中文名称 | 抛光浆料 | 名 称 | 抛光液xz-pg05 |
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原 料 | 纳米氧化铝、纳米氧化硅 | 特 点 | 可任意滴流,滴干为止 |
名称:抛光液xz-pg05
概述:纳米氧化物抛光液xz-pg05,使用的纳米氧化铝、纳米氧化硅、纳米氧化钛和纳米氧化铈等,这些纳米氧化物都是用做抛光材料极佳选择,抛光液xz-pg05稳定,放置长时间不分出清水,不淀底,可以和其他抛光液很好的混合使用,抛光液xz-pg05,可以抛亚克力,宝石等, 可以做精密抛光材料、玻璃制品、金属制品、半导体材料、塑料、磁带、打磨带。利用抛光液xz-pg05对工件表面进行的修饰加工,可得到光滑表面或镜面光泽,高速旋转的抛光轮压向工件,使抛光液xz-pg05对工件表面产生滚压和微量切削,从而获得光亮的加工表面,表面粗糙度一般可达Ra0.63~0.01微米。
抛光液xz-pg05,特点如下:
1、可任意滴流,滴干为止。可以重复多次使用,纳米抛光液xz-pg05,没有大的粒子,使用极其方便,抛光液xz-pg05中纳米氧化物粒径均匀,没有特别大的颗粒,不会对抛光物体产生划痕,经过抛光液xz-pg05抛光后,材料会光亮如镜。
2、抛光亮度稳定。抛光液xz-pg05,其中的纳米氧化物粒径小,抛光效果好,不产生划痕,纳米氧化物硬度强。可以长时间使用,从而保证使用寿命。
3、使用抛光液xz-pg05加工出来的工件表面光亮美观,色泽鲜艳,光亮夺目,还可以防止工件的锈蚀,保持与提高工件表面的光泽,起到清洁工件与磨具的作用。去除油污,软化工件表面以加速磨消,减少磨具对工件的冲击,改善工件条件。
4、抛光液xz-pg05具有无毒,无腐蚀,不易变质等性能。 在光整效率,工作的研磨质量,抛光的光洁度等方面。抛光液xz-pg05都显示出其独特的效果。
产品级别:工业级。
包 装:6公斤包装,25公斤塑料桶包装。
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抛光材料是用于被抛的物质,研磨抛光玻璃、金属、皮革、半导体、塑料,宝石.玉器.不锈钢的研磨抛光等。 如玻璃抛光采用氧化铁红、二氧化锡、氧化铝、氧化铈、碳酸钡、白垩、陶土、硅藻土等粉状混合物,与水等配合...
陶瓷抛光砖抛光废料产出量很大,严重污染周边环境,是困扰抛光砖生产的世界性难题。本文通过对此方面的研究结果,着重论述了陶瓷抛光砖抛光废料回收利用的可行性方法。
采用失重法与铅笔硬度计分析了抛光垫的组分对其溶胀率及干湿态硬度的影响,比较了固结磨料方法与游离磨料方法抛光后硅片的表面粗糙度。结果表明:抛光垫基体的溶胀率随基体中聚乙二醇双丙烯酸酯(PEGDA)或乙氧基化三羟基丙烷三丙酸酯(EO15-TMAPTA)含量的增加而提高;基体的干态硬度随PEGDA含量的增加先有所增大,而后减小,随EO15-TMAPTA含量的增加而增大;湿态下铅笔硬度随PEGDA或EO15-TMAPTA含量的增加而减小;光引发剂量的增加,有利于增大基体的干湿态硬度;固结磨料抛光硅片的去除速率是游离磨料加工的2~3倍,而前者抛光硅片后的表面粗糙度Ra为12.2nm,大于后者的4.32nm。
CMP,即Chemical Mechanical Polishing,化学机械抛光。CMP技术所采用的设备及消耗品包括:抛光机、抛光浆料、抛光垫、后CMP清洗设备、抛光终点检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等。
CMP技术的概念是1965年由Monsanto首次提出。该技术最初是用于获取高质量的玻璃表面,如军用望远镜等。1988年IBM开始将CMP技术运用于4MDRAM 的制造中,而自从1991年IBM将CMP成功应用到64MDRAM 的生产中以后,CMP技术在世界各地迅速发展起来。区别于传统的纯机械或纯化学的抛光方法,CMP通过化学的和机械的综合作用,从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。它利用了磨损中的“软磨硬”原理,即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。
CMP抛光液是以高纯硅粉为原料,经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品,广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光。