片式压敏电阻器描述

多层片式压敏电阻器(MLV)是一种浪涌电压抑制器。它是采用先进的叠层片式化技术制造的半导体陶瓷元件,它能为被保护元件(电路)提供强有力的保护,同时具有优良的浪涌能量吸收能力及内部散热能力。该元件是一种无引线的片式结构,其寄生电感非常小、响应速度非常快(响应时间<0.5ns),因此它具有优良的ESD及各种浪涌噪声的抑制能力。与传统的齐纳二极管和圆片压敏电阻器相似,具有体积小、重量轻、响应速度快的特点。

片式压敏电阻器造价信息

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绕线电阻 300Ω 15W 查看价格 查看价格

韶关市2010年7月信息价
绕线电阻 300Ω15W 查看价格 查看价格

肇庆市2003年3季度信息价
标准电阻 ZX-25 查看价格 查看价格

台班 韶关市2010年7月信息价
10kV小电阻成套装置 干式 接地变容量 420kVA 16Ω 查看价格 查看价格

广东2022年2季度信息价
10kV小电阻成套装置 干式接地变容量 420kVA 16Ω 查看价格 查看价格

广东2021年4季度信息价
10kV小电阻成套装置 干式接地变容量 420kVA 10Ω 查看价格 查看价格

广东2021年4季度信息价
10kV小电阻成套装置 干式接地变容量 420kVA 10Ω 查看价格 查看价格

广东2021年3季度信息价
10kV小电阻成套装置 干式接地变容量 420kVA 16Ω 查看价格 查看价格

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材料名称 规格/需求量 报价数 最新报价
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电阻器 RT2Y2-200L-6/3|6291台 2 查看价格 华通机电集团有限公司重庆分公司 重庆  重庆市 2015-12-30
电阻器 RK54-250M1-8/3|9719台 2 查看价格 华通机电集团有限公司重庆分公司 重庆  重庆市 2015-12-29
电阻器 ZK1-42-8/2B|2160台 2 查看价格 华通机电集团有限公司重庆分公司 重庆  重庆市 2015-12-25
电阻器 RY52-180L-6/3|5643台 2 查看价格 华通机电集团有限公司重庆分公司 重庆  重庆市 2015-12-24
电阻器 RT2Y2-250M-8/3|5275台 2 查看价格 华通机电集团有限公司重庆分公司 重庆  重庆市 2015-12-18
电阻器 ZX2-1/0.4|4396台 2 查看价格 华通机电集团有限公司重庆分公司 重庆  重庆市 2015-12-11
电阻器 ZX15-55|161台 2 查看价格 华通机电集团有限公司重庆分公司 重庆  重庆市 2015-12-08
电阻器 RZ54-250M1-6/3|5212台 2 查看价格 华通机电集团有限公司重庆分公司 重庆  重庆市 2015-12-03

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片式压敏电阻器参数详情

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片式压敏电阻器描述常见问题

  • 哪位知道什么是压敏电阻器

    压敏电阻是一种以氧化锌为主要成分的金属氧化物半导体非线性电阻,随着加在它上面的电压不断增大,它的电阻值可以从MΩ(兆欧)级变到mΩ(毫欧)级。当电压较低时,压敏电阻工作于漏电流区,呈现很大的电阻,漏电...

  • 压敏元件(压敏电阻器)须注意事项?

    1、 压敏电阻器的工作环境温度应该在技术条件规定的范围以内。2、 压敏电阻器的工作电压(连续施加在压敏电阻器两端的电压)不能超过压敏电阻器技术参数表中列出的“最大连续工作电压”值。3、 在浪涌脉冲重复...

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片式压敏电阻器描述文献

空气中烧结制备SrTiO_3基压敏电阻器的研究 空气中烧结制备SrTiO_3基压敏电阻器的研究

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通过掺杂La2O3,PbO和ZnO,在空气中烧结制备得到了SrTiO3基压敏电阻陶瓷。研究了掺杂剂对该种陶瓷相结构、形貌和电性能的影响,并对在氧化性气氛中制备SrTiO3基半导体陶瓷的方法进行了探讨。结果表明,所制压敏电阻具有高的相对介电常数(εr=(1.51~2.78)×104)和良好的非线性J-E特性(α=5.5~7.2)。在氧化性气氛中实现SrTiO3半导化的关键是PbO掺杂能在SrTiO3中形成活性点,从而促进稀土离子在烧结中取代A位产生施主缺陷。

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防雷用过电压保护器与压敏电阻器的性能及应用 防雷用过电压保护器与压敏电阻器的性能及应用

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简述电源系统和信号线系统的雷电感应过电压的防护理论、方法及各类防雷用过电压保护器、压敏电阻器的性能和结构特点。

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多层片式压敏电阻特性

多层片式压敏电阻器是一种电压非线性元件,具有类似于背靠背二极管特性,它可以用来保护正反方向的瞬脉冲,符合I=KVa关系。目前能够制造的多层片式压敏电阻器电压最低为5V,最高可以达到90V;最大额定电压下的泄露电流小于50uA,单脉冲(8/20uS)峰值电流可达250A;能量耐量(10/1000)最大可达1.2J。

多层片式压敏电阻器与氧化锌压敏电阻器相比具有以下特点:

(1)快速响应特性:氧化锌压敏电阻器响应时间一般小于50ns.但多层片式压敏电阻器属于表面安装型元件,由于其无引线,因而电感可视为零,响应速度可达到1-5ns,其快速响应能够对瞬态浪涌进行有效地抑制。

