SLC MLC

“SLC特训系统”是中国校园健康行动学生健康安全教育办公室秘书长梁钟联合众多教育、军事、救援和培训专家为中国青少年特制的一套科学有效的训练系统，也是京都特训营的核心教程。主要通过“生存”、“励志”和“超越”三个方面的素质教育和科学培训，帮助受训对象树立正确的人生观，掌握生存技能，激发成才动力，构建和谐健康的亲子关系、师生关系和人际关系，让青少年在珍爱生命健康成长的基础上励志成才，最终实现超越自我超越梦想的目标。

SLC MLC课程简介

“生存”课程

“生存” ，是一切的前提。当前，由于社会发展、环境改变等诸多因素影响，我国学生的综合素质现状不容乐观。数据显示：我国每年约有1.6万名中小学生非正常死亡，平均每天有40多名学生死于食物中毒、溺水、交通事故等意外事件；环境变化引起自然灾害频发，社会因素引起的校园暴力事件频发；特别是近几年来一些重大灾害和事故中，学生伤亡惨重！而且一些隐藏在学生日常生活中的人生观、价值观扭曲，心理健康问题和各种安全隐患问题凸显！这些血的教训警示我们：加强青少年的自护自救教育和生存技能培训已经刻不容缓！

SLC MLC“励志”课程

“励志”，是一门学问，不仅仅是要激活一个人的财富欲望，更要激活一个人的生命能量，唤醒一个民族的创造热情。励志，并不是让弱者取代另一个人成为强者，而是让一个弱者能与强者比肩，拥有实力相当的生命力和创造力。励志，即是唤醒一个人的内在潜能。惟有从内心深处展开的力量，用心灵体验总结出的精华，才是一个人真正获得尊严和自信的有效途径。

SLC MLC“超越”课程

“超越”，是从劣势向优势转化的临界状态，从量变到质变的微妙平衡点。超越，就是认识自我，敢于挑战自我，战胜自我，超越自我，超越他人而走向成功的过程。超越是指一个人能够突破自身的局限性及时空的限制，与时俱进的正确认识客观规律，掌握规律，并在正确判断事物发展趋势后做出科学的决策的一种思维方式。超越是一个很高的境界，只有能实现自我超越的人，才能在改造主观世界的同时改造客观世界，才能在为社会造福的同时实现自我的梦想和价值。

SLC MLC课程原则

以人为本

因材施训

寓教于乐

激发潜能

Software Licens Code 软件许可码，即软件注册码和授权机制。2100433B

存储单元分为两类：SLC（Single-Level Cell 单层单元）和MLC（Multi-Level Cell多层单元）。此外，SLC闪存的优点是复写次数高达100000次，比MLC闪存高10倍。此外，为了保证MLC的寿命，控制芯片都校验和智能磨损平衡技术算法，使得每个存储单元的写入次数可以平均分摊，达到100万小时故障间隔时间(MTBF)。

对MLC和SLC两大架构现在网上存在一个普遍的认识误区，那就是大家都认为MLC架构的NAND闪存是劣品，只有SLC架构的NAND闪存才能在质 量上有保障。我们先来回忆一下MLC的发展历程以及SLC目前的发展状况再来给这个假设做定论吧。

MLC技术开始升温应该说是从2003年2月东芝推出了第一款MLC架构NAND Flash开始，当时作为NAND Flash的主导企业三星电子对此架构很是不屑，依旧我行我素大力推行SLC架构。第二年也就是2004年4月东芝接续推出了采用MLC技术的4Gbit和 8Gbit NAND Flash，显然这对于本来就以容量见长的NAND闪存更是如虎添翼。三星电子长期以来一直倡导SLC架构，声称SLC优于 MLC，但该公司于2004和2005年发表的关于MLC技术的ISSCC论文却初步显示它的看法发生了转变。三星在其网站上仍未提供关于MLC闪存的任 何营销材料，但此时却已经开发出了一款4Gbit的MLC NAND闪存。该产品的裸片面积是156mm2，比东芝的90nm工艺MLC NAND闪存大 了18m㎡。两家主流NAND闪存厂商在MLC架构上的竞争就从这时开始正式打响了。除了这三星和东芝这两家外，现在拥有了英特尔MLC技术的IM科技公司更是在工艺和MLC上都希望超越竞争对手，大有后来者居上的冲劲。MLC技术的竞争就这样如火如荼地进行着。

