闪烁探测器用光电二极管试验方法内容简介

《闪烁探测器用光电二极管 试验方法(GB/T 23729-2009/IEC 62088:2001)》由中国标准出版社出版。

《闪烁探测器用光电二极管 试验方法(GB/T 23729-2009/IEC 62088:2001)》由中国标准出版社出版。

如图所示是二极管检波电路。电路中的VD1是检波二极管，C1是高频滤波电容，R1是检波电路的负载电阻，C2是耦合电容。

检波电路主要由检波二极管VD1构成。

在检波电路中，调幅信号加到检波二极管的正极，这时的检波二极管工作原理与整流电路中的整流二极管工作原理基本一样，利用信号的幅度使检波二极管导通，如图所示是调幅波形展开后的示意图。

从展开后的调幅信号波形中可以看出，它是一个交流信号，只是信号的幅度在变化。这一信号加到检波二极管正极，正半周信号使二极管导通，负半周信号使二极管截止，这样相当于整流电路工作一样，在检波二极管负载电阻R1上得到正半周信号的包络，即信号的虚线部分，见图中检波电路输出信号波形（不加高频滤波电容时的输出信号波形）。

检波电路输出信号由音频信号、直流成分和高频载波信号三种信号成分组成，详细的电路分析需要根据三种信号情况进行展开。这三种信号中，最重要的是音频信号处理电路的分析和工作原理的理解。

正向电阻设备介绍

半导体二极管又称晶体二极管，简称二极管(Diode)，它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结，两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。晶体二极管是一个由P型半导体和N型半导体烧结形成的PN结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于PN结两边载流子的浓度差引起的扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这电是常态下的二极管特性 。

正向电阻分类和性能

半导体二极管按材质可分为硅二极管和锗二极管；按用途可分为整流二极管、检波二极管、稳压二极管、发光二极管、光电二极管、变容二极管等，其示意图如图6、图7。

半导体二极管在电路中常用D加数字表示(现在要求用VD或V_D表示)，如D5(VD5，V_D5)表示编号为5的半导体二极管。在硅二极管的两极加上电压，并且电压大于0.6 V时才能导通，导通后电压保持在0.6～0.8 V之间。在锗二极管的两极加上电压，并且电压大于0.2 V时才能导通，导通后电压保持在0.2～0.3 V之间。

半导体二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小：而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。

正向电阻识别方法

二极管的识别方法如下：

(1)目视法判断半导体二极管的极性，一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接看出半导体二极管的正负极，在实物中如果看到一端有颜色标示，则是负极，另外一端是正极。

(2)用万用表(指针表)判断半导体二极管的极性：通常选用万用表的欧姆挡(R×100或R×1k)，然后用万用表的两表笔分别接到二极管的两个极上，当二极管导通时，若测得阻值较小(一般在几十欧姆至几千欧姆之间)，这时黑表笔接的是二极管的正极。红表笔接的则是二极管的负极。当测得阻值很大(一般为几百至几千欧姆)，这时黑表笔接的是二极管的负极，红表笔接的则是二极管的正极。

注意：在用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值。这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。半导体二极管的品质判别：用万用表(指针表)R×100或R×1 k挡测量二极管的正、反向电阻，要求正向电阻在1 kΩ左右。反向电阻应在100 kΩ以上。总之，正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。若正向电阻无穷大，说明二极管内部断路；若反向电阻为零，表明二极管已击穿；内部断开或击穿的二极管均不能使用 。2100433B