P沟[道]
P沟[道]（P channel）是1998年公布的电气工程名词。
P沟[道]基本信息
| 中文名 | P沟[道] | 外文名 | P channel |
|---|---|---|---|
| 所属学科 | 电气工程 | 公布时间 | 1998年 |
《电气工程名词》第一版。 2100433B
P沟[道]造价信息
1998年，经全国科学技术名词审定委员会审定发布。
P沟[道]常见问题
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万用表打二极管档，G极不管它，黑表笔接D极，红表笔接S极能导通的话就是N沟道，反过来表笔互换能导通就是P沟道，导通电压一般0.4-0.7V，这样能明白了吧
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区分方法：场效应管的极性判断，管型判断（如图）G极与D极和S极正反向均为∞
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N行电流电压是正的 P型是负的 功放机比较常用 所谓的对。N沟道MOS比较常用;P沟道少人用;只有在功放上做对管用得多些.
P沟[道]文献
集成低电流IC和P沟道MOSFET的电源开关芯片
集成低电流IC和P沟道MOSFET的电源开关芯片
氧化沟设计计算公式表p
设计处理水量 Q＝ 205056 m3/d= 8544.00 m3/h 进水CODCr = 260 mg/L CODCr = 324 mg/L BOD5=S0= 130 mg/L BOD5=Sz = 126 mg/L TN= 250 mg/L TN= 30 mg/L NH4 +-N= 180 mg/L NH4 +-N= 18 mg/L 碱度SALK= 280 mg/L pH＝ 7.2 SS= 180 mg/L SS=Ce= 20 mg/L f=MLVSS/MLSS= 0.7 4000 mgMLSS/L 采用最小污泥龄 30 d 曝气池出水溶解氧浓度 2 mg/L 衰减系数 Kd= 0.05 d-1 活性污泥产率系数 Y＝ 0.5 mgMLSS/mgBOD5 夏季平均温度 T1＝ 25 ℃ 20℃时反硝化速率常数q dn,20 ＝ 0.07 冬季平均温度 T2＝ 15 ℃ 反硝化温度校正系数
改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。
PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。如图1所示的CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式，一般CMOS的电源电压选择在10～12V就能满足PMOS对输入电平的要求。
MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路。
如果在制造时，把衬底改为N型，漏极与源极为P型，则可构成P沟道增强型或耗尽型场效应管，其工作原理与N型沟道场效应管相同。使用时UGG、UDD的极性应与N沟道MOS管相反。
MOS管在使用时衬底和源极通常是接在一起的，>如果需要分开，则衬源间的电压uBS必须保证衬源间的PN结是反向偏置，即NMOS管的UBS为负，PMOS管的UBS为正。
三道沟竹海(北纬N25°25′30.05″ 东经E105°0′40.10″)位于兴仁县与普安县交界处，原三道沟国有工业纸厂就位于这里，这里距313省道仅8公里，距普安县632县道仅三公里，距兴仁西北环线仅4公里。三道沟竹海处在一市(兴义市)两县(兴仁县、普安县)构成的三角区域的中央。交通便利，四通八达。
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