另一方面我们再来看看SLC技术，存取原理上SLC架构是0和1两个充电值，即每Cell只能存取1bit数据，有点儿类似于开关电路，虽然简单但却 非常稳定。如同电脑的CPU部件一样，要想在一定体积里容纳更多的晶体管数，就必须提高生产工艺水平，减小单晶体管体积。目前SLC技术受限于低硅效率问 题，要想大幅度提高制程技术就必须采用更先进的流程强化技术，这就意味着厂商必须更换现有的生产设备，投入大不说而且还是个无底洞。而MLC架构可以一次 储存4个以上的充电值，因此拥有比较好的存储密度，再加上可利用现有的生产设备来提高产品容量，厂商即享有生产成本上的优势同时产品良率又得到了保证，自然比SLC架构更受欢迎。

既然MLC架构技术上更加先进，同时又具备成本和良率等优势，那为什么迟迟得不到用户的认同呢。除了认识上的误区外，MLC架构NAND Flash 确实存在着让使用者难以容忍的缺点，但这都只是暂时的。为了让大家能更直观清楚地认识这两种架构的优缺点，我们来做一下技术参数上的对比。

首先是存取次数。MLC架构理论上只能承受约1万次的数据写入，而SLC架构可承受约10万次，是MLC的10倍。这其中也存在一个误区，网上很多媒体都有写MLC和SLC知识普及的文章，笔者一一拜读过，可以说内容不够严谨，多数都是你抄我我抄你，相互抄来抄去，连错误之处也都完全相同，对网友很不负责。就拿存取次数来说吧，这个1万次指的是数据写入次数，而非数据写入加读取的总次数。数据读取次数的多寡对闪存寿命有一定影响，但绝非像写入那样严重，这个寿命值正随着MLC技术的不断发展和完善而改变着。MLC技术并非一家厂商垄断，像东芝（Toshiba）已生产了好几代MLC架构NAND闪存，包括前不久宣布和美国SanDisk公司共同开发的采用最先进56nm工艺的16Gb（2gigabyte）和 8Gb（1gigabyte）MLC NAND闪存，16Gb是单芯片的业内最大容量。

东芝在MLC闪存设计方面拥有经验与技术，去年东芝利用90nm工艺与三星的73nm产品竞争。东芝90nm MLC闪存的位密度达 29 Mbits/ mm2，超过了三星的73nm闪存（位密度为25.8 Mbits/mm2）。对于给定的存储密度，东芝闪存的裸片面积也比三星的要小。例如东芝的4-Gbit 90nm NAND裸片面积是138 mm2，而三星的4-Gbit 73nm NAND裸片面积是156 mm2，这使东 芝在成本方面更具竞争力。三星方面现在正奋起直追，与东芝之间的竞争异常激烈。再加上IMFT、海力士等厂商的参与，MLC技术发展势头迅猛，今天 MLC NAND Flash写寿命还只有1万次，明天也许就会是2万次、3万次甚至达到与SLC同等级别的10万次，这是完全有可能的。

拿MLC NAND Flash的写寿命我们一起来算笔帐，假如近期笔者购买了一款2GB容量MP3播放器，闪存是东芝产的MLC架构 NAND Flash，理论上只能承受约1万次数据写入。笔者是个疯狂的音乐爱好者，每天都要更新一遍闪存里的歌曲文件，这样下来一年要执行365次数据写入，1万次可够折腾至少27年的，去除7年零头作为数据读取对闪存寿命的损耗，这款MP3播放器如果其它部件不出问题笔者就可以正常使用至少20年。 20年对于一款电子产品有着怎样的意义？就算笔者恋旧，也不可能20年就用一款MP3播放器吧。况且就算是SLC架构，闪存里的数据保存期限最多也只有 10年，1万次的数据写入寿命其实一点儿也不少。

