碳化硅金属-半导体双极型晶体管的研究
《碳化硅金属-半导体双极型晶体管的研究》是依托西安电子科技大学，由张玉明担任项目负责人的面上项目。
碳化硅金属-半导体双极型晶体管的研究基本信息
| 中文名 | 碳化硅金属-半导体双极型晶体管的研究 | 项目类别 | 面上项目 |
|---|---|---|---|
| 项目负责人 | 张玉明 | 依托单位 | 西安电子科技大学 |
宽禁带半导体材料碳化硅具有临界击穿电场大、饱和漂移速度大、热导率高的特点。因此，碳化硅器件具有传统材料器件无法比拟的优势。但是，由于材料特性及工艺水平的限制，普通结构的碳化硅双极晶体管开启电压偏高，电流增益偏低，且工作频率有限，这不仅限制了器件的开关和放大性能，而且阻碍了器件在射频应用领域的发展前景。针对以上问题，本项目提出对碳化硅金属-半导体双极型晶体管（4H-SiC MSBJT）的研究，利用新的器件结构降低开启电压，抑制界面陷阱效应，改善器件特性，实现碳化硅器件在射频功率应用领域的突破。主要研究内容围绕建立器件模型、探索器件工艺、优化材料生长工艺、实现功率封装等开展，完成芯片设计和仿真评估，并投片验证设计结果。
碳化硅金属-半导体双极型晶体管的研究造价信息
| 批准号 |
60876061 |
| 项目名称 |
碳化硅金属-半导体双极型晶体管的研究 |
| 项目类别 |
面上项目 |
| 申请代码 |
F0405 |
| 项目负责人 |
张玉明 |
| 负责人职称 |
教授 |
| 依托单位 |
西安电子科技大学 |
| 研究期限 |
2009-01-01 至 2011-12-31 |
| 支持经费 |
40（万元） |
碳化硅金属-半导体双极型晶体管的研究常见问题
-
一、单极型晶体管在目前使用的pnp或npn面结型晶体管的工作中，包括金属-氧化物-半导体晶体管在内的场效应晶体管，只需要一种载流子，这种晶体管就叫做单极晶体管。单极晶体管即场效应晶体管，因为场效应晶体...
-
乱七八糟的，现在三极管基本上是硅管，很少用锗管了。一般常见的都是硅三极管和硅二极管。去网上找个半导体器件命名手册，里面有根据型号识别的方法。
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碳化硅 SiC >99% 8000元/吨 以上 SiC <98% 3800-4200元/吨价格近期来不是很稳定，买卖都需慎重
碳化硅金属-半导体双极型晶体管的研究文献
第五章双极型晶体管开关特性
第五章双极型晶体管开关特性
第五章双极型晶体管开关特性 (2)
第五章双极型晶体管开关特性 (2)
碳化硅半导体材料、ilic}n carbide semiconductors 5iC 属W族化合物半导体。为共价键晶体，有闪锌矿型和铅锌矿 型两种结晶形式。密度.i . 2} I}m“二熔点283U}"-，本征电阻率 [L一0.7)i}wm},禁带宽度2.99一42.br}'。电子迁移率 3(10---9(1D}m'-I( V w )，介电常数9.72一10.32。采用艾奇逊 [Acheso耐法合成。硅过量时为n型半导体，碳过量时为p }1 半导体。
《国外电子与通信教材系列:碳化硅半导体材料与器件》是一本系统介绍碳化硅半导体材料及器件的专著，主要论述了SiC材料与器件中的相关基础理论，内容包括:SiC材料特性、SiC同质外延和异质外延、SiC欧姆接触、肖特基势垒二极管、大功率PiN整流器、SiC微波二极管、SiC晶闸管、SiC静态感应晶体管、SiC衬底材料生长、SiC深能级缺陷、SiC结型场效应晶体管，以及SiCBJT等。书中涉及SiC材料制备、外延生长、测试表征、器件结构与工作原理、器件设计与仿真、器件关键工艺、器件研制与性能测试，以及器件应用等多个方面。在论述这些基础理论的同时，重点总结了近年来SiC材料与器件的主要研究成果，以及今后的发展趋势。
双极型晶体管介绍
双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor)
双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度慢，输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。 晶体管:用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管.
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