在正常情况下,这些PN结都是反偏的,电流只能受控向一个设计方向流动,反向则处于高阻状态。在特殊情况下如:输出端有较大电压过冲、输入端存在过高ESD 电压以及器件通电前有低内阻信号加在输入端上等,换句话说,耦合至器件IO的ESD、浪涌电压或噪声尖峰所产生的任何过高的电压瞬变,都有可能使带电粒子越过PN结势垒,从而触发这个寄生可控硅--这是一种物理上的单粒子效应,或者因加在寄生可控硅两端过高的电压瞬变dv/dt值也会导致寄生可控硅的触发(这也是触发可控硅导通的一种方法)。而触发一旦发生会导致一个再生过程而引起电荷注入,从而使寄生可控硅的导通维持下去,其较低的内阻会导致很大的内部短路电流,轻则锁死电路使器件无法工作,重则摧毁器件甚至供电回路等,这种现象就是所谓的闩扣现象。

闩扣现象一旦发生,撤除的办法只能是降低寄生可控硅的导通电流使其脱离自维持导通状态如采取断电等措施,对系统的影响重大。所以,良好的电路设计包括采取有效的ESD抑制手段等是电路可靠性保障中的重要一环。

闩扣效应造价信息

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从CMOS电路说起。CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor互补金属氧化物半导体的简称,是当今主流IC制造工艺。因为采用参杂制造工艺的原因,CMOS电路中必然存在一种PNPN的4层结构,这种结构恰好与可控硅的4层结构类似,故同样具有可控硅的传输特性,所以称之为寄生可控硅。

闩扣效应特征常见问题

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闩扣效应特征文献

万山特区铁门闩碳酸锰矿床特征及成因浅析 万山特区铁门闩碳酸锰矿床特征及成因浅析

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铁门闩碳酸锰矿受控于地层层位 ,呈层状、似层状、透镜状沿震旦系下统大塘坡组一段 (Z1d)富含有机质炭质页岩下部顺层产出。根据含锰岩系特征 ,矿体形态规模 ,矿石质量的分析研究 ,该锰矿床应属浅海沉积型碳酸锰矿。

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推闩式外开门使用手册 推闩式外开门使用手册

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推闩式外开门使用手册 建筑安全疏散的性能设计是建筑防火整体性能设计的重; 首先应确定安全疏散设计的目标 , 综合考虑安全疏散的;但是目前人们安全疏散意识不强 ,疏散通道往往被人为堵塞;在许多建筑 设计中 ,人们往往忽视安全疏散的防火措施;而从我国消防规范以及建筑规范中 ,也没有十分明 确规。 建筑安全疏散的性能设计是建筑防火整体性能设计的重要组成部分 ,安全疏散性能设计。 首先应确定安全疏散设计的目标 ,综合考虑安全疏散的设计以提供合理的疏散方法与其他 安全防护措施 ,以保证建筑尤其是高层建筑中的所有人员在紧急情况下迅速疏散。 但是目前人们安全疏散意识不强 ,疏散通道往往被人为堵塞 ,许多高层建筑为了达到防盗之 目的 ,甚至把安全疏散通道门锁牢 ,达不到安全疏散的要求 ,导致群死群伤恶性事故累有发生。 在许多建筑设计中 ,人们往往忽视安全疏散的防火措施 ,而用户只求经济效益 ,尽量降低造

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横杆门闩电路(crossbar latch),也被称作分子横杆门闩电路(molecular crossbar latch),是一个跟现有的硅晶体管相似的纳米级的设备,但物力上更小。

横杆门闩电路(crossbar latch),也被称作分子横杆门闩电路(molecular crossbar latch),是一个跟现有的硅晶体管相似的纳米级的设备,但物力上更小,其直径大约等于2纳米(nm,1 nm = 10 -9 m)。横杆门闩电路预期会在纳米计算机中采用,它可能在某一天取代现在的计算机芯片。由于横杆门闩电路比任何功能的晶体管都小,因此工程师希望可以用它制造比今天的计算机处理速度更快和更强大的电脑。

此项技术由加利福尼亚门洛帕克的Phillip J. Kuekes发明,他于2003年7月获得了专利权。此专利已转让给HP公司。

最常用的是圆盘形二孔或四孔(又称平扣)钮扣的缝钉。通过各种专用钉扣机附件的替换,一台钉扣机可以缝钉带柄扣、金属扣、子母扣、缠脚扣、风纪扣等各类钮扣,用户可根据需要请设备供应商提供钉扣机的专用附件。

“门闩式式快速夹钳”是快速夹钳十二个类别、五百多个系列产品中的一个类别。此类别品种目前已发展到近三十个品种,最小品种的夹持力为150公斤、最大品种的夹持力为3400公斤,基本能满足工业各界的需求。此产品名称的由来:是它夹紧工件的方式,犹如门闩的形式和功能。此产品目前已广泛应用于工业各界产品需要固定锁紧的场合,如某些模具,在上下模合模后的固定锁紧等,且有部分品种已被某些工业设备设计成其中的标准部件之一。

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