闩扣效应

从CMOS电路说起。CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor互补金属氧化物半导体的简称,是当今主流IC制造工艺。因为采用参杂制造工艺的原因,CMOS电路中必然存在一种PNPN的4层结构,这种结构恰好与可控硅的4层结构类似,故同样具有可控硅的传输特性,所以称之为寄生可控硅。

闩扣效应基本信息

中文名称 闩扣效应 性    质 效应
撤除的办法 只能是降低寄生可控硅的导通电流 出现于 电路

在正常情况下,这些PN结都是反偏的,电流只能受控向一个设计方向流动,反向则处于高阻状态。在特殊情况下如:输出端有较大电压过冲、输入端存在过高ESD 电压以及器件通电前有低内阻信号加在输入端上等,换句话说,耦合至器件IO的ESD、浪涌电压或噪声尖峰所产生的任何过高的电压瞬变,都有可能使带电粒子越过PN结势垒,从而触发这个寄生可控硅--这是一种物理上的单粒子效应,或者因加在寄生可控硅两端过高的电压瞬变dv/dt值也会导致寄生可控硅的触发(这也是触发可控硅导通的一种方法)。而触发一旦发生会导致一个再生过程而引起电荷注入,从而使寄生可控硅的导通维持下去,其较低的内阻会导致很大的内部短路电流,轻则锁死电路使器件无法工作,重则摧毁器件甚至供电回路等,这种现象就是所谓的闩扣现象。

闩扣现象一旦发生,撤除的办法只能是降低寄生可控硅的导通电流使其脱离自维持导通状态如采取断电等措施,对系统的影响重大。所以,良好的电路设计包括采取有效的ESD抑制手段等是电路可靠性保障中的重要一环。

闩扣效应造价信息

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从CMOS电路说起。CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor互补金属氧化物半导体的简称,是当今主流IC制造工艺。因为采用参杂制造工艺的原因,CMOS电路中必然存在一种PNPN的4层结构,这种结构恰好与可控硅的4层结构类似,故同样具有可控硅的传输特性,所以称之为寄生可控硅。

闩扣效应常见问题

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浅埋暗挖隧道扣拱施工影响效应分析 浅埋暗挖隧道扣拱施工影响效应分析

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在浅埋暗挖隧道扣拱开挖支护施工中,易产生应力集中、塑性区域叠加、地层反复扰动、力学转换复杂、不平衡推力等现象,影响拱部初期支护稳定性,易引起边跨混凝土开裂,出现渗漏水。介绍浅埋暗挖隧道扣拱施工工序及施工要点,通过对地层应力、变位的监控量测,分析力学特性、变形规律,并对各工序的影响效应进行分析。研究表明:1)应力变化具有明显的空间效应,随着施工工序的变化,应力也相应变化,拱肩变化最为明显,拱顶变化较小;2)不同工序的施工引起的变形不同,初期支护拱架割除产生1~2 mm下沉量,占总下沉量的30%;3)确定了初期支护割除对拱顶下沉的影响范围为掌子面前方、后方,纵向距离为6 m,约等于2倍洞径。

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横杆门闩电路(crossbar latch),也被称作分子横杆门闩电路(molecular crossbar latch),是一个跟现有的硅晶体管相似的纳米级的设备,但物力上更小。

横杆门闩电路(crossbar latch),也被称作分子横杆门闩电路(molecular crossbar latch),是一个跟现有的硅晶体管相似的纳米级的设备,但物力上更小,其直径大约等于2纳米(nm,1 nm = 10 -9 m)。横杆门闩电路预期会在纳米计算机中采用,它可能在某一天取代现在的计算机芯片。由于横杆门闩电路比任何功能的晶体管都小,因此工程师希望可以用它制造比今天的计算机处理速度更快和更强大的电脑。

此项技术由加利福尼亚门洛帕克的Phillip J. Kuekes发明,他于2003年7月获得了专利权。此专利已转让给HP公司。

最常用的是圆盘形二孔或四孔(又称平扣)钮扣的缝钉。通过各种专用钉扣机附件的替换,一台钉扣机可以缝钉带柄扣、金属扣、子母扣、缠脚扣、风纪扣等各类钮扣,用户可根据需要请设备供应商提供钉扣机的专用附件。

“门闩式式快速夹钳”是快速夹钳十二个类别、五百多个系列产品中的一个类别。此类别品种目前已发展到近三十个品种,最小品种的夹持力为150公斤、最大品种的夹持力为3400公斤,基本能满足工业各界的需求。此产品名称的由来:是它夹紧工件的方式,犹如门闩的形式和功能。此产品目前已广泛应用于工业各界产品需要固定锁紧的场合,如某些模具,在上下模合模后的固定锁紧等,且有部分品种已被某些工业设备设计成其中的标准部件之一。

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