其次是读取和写入速度。这里仍存在认识上的误区，所有闪存芯片读取、写入或擦除数据都是在闪存控制芯片下完成的，闪存控制芯片的速度决定了闪存里数据 的读取、擦除或是重新写入的速度。可能你会拿现成的例子来辩驳，为什么在同样的控制芯片、同样的外围电路下SLC速度比MLC快。首先就MLC架构目前与 之搭配的控制技术来讲这点笔者并不否认，但如果认清其中的原因你就不会再说SLC在速度方面存在优势了。SLC技术被开发的年头远早于MLC技术，与之相 匹配的控制芯片技术上已经非常成熟，笔者评测过的SLC产品数据写入速度最快能达到9664KB/s（ KISS KS900），读取速度最快能达到13138KB/s（ mobiBLU DAH-1700）， 而同样在高速USB2.0接口协议下写入速度最慢的还不足1500KB/s，读取速度最慢的也没有超过2000KB/s。都是SLC闪存芯片，都是高速 USB2.0接口协议，为什么差别会如此大。笔者请教了一位业内资深设计师，得到的答案是闪存控制芯片效能低，且与闪存之间的兼容性不好，这类产品不仅速 度慢而且在数据操作时出错的概率也大。这个问题在MLC闪存刚投入市场时同样也困扰着MLC技术的发展，好在去年12月我们终于看到了曙光。这就是擎泰科技（Skymedi Corporation）为我们带来的新一代高速USB2.0控制芯片SK6281及SD 2.0/MMC 4.2的combo快闪 记忆卡控制芯片SK6621，在MLC NAND闪存的支持与速度效能上皆有良好表现。其所支持的MLC芯片已经达到了Class4的传输速度。

MLC NAND Flash自身技术的原因，只有控制芯片效能够强时才能支持和弥补其速度上的缺点，支持MLC制程的控制芯片需要较严格的标准，以充分发挥NAND闪存芯片的性能。擎泰科技所推出的系列控制芯片经过长时间可靠性测试及针对不同装置兼容性进行的比对较正，已能支持目前市场主流的MLC 闪存，如英特尔JS29F16G08CAMB1、JS29F08G08AAMB1，三星K9G4G08U0A、K9G8G08U0M、 K9LAG08U0M、K9HBG08U1M，东芝TC58NVG2D4CTG00、TC58NVG3D4CTG00、TH58NVG4D4CTG00， 美光（Micron）、海力士（Hynix）等等。此外，藉由良好的韧体设计，可大幅提升性能，达到最高的存取速度，例如：SK6621支持MLC可到 Class4水准，其所支持SLC皆可支持到Class6的传输速度。SK6281还达到了Vista ReadyBoost速度的需求 （Enhanced for Windows ReadyBoost），且支持单颗MLC时可达22MB/s的读取速度及6MB/s的写入速度，综合下来 并不比SLC慢多少。你手上的MP3播放器USB传输速度慢并不全是因为闪存芯片采用了MLC架构，它与控制芯片的关系要更加密切一些。

第三是功耗。SLC架构由于每Cell仅存放1bit数据，故只有高和低2种电平状态，使用1.8V的电压就可以驱动。而MLC架构每Cell需要存 放多个bit，即电平至少要被分为4档（存放2bit），所以需要有3.3V及以上的电压才能驱动。最近传来好消息，英特尔新推出的65纳米MLC写入速 度较以前产品提升了二倍，而工作电压仅为1.8V，并且凭借低功耗和深层关机模式，其电池使用时间也得到了延长。

第四是出错率。在一次读写中SLC只有0或1两种状态，这种技术能提供快速的程序编程与读取，简单点说每Cell就像我们日常生活中使用的开关一样， 只有开和关两种状态，非常稳定，就算其中一个Cell损坏，对整体的性能也不会有影响。在一次读写中MLC有四种状态（以每Cell存取2bit为例）， 这就意味着MLC存储时要更精确地控制每个存储单元的充电电压，读写时就需要更长的充电时间来保证数据的可靠性。它已经不再是简单的开关电路，而是要控制 四种不同的状态，这在产品的出错率方面和稳定性方面有较大要求，而且一旦出现错误，就会导致2倍及以上的数据损坏，所以MLC对制造工艺和控制芯片有着更 高的要求。目前一些MP3主控制芯片已经采用了硬件4bit ECC校验，这样就可以使MLC的出错率和对机器性能的影响减小到最低。

