品色F-508ForSony无线闪光灯触发器主要性能

1 LED主要参数与特性 LED 是利用化合物材料制成 pn结的光电器件。 它具备 pn结结型器件的电学特性： I-V 特性、 C-V 特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。 1、LED 电学特性 1.1 I-V 特性 表征 LED 芯片 pn结制备性能主要参数。 LED 的 I-V 特性具有非线性、整流 性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻。 如左图： (1) 正向死区：（图 oa或 oa′段） a点对于 V0 为开启电压，当 V＜Va，外加电场尚克服 不少因载流子扩散而形成势垒电场， 此时 R 很大；开启电压对于不同 LED 其值不同， GaAs 为 1V，红色 GaAsP为 1.2V，GaP为 1.8V，GaN 为 2.5V。 （2）正向工作区：电流 IF 与外加电压呈指数关系 IF =

1 LED主要参数与特性 LED 是利用化合物材料制成 pn结的光电器件。 它具备 pn结结型器件的电学特性： I-V 特性、 C-V 特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。 1、LED 电学特性 1.1 I-V 特性 表征 LED 芯片 pn结制备性能主要参数。 LED 的 I-V 特性具有非线性、整流 性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻。 如左图： (1) 正向死区：（图 oa或 oa′段） a点对于 V0 为开启电压，当 V＜Va，外加电场尚克服 不少因载流子扩散而形成势垒电场， 此时 R 很大；开启电压对于不同 LED 其值不同， GaAs 为 1V，红色 GaAsP为 1.2V，GaP为 1.8V，GaN 为 2.5V。 （2）正向工作区：电流 IF 与外加电压呈指数关系 IF =