中文名 | 碳化硅单晶片平整度测试方法 | 外文名 | Test methods for flatness of monocrystalline silicon carbide wafers |
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标准类别 | 方法 | 标准号 | GB/T 32278-2015 |
主要起草单位:北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所。
主要起草人:陈小龙、郑红军、张玮、郭钰。 2100433B
2015年12月10日,《碳化硅单晶片平整度测试方法》发布。
2017年1月1日,《碳化硅单晶片平整度测试方法》实施。
由于天然含量甚少,碳化硅主要多为人造。常见的方法是将石英砂与焦炭混合,利用其中的二氧化硅和石油焦,加入食盐和木屑,置入电炉中,加热到2000°C左右高温,经过各种化学工艺流程后得到碳化硅微粉。 碳化硅...
碳化硅 SiC >99% 8000元/吨 以上 SiC <98% 3800-4200元/吨价格近期来不是很稳定,买卖都需慎重
最好的棕刚玉硬度是不是比碳化硅硬度会高一些。好的棕刚玉氧化铝含量能达到96,所以硬度很高,由于它们的生产原材料不同,所以硬度也有差别,棕刚玉的莫氏硬度9.0.,而碳化硅则可以达到9.5,所以棕刚玉不能...
北京佐思信息咨询有限责任公司 Beijing OKOKOK Information Consulting Co.,Ltd 北京佐思 www.okokok.com.cn 地址:北京市海淀区长远天地 C座 3-502 #, 100080 碳化硅专利分析 -单晶,晶片和外延片制造研究报告 ——SiC Patent Analysis single crystal, wafer and epiwafer manufacturing 1772 patent families to support a $80M business in 2012 ⋯ 1772 PATENT FAMILIES TO SUPPORT A $80M BUSINESS IN 2012⋯ Despite a cumulative raw wafers + epi wafers market that won’t exceed
公路路面平整度测试方法的探讨——本文系统地归纳总结了我国目前主要的路面平整度测试方法,深入剖析了平整度测试中的几个误区,明确了国际平整度指数(IRI)、颠簸累计值(VBI)、标准差等主要平整度评价指标的实际意义,对工程技术人员更好地理解平整度检测有一定...