第五是制造成本。为什么硬盘容量在成倍增大的同时生产成本却能保持不变，简单点说就是在同样面积的盘片上存储更多的数据，也就是所谓的存储密度增大 了。MLC技术与之非常类似，原来每Cell仅存放1bit数据，而现在每Cell能存放2bit甚至更多数据，这些都是在存储体体积不增大的前提下实现的，所以相同容量大小的MLC NAND Flash制造成本要远低于SLC NAND Flash。

综上所述，MLC技术是今后NAND Flash的发展趋势，就像CPU单核心、双核心、四核心一样，MLC技术通过每Cell存储更多的bit来实 现容量上的成倍跨越，直至更先进的架构问世。而SLC短期内仍然会是市场的佼佼者，但随着MLC技术的不断发展和完善，SLC必将退出历史的舞台。

SLC(信令链路编码)

某个方向上的信令链路一般都编成一个组，叫信令链路组。这条信令链路在这个组中的号码就是SLC。SLC号是做数据的时候工程人员定义的。

MLC多功能轻质混凝土第一节

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MLC多功能轻质混凝土是一种内部含有大量细小、封闭、均匀分布的多孔性材料，其内形成大量密集均匀分布的微小气孔，而气孔内有大量的空气存在，空气与其它材料相比，导热性能是最差的，其导热系数仅为0.06-0.2 w/m.k,所以大大降低了它的导热性能,又因气孔互不连通呈封闭状态,不能形成空气的对流循环,同时砼内部被气孔所隔离,而且各球形气孔为固化的水泥浆膜包围,界面增加对热能穿透能力形成很大阻力,且具有轻质、高强、保温、隔热、隔音、抗水减震等特性。所以其保温、隔热的原理是通过封闭的气孔来阻止热量传递及扩散。 ·

MLC多功能轻质混凝土第二节

产品的性能

二、轻质高强 减轻自重 ht泡沫混凝土的容重为300—1200kg/m3，可以根据施工现场的实际情况及用户或使用场所的荷载要求灵活调制，其相应的抗压强度也按需要控制在0.25—5.0Mpa,特殊要求可以提供强度为15Mpa的高强泡沫混凝土。

三、低弹减震 有效填充 ht泡沫混凝土的多孔性使其具有低的弹性模量，从而使对冲击荷载具有良好的吸收和分散作用。

MLC多功能轻质混凝土第三节

产品的应用范围 基于产品具有以上特性，广泛用于工业与民用建筑物的屋面保温、隔热，在严寒及炎热地区用于填充外墙的墙体材料，既具有普通墙体材料的性能，更具有保温隔热的功能，也可用建筑物的结构填充，包括建筑物地下室、卫生间，减少建筑物结构自重及减小墙体厚度，同时增加使用面积，增加空间利用率，还可用于刚性结构的底层衬垫工程。

MLC多功能轻质混凝土第四节

产品的优越性 ·

一、施工阶段HT MLC多功能轻质混凝土搅拌时具有良好的流动性，浇筑时无需任何振捣，任意成型，省工、省时、省力，施工简单快捷，运输轻巧，与普通混凝土的施工条件基本相同 。

二、结构功能HT MLC多功能轻质混凝土与防水层倒置式复合结构，将保温隔热和防水两个功能有机地结合在一起，使整体既具有保温功能又具有防水抗渗功能。上层泡沫混凝土有效地隔离了阳光与下层防水材料的直接接触，同时降低了防水层的使用温度，从而使防水层避免了老化的问题，增强了防水工程的长久可靠性。

三、新老保温隔热的对比 ·

a、采用珍珠岩作保温隔热层 ·

该做法采用1：8水泥膨胀珍珠岩作保温隔热层，其厚度一般在8cm-20 cm之间，面层再加40mm厚C20细石钢筋混凝土作保护层，内配Ø4双向@200的冷拔丝，其缺点有以下几点：

