sic

sic是一种路由器智能接口卡。

SIC (SMART INTERFACE CARD), 。

H3C MSR系列路由器采用模块化结构，提供了大量可供选配的智能接口卡SIC（SMART INTERFACE CARD）/DSIC（DOUBLE SMART INTERFACE CARD），其中SIC接口卡占用路由器的一个SIC槽位，DSIC接口卡占用路由器的两个SIC槽位。该系列接口卡提供了同/异步串口、以太网接口、E1/T1、ISDN BRI/PRI、ADSL、语音接口、二层交换口等丰富的接口特性。

■ AlSiC具有高导热率（180～240W/mK）和可调的热膨胀系数（6.5～9.5×10-6/K），因此一方面AlSiC的热膨胀系数与半导体芯片和陶瓷基片实现良好的匹配，能够防止疲劳失效的产生，甚至可以将功率芯片直接安装到AlSiC基板上；另一方面AlSiC的热导率是可伐合金的十倍，芯片产生的热量可以及时散发。这样，整个元器件的可靠性和稳定性大大提高。

■ AlSiC是复合材料，其热膨胀系数等性能可通过改变其组成而加以调整，因此产品可按用户的具体要求而灵活地设计，能够真正地做到量体裁衣，这是传统的金属材料或陶瓷材料无法做到的。

■ AlSiC的密度与铝相当，比铜和Kovar轻得多，还不到Cu/W的五分之一，特别适合于便携式器件、航空航天和其他对重量敏感领域的应用。

■ AlSiC的比刚度（刚度除以密度）是所有电子材料中最高的：是铝的3倍，是W-Cu和Kovar的5倍，是铜的25倍，另外AlSiC的抗震性比陶瓷 好，因此是恶劣环境（震动较大，如航天、汽车等领域）下的首选材料。

■ AlSiC可以大批量加工，但加工的工艺取决于碳化硅的含量，可以用电火花、金刚石、激光等加工。

■ AlSiC可以镀镍、金、锡等，表面也可以进行阳极氧化处理。

■ 金属化的陶瓷基片可以钎焊到镀好的AlSiC基板上，用粘结剂、树脂可以将印制电路板芯与AlSiC粘合。

■ AlSiC本身具有较好的气密性。但是，与金属或陶瓷封装后的气密性取决于合适的镀层和焊接。

■ AlSiC的物理性能及力学性能都是各向同性的。

半导体SiC的禁带宽度为3.25eV，具有高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优点，特别是该器件的反向漏电流低。SiC紫外探测器只对波长400nm一下的辐射选择性接收，其紫外辐射的接收与硅探测器相比，要大两个数量级，并且不需要表面加工处理，可保持长期的稳定性。另外，灵敏度和暗电流在使用温度条件下几乎不受温度变化的影响，可在700K的高温下使用 。

随着体单晶及其同质外延SiC材料性能的不断提高，可在不同的沉积条件下用直流溅射法在玻璃底衬的SiC衬底上沉积ITO：TIO和Ni膜，并可由此制成SiC金属-半导体-金属紫外辐射探测器。

现已更名为“西克”。

SICK成立于1946年，公司名称取自于公司创始人欧文·西克博士（Dr. Erwin Sick）的姓氏，总公司位于德国西南部的瓦尔德基尔希市（Waldkirch）。SICK已在全球建立了接近50个子公司和众多的销售机构, 雇员总数超过6,300人，2012年销售业绩达到 9.71亿欧元。

西克中国(广州市西克传感器有限公司)成立于1994年，为西克(SICK)在亚洲的重要分支机构之一。历经多年的发展与积累，已成为当地极具影响力的智能传感器解决方案供应商，产品广泛应用于各行各业，包括包装，食品饮料，机床，汽车，物流，交通，机场，钢铁，电子，纺织等行业。已在广州，上海，北京，青岛，香港等地设有分支机构，并形成了辐射全国各主要区域的机构体系和业务网络。