从CMOS电路说起。CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor互补金属氧化物半导体的简称，是当今主流IC制造工艺。因为采用参杂制造工艺的原因，CMOS电路中必然存在一种PNPN的4层结构，这种结构恰好与可控硅的4层结构类似，故同样具有可控硅的传输特性，所以称之为寄生可控硅。
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在正常情况下，这些PN结都是反偏的，电流只能受控向一个设计方向流动，反向则处于高阻状态。在特殊情况下如:输出端有较大电压过冲、输入端存在过高ESD 电压以及器件通电前有低内阻信号加在输入端上等，换句话说，耦合至器件IO的ESD、浪涌电压或噪声尖峰所产生的任何过高的电压瞬变，都有可能使带电粒子越过PN结势垒，从而触发这个寄生可控硅--这是一种物理上的单粒子效应，或者因加在寄生可控硅两端过高的电压瞬变dv/dt值也会导致寄生可控硅的触发(这也是触发可控硅导通的一种方法)。而触发一旦发生会导致一个再生过程而引起电荷注入，从而使寄生可控硅的导通维持下去，其较低的内阻会导致很大的内部短路电流，轻则锁死电路使器件无法工作，重则摧毁器件甚至供电回路等，这种现象就是所谓的闩扣现象。
闩扣现象一旦发生，撤除的办法只能是降低寄生可控硅的导通电流使其脱离自维持导通状态如采取断电等措施，对系统的影响重大。所以，良好的电路设计包括采取有效的ESD抑制手段等是电路可靠性保障中的重要一环。
闩扣效应定义常见问题
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丝扣连接，又称螺纹连接，它是通过内外螺纹把管道与管道、管道与阀门连接起来。
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水锤效应Water hammereffect水锤是在突然停电或者在阀门关闭太快时,由于压力水流的惯性,产生水流冲击波,就象锤子敲打一样,所以叫水锤。水流冲击波来回产生的力，有时会很大，从而破坏阀门和水...
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你好，定义异形柱。
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弱化分数定义教学沉锚负效应的策略研究
学生已有的经验、思维方式和习惯常使后续的思维活动趋于一定的方向，就像沉入海底的锚一样，把思维固定在了某一处。心理学把这种现象称为沉锚效应。沉锚效应对当前学习既有积极的作用，也有消极的影响。笔者在分数教学中，就感受到了较为明显的沉锚负效应。
深基坑定义
深基坑 基坑工程简介： 基坑工程主要包括基坑支护体系设计与施工和土方开挖，是一项综合 性很强的系统工程。它要求岩土工程和结构工程技术人员密切配合。基坑 支护体系是临时结构，在地下工程施工完成后就不再需要。 基坑工程具有以下特点： 1）基坑支护体系是临时结构，安全储备较小，具有较大的风险性。基 坑工程施工过程中应进行监测，并应有应急措施。在施工过程中一旦出现 险情，需要及时抢救。 2）基坑工程具有很强的区域性。如软粘土地基、黄土地基等工程地质 和水文地质条件不同的地基中基坑工程差异性很大。同一城市不同区域也 有差异。基坑工程的支护体系设计与施工和土方开挖都要因地制宜，根据 本地情况进行，外地的经验可以借鉴，但不能简单搬用。 3）基坑工程具有很强的个性。基坑工程的支护体系设计与施工和土方 开挖不仅与工程地质水文地质条件有关，还与基坑相邻建（构）筑物和地 下管线的位置、抵御变形的能力、重要性，以
横杆门闩电路（crossbar latch），也被称作分子横杆门闩电路（molecular crossbar latch），是一个跟现有的硅晶体管相似的纳米级的设备，但物力上更小。
横杆门闩电路（crossbar latch），也被称作分子横杆门闩电路（molecular crossbar latch），是一个跟现有的硅晶体管相似的纳米级的设备，但物力上更小，其直径大约等于2纳米（nm，1 nm = 10 -9 m）。横杆门闩电路预期会在纳米计算机中采用，它可能在某一天取代现在的计算机芯片。由于横杆门闩电路比任何功能的晶体管都小，因此工程师希望可以用它制造比今天的计算机处理速度更快和更强大的电脑。
此项技术由加利福尼亚门洛帕克的Phillip J. Kuekes发明，他于2003年7月获得了专利权。此专利已转让给HP公司。
最常用的是圆盘形二孔或四孔（又称平扣）钮扣的缝钉。通过各种专用钉扣机附件的替换，一台钉扣机可以缝钉带柄扣、金属扣、子母扣、缠脚扣、风纪扣等各类钮扣，用户可根据需要请设备供应商提供钉扣机的专用附件。
“门闩式式快速夹钳”是快速夹钳十二个类别、五百多个系列产品中的一个类别。此类别品种目前已发展到近三十个品种，最小品种的夹持力为150公斤、最大品种的夹持力为3400公斤，基本能满足工业各界的需求。此产品名称的由来：是它夹紧工件的方式，犹如门闩的形式和功能。此产品目前已广泛应用于工业各界产品需要固定锁紧的场合，如某些模具，在上下模合模后的固定锁紧等，且有部分品种已被某些工业设备设计成其中的标准部件之一。
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