· 1、珍珠岩易吸水、强度低，在施工过程中必须按规范设置排气管及排气孔。在施工保护层时砼中部分水份渗入珍珠岩中被它吸收，待气温升高时，珍珠岩中吸收的水份经过升温产生水蒸汽，而面层为40mm厚细石砼保护层，其水蒸汽逐步形成一种压力，慢慢渗透到防水卷材，通过防水卷材渗透到结构层中，从而使屋顶天棚面产生小水珠，影响顶棚的装饰，使室内湿度明显增大。

· 3、在施工细石砼时必须按设计要求绑扎钢筋网片，一般为6 m×6m的网格，且钢筋必须断开，不能贯通，同时板块之间必须留20cm宽的温度伸缩缝，缝深至底层，增加施工难度。

4、该做法施工周期较长，分二次进行，工程造价较高。

b.采用泡沫板及聚苯乙烯板做保温隔热层 该做法主要用于倒置式屋面，必须先施工好防水层，再在防水层上铺设泡沫板保温层，绑扎钢筋，然后再搭设施工通道浇筑C20细石砼。它的弱点与珍珠岩基本相同。

c、采用现场发泡聚苯乙烯作保温隔热层 它的弱点与珍珠岩类似，其造价更高，且与四周屋顶女儿墙交接部位处理较难，很难达到平整的目的。

d、采用预制隔热板作架空层来隔热 该做法要已施工完毕的防水层上立200 mm高空心砖礅，再铺上预制隔热板，其原理架空形成空气对流，只能隔热不保温，且隔热效果不太明显，随着时间的推移，需更新，返修。

以上四种常规做法中其自重荷载一般为100kg/m2，而采用ht型泡沫砼其自重为30—72kg/m2之间任意调整，它的容重为300—1200kg/m3，大大减轻结构自重，更有效地降低屋顶结构造价。 以上四种做法中防水层仅能置于保温层之下，而采用ht泡沫砼作保温隔热层，防水层既可置于保温层之下也可置于保温层之上，它还可以代替建筑找坡，减少一道水泥砂浆找平层。

MLC多功能轻质混凝土第五节

ht泡沫砼与传统保温隔热对照表 ·

序号 隔热方式对比项 珍珠岩 聚苯乙烯泡沫板 挤塑板 预制隔热板 聚氨酯发泡 HT MLC多功能轻质混凝土1 能否代替找坡 不能 不能 不能 不能 不能 能

2 吸水性 吸水率大,水分积累在珍珠岩内 施工保护层时,水分会渗入防水层上,保留在其内 施工保护层时,水分会渗入防水层上,保留在其内 板缝之间可渗水 施工保护层时,水份不会渗入防水层内 通过水泥水化,可消耗自身水分

3 直接投入 增加保护层,找坡层 增加保护层,找坡层 增加保护层,找坡层 增加找坡层 增加保护层,找坡层 整体现浇一次成型

4 荷载 150-160 kg/m2 146-158 kg/ m2 144-156 kg/ m2 160-166 kg/ m2 146-158 kg/ m2 33-72 kg/ m2

5 工期 工序多,慢 工序多,慢 工序多,慢 工序多,慢 工序多,慢 工序少,快

6 隔热效果 内外温差 5-6℃ 内外温差 7-8℃ 内外温差 7-8℃ 靠空气对流，隔热效果差，不保温 内外温差 7-8℃ 内外温差 7-8℃

7 后续费用 保护层表面易产生裂缝 保护层表面易产生裂缝 保护层表面易产生裂缝 保护层表面易产生裂缝 返修极不方便 一次成型，表面基本无裂缝，费用少

8 结语 不太可靠，返修率高，成本高，自重大，利用率小 可靠但成本高 可靠但成本高 不太可靠，隔热效果差，成本高，空间利用小，不能上人 可靠，但成本高，施工时对四周造成污染，成品保护困难． 可靠，费用少，工期短，适合多种保温隔热，重量轻，屋面及空间利用率大

变焦类型：定焦

调焦方式：中央调焦

棱镜系统：屋脊(P镀膜涂层-消除色散及鬼影)...

产品用途：观鸟、观景

物镜口径：56mm

出瞳直径：3.7mm

出瞳距离：13mm

瞳距调节：59-72mm

最近焦距：8m

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