元件,使智能手机和笔记本电脑等设备的电池寿命更长、无线通信速率和计算速度更快。

但长期以来,碳纳米管用作晶体管面临一系列挑战,其性能一直落后于硅晶体管和砷化镓晶体管。美国威斯康星大学麦迪逊分校研究人员在新一期美国《科学进展》杂志上介绍了他们克服的多重困难。

首先是提纯问题。碳纳米管内往往混杂一些金属纳米管,容易造成类似电子设备中的短路效应,干扰碳纳米管的半导体性能。但研究人员发明出一种高分子聚合物提纯技术,成功把碳纳米管中的金属纳米管含量降低至0.01%以下。

第二个挑战是碳纳米管的阵列控制极其困难。要获得性能良好的晶体管,必须按适当的顺序组合碳纳米管,使它们之间保持恰当的距离。为此,研究人员开发出一种叫“浮动蒸发自组装”的技术,解决了这一难题。

第三个挑战是碳纳米管必须与晶体管的金属电极保持良好的电接触。研究人员在提纯过程中使用的聚合物在碳纳米管与金属电极之间形成了绝缘层,为此他们把碳纳米管放入真空容器中“烘烤”去除绝缘层,并通过熔解的方法去掉残留杂质,从而保证了良好的电接触。

最终,研究人员获得的碳纳米晶体管的电流承载能力是硅晶体管的1.9倍,并在此基础上成功研制出2.54厘米见方的晶片。下一步,他们将努力把这一工艺扩展至商业生产水平。

研究负责人之一迈克尔·阿诺德教授在一份声明中说,这是一个“重大里程碑”,是推动碳纳米管在高速通信以及其他半导体电子技术方面应用的关键一步,有助于继续推进计算机行业有关性能的高速发展,尤其是在无线通信技术方面。

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