由于湿敏陶瓷为多孔材料,界面接触主要以点接触为主,这样使n型和p型半导体陶瓷的晶粒内部和表面正负离子所处的状态不同。内部离子对称包围,而表面离子则处于未受异性离子屏蔽的不稳定状态,其电子亲和力发生了变化,表现为表面附近能带上弯(n型)或下弯(p型),在半导体陶瓷晶粒接触处产生双势垒曲线,如下图《半导体的表面势》所示。由于晶粒界面势垒的存在,晶粒界面的电阻比晶粒内部大得多。当湿敏陶瓷晶粒晶界处吸收水分子时,由于水分子是一-种强极性物质,其分子结构不对称,在氢原子的一侧具有很强的正电场,使得表面吸附的水分子可以从半导体表面吸附的O2或O中吸取电子,甚至从满带中直接俘获电子。因此将引起晶粒表面电子能态的变化,从而导致晶粒表面电阻和整个元件的电阻变化。对于p型半导体,主要表现为表面俘获电子,形成表面束缚态的负空间电荷,而在表面内层形成自由态的正电荷,该正电荷被氧的施主能级所俘获,使氧的施主能级密度下降,使下弯的能级变平,耗尽层变薄,表面载流子密度增加,电阻率下降 。
质子导电理论把分子在晶粒表面的吸附分为三个阶段:第一阶段少量水分子在晶粒之间的颈部吸附,表面化学吸附水的一个羟基首先与高价阳离子结合,水离解出的H 与表面的氧离子形成第二个羟基,羟基解离后的质子由一个位置向另一个位置移动,形成了质子导电;第二阶段是水分子物理吸附在羟基上,形成多分子吸附层,由于水分子的极化,相对介电常数增加,导致离解水分子的能量增高,促进了水分子的离解;第三阶段,不仅在颈部的凹面,而且在平表面也吸附了大量水分子,在两极间形成了连续电解质层,导致电导率随含水量的增加而增加。
这是一类研究最多、应用最广的湿敏陶瓷材料。典型的瓷料是MgCrzO系统,其主要晶相是MgCr2O。TiO作为掺杂改性成分 。
电容型湿度传感器是利用其电容量和湿度呈线性关系而受到重视,Al2O3膜很容易吸附水汽。多孔氧化铝的相对介电常数为1~10,空气的相对介电常数约等于1,水的相对介电常数约为80。可见,当水汽代替介质中孔内的空气时,介质的相对介电常数将发生很大变化,因而引起元件的电容量变化。Al2O3膜在20世纪70年代采用厚膜技术制备,即介质是采用相对介电常数近70的陶瓷细粉印刷而成,它的传感性能较好,同时具有体积小、可靠性高、成本低、易于和其他厚膜元件.集成电路相配合等优点。近年来,随着薄膜集成电路的应用和镀膜技术的发展,氧化物和其他化合物也能形成镀膜,因而研制成了薄膜型湿度传感器。电容型湿敏陶瓷材料有Al2O3、Ta2O3、Nb2O5、CaF、TaN等。
当前,这种类型的湿度传感器已较少应用。感湿体是以Al2O膜为介质的阻抗元件。它是在厚为0.38 mm的高纯铝金属板上,采用阳极氧化的方法,在铝极表面形成Al2O3膜,再经185摄氏度、16h的热处理而制成的。
采用化学沉淀法合成了纯氧化 钛,采用化学共沉淀法合成了锑掺杂氧化钛。用X—射线衍射、透射电镜和电子衍射对材料的物相和微结构进行了分析;采用静态配气法测试了材料的气敏性能。实 &...
以湿敏电阻为敏感元件的二次电路要比湿敏电容简单些。
胜群湿度感器一、产品特点:北陆湿敏电阻(北陆湿度传感器)是在导电半导体陶瓷基片上涂履一层高分子感湿膜, 与空气中相对湿度变化导致电阻值系数变化原理。具有稳定性、一致性好、体积小、高精度、低飘移、迟滞小...
从陶粒湿屋面的概念和隔热机理分析入手,介绍了陶粒湿屋面的构造做法。并通过工程实例说明陶粒湿屋面夏季具有明显的隔热降温作用,同时,还可以有效地减小夏季作用在屋面防水层上的温度振幅,延缓防水层的老化、延长使用寿命,减缓城市排污系统的压力,使建筑与自然环境相协调。
指电导率随湿度呈明显变化的陶瓷。如四氧化三铁、氧化钛、氧化钾-氧化铁、铬酸镁-氧化钛及氧化锌-氧化锂-氧化钒等系统的陶瓷。它们的电导率对水特别敏感,适宜用作湿度的测量和控制。
近来,控制系统已经愈益系统化,需要能够检测两种或几种物理和化学参数,并给出互不干扰电信号的多功能敏感元件。适应这种需要的湿度-气体敏感陶瓷和温度-湿度敏感陶瓷等多功能敏感陶瓷正在研制中。
热敏陶瓷是对温度变化敏感的陶瓷材料。它可分为热敏电阻、热敏电容、热电和热释电等陶瓷材料。在种类繁多的敏感元件中,热敏电阻应用最广。热敏电阻是一种电阻值随温度变化的电阻元件(或称电阻器)。
热敏电阻按阻值随温度变化不同,分为正温度系数热敏电阻、负温度系数热敏电阻、临界温度系数热敏电阻和线性热敏电阻四大类。阻值随温度升高而增加的电阻称正温度系数(PTC)热敏电阻,相反,则称为负温度系数(NTC)热敏电阻。阻值随温度变化呈直线的热敏电阻称线性热敏电阻,阻值随温度变化呈指数(或对数)关系的称非线性热敏电阻。在非线性热敏电阻中,有一类其阻值在一个很窄的温度范围内可变化(上升或下降)几个数量级,称为临界温度系数热敏电阻或开关型热敏电阻 。
热敏电阻主要用作电路温度补偿元件。金属氧化物制成的半导体陶瓷热敏电阻,以氧化钒为主体的玻璃热敏电阻,硅、锗单晶热敏电阻,用V2O3、P2O5、 SiO2、BaO、SrO、CaO等氧化物合成的临界热敏电阻(CTR)和以钛酸钡为主体的正温度系数热敏电阻。近年来,随着硅元件平面工艺的成熟与集成技术的发展,出现了碳化硅单晶碳化硅薄膜热敏电阻等。