(2)良好的限制电压特性:限制电压的测量是在规定了某一试验电流和波形下进行,通常选用(8/20uS)。多层片式压敏电阻器能够有效地把顺态浪涌电压限制在被保护元件的击穿电压之下,从而避免元件遭受浪涌电压的危害。

(3)较好的温度特性:多层片式压敏电阻器的电压和电流呈非线性变化。当达到击穿电压时,多层片式压敏电阻器相当于短路状态,限制电压在整个导通状态下,不随温度的变化而发生变化。

(4)良好的通流能力:多层片式压敏电阻器由于体积小,且多层电极和半导体陶瓷层叠加,使得具有较大的有效导电面积,因此,通流容量好是其出色的优点之一。如尺寸为3MM×1.5MM多层片式压敏电阻器通流容量(8/20uS)可达180A。这是低压径向引线氧化锌压敏电阻器在相同导电面积下所不能比拟的。

(5)较大的电容量:多层片式压敏电阻器是多层结构,它比相同体积的径向引线的氧化锌压敏电阻器有较大的电容量,一般可达6520PF。

多层片式压敏电阻应用

正是由于多层片式压敏电阻器具有诸多优点,因而在生产实际中得到广泛使用。

(一)IC保护

在印刷线路板上为防止瞬态能量对线路破坏,通常采用在电源的输入端口并联一个耦电容来吸收瞬态的能量,但电容储存的能量(E=1/2 CV²)太小,因而没有起到有效地保护作用。也有人采用在输入端并联较大体积的电解电容的方法,但这些电容在高频下响应速度十分缓慢,容易致使保护失败。而多层片式压敏电阻器的使用,就能够十分有效地保护5V和2V电源输入的集成电路。

对PC板对板、不同功能线路与线路、电器与线路之间,也必须考虑消除瞬态能量的问题,长期以来,也有人曾使用过较小的放电间隙和硅压敏电阻对线路进行保护。但就放电间隙而言,它在线路中仍然需要齐纳二极管来降低触发放电间隙的初始上升电压,虽然硅压敏电阻器具有优良的V-I特性,也被广泛地应用在集成电路保护等方面。但是由于硅压敏电阻器的齐纳效应,使其具有较低的浪涌能量吸收值,其结果是硅芯片把能量转化成热量,随着温度的升高,致使部分芯片蚀化,从而引起元件失效。而使用多层片式压敏电阻器后,就能有效地弥补了上述两种原器件的不足,并且提高了保护集成电路免遭大电流破坏的能力。

(二)CMOS器件的保护

闭锁现象是CMOS器件结构的固有现象,主要由外部因素引起,而且是很随机的。一旦引发是很难恢复的,唯一的办法就是断掉芯片上的电源。对它的保护我们可以通过并联多层压敏电阻器来防止上述现象的产生,一个多层片式压敏电阻器与接地端串联,就可消除大部分由于输入过电压引起的闭锁现象。此外在输入端与接地端之间另外接一个多层片式压敏电阻器,也可以有效地帮助保护静态放电引起的瞬态浪涌电压产生的闭锁现象。

(三)汽车电路系统的保护

随着表面安装技术的广泛应用,使得汽车电路需要体积小、能封装于线路板中的电子元件,且具有良好的电气特性。多层片式压敏电阻器正好适应这种要求。

在汽车电路中经常会产生许多瞬态浪涌脉冲,这是人们最容易理解的事情。如当发电机正在给蓄电池充电时,突然负载断开,瞬态浪涌电压的峰值可达到125V,延续时间200-400ms。另外,汽车突然启动,也会产生很高的瞬态浪涌电压,且延续3-5min.汽车的点火脉冲可产生75V的电压,延续90min,其他的瞬态浪涌电压来源于汽车电子线路中的继电器动作和电磁开关的动作。目前国际上普遍采用多层片式压敏电阻器对上述浪涌电压进行有效抑制,以避免对汽车线路的危害。

片式压敏电阻器(VARISTOR)是压敏电阻器的一种,它是用氧化锌非线性电阻元件作为核心而制成的电冲击保护器件。氧化锌非线性电阻元件是以氧化锌(ZnO)为主体材料,添加多种其他微量元素,用陶瓷工艺制成的化合物半导体元件。它的基本特性是电流一电压关系的非线性。当加在它两端的电压低于某个阀电压,即"压敏电压"时,它的电阻值极大,为兆欧级;而当加在它两端的电压超过压敏电压后,电阻值随电压的增高急速下降,可小到欧姆级、毫欧姆级。压敏电阻器与普通电阻器不同,普通电阻器遵守欧姆定律,而片式压敏电阻器的电压与电流则呈特殊的非线性关系。当片式压敏电阻器两端所加电压低于标称额定电压值时,其电阻值接近无穷大,内部几乎无电流流过。当片式压敏电阻器两端电压略高于标称额定电压时,它将被迅速击穿导通,并由高阻状态变为低阻状态,工作电流也急剧增大。当其两端电压低于标称额定电压时,片式压敏电阻器又能恢复为高阻状态。当压敏电阻器两端电压超过其最大限制电压时,压敏电阻器将完全击穿损坏,无法再自行恢复。一般而言,片式压敏电阻器的制作工艺流程如下:叠层,切割,排胶,烧结,倒角,涂敷,端电极,电镀。

片式压敏电阻器广泛地应用在家用电器及其它电子产品中,起过电压保护、防雷、抑制浪涌电流、吸收尖峰脉冲、限幅、高压灭弧、消噪、保护半导体元器件等作用。

片式压敏电阻器的主要参数有:标称电压、电压比、最大控制电压、残压比、通流容量、漏电流、电压温度系数、电流温度系数、电压非线性系数、绝缘电阻、静态电容等。

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