纳米碳化硅薄膜的制备、稀土掺杂及光电发射特性
《纳米碳化硅薄膜的制备、稀土掺杂及光电发射特性》是依托天津理工大学，由刘技文担任项目负责人的面上项目。
纳米碳化硅薄膜的制备、稀土掺杂及光电发射特性基本信息
| 中文名 | 纳米碳化硅薄膜的制备、稀土掺杂及光电发射特性 | 项目类别 | 面上项目 |
|---|---|---|---|
| 项目负责人 | 刘技文 | 依托单位 | 天津理工大学 |
采用射频磁控溅射随后退火或衬底原位加热制备纳米米晶及稀土掺杂纳米晶碳化硅薄膜，研究生长机理、纳米尺度、微结构和界面效应、掺杂种类和密度影响光发射和场发射的规律，通过改变以上条件，消除光发射温度猝灭效应，提高蓝光发射效率；调整电子亲和势，使其具有低阈值、强场发射特性，为发光器件、激光器件和平板显示开拓全新的半导体材料。.
纳米碳化硅薄膜的制备、稀土掺杂及光电发射特性造价信息
| 批准号 |
10074049 |
| 项目名称 |
纳米碳化硅薄膜的制备、稀土掺杂及光电发射特性 |
| 项目类别 |
面上项目 |
| 申请代码 |
A2001 |
| 项目负责人 |
刘技文 |
| 负责人职称 |
教授 |
| 依托单位 |
天津理工大学 |
| 研究期限 |
2001-01-01 至 2003-12-31 |
| 支持经费 |
19（万元） |
纳米碳化硅薄膜的制备、稀土掺杂及光电发射特性常见问题
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碳化硅陶瓷一般是反应烧结的，也就是用碳化硅粉料加碳粉和粘结剂后成型，在1800-2000℃高温下与金属硅反应形成碳化硅陶瓷。 碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成为一种重要的磨料，但其应用范围却超过一般...
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碳化硅 SiC >99% 8000元/吨 以上 SiC <98% 3800-4200元/吨价格近期来不是很稳定，买卖都需慎重
-
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纳米碳化硅薄膜的制备、稀土掺杂及光电发射特性文献
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碳化硅铝复合材料的制备
1 论文题目： 碳化硅铝复合材料的制备 专 业：材料科学与工程 学 生：段红伟 签名 : 指导老师：王涛 签名： 摘要 碳化硅颗粒增强铝基复合材料 ( SiCp / Al 复合材料 ) 具有高比强度和比刚 度、耐磨、耐疲劳、低热膨胀系数、低密度、高微屈服强度、良好的尺寸稳定性 和导热性、优异的力学性能和物理性能。 本文采用粉末冶金法制备 SiCp复合材料。使用X射线衍射仪 (XRD)、扫描电镜 (SEM)，抗折强度试验，洛氏硬度实验以及密度，吸水率，气孔率实验等方法研 究碳化硅铝复合材料的微观结构、 性能特点和机理。 得到实验结果为 SiCp复合材 料组织均匀，致密，无杂质，气孔少等优良特点。随着 SiC复合材料质量分数的 增加， SiCp的密度、抗折强度、硬度均相应增大，而气孔率、吸水率随之减小。 SiC质量分数一定的情况下，随着烧结温度的升高试样的性能也越来越好。 关 键 字：
| 批准号 |
59672015 |
| 项目名称 |
稀土掺杂纳米材料的合成及其光存储特性 |
| 项目类别 |
面上项目 |
| 申请代码 |
E0206 |
| 项目负责人 |
汤国庆 |
| 负责人职称 |
教授 |
| 依托单位 |
南开大学 |
| 研究期限 |
1997-01-01 至 1999-12-31 |
| 支持经费 |
10（万元） |
氧氮化物荧光粉具有优良的物理和化学稳定性，是白光LED照明中理想的光转换材料。Al2O3-AlN二元体系中含有大量的AlON多形体,而基于这些多形体的荧光材料还未被报道,因此,可望从中发现新型高效、稳定的氧氮化物荧光粉。本项目针对传统高温固相法所具有的合成温度高、产物相不纯等缺点，通过特殊的制备方法-高能球磨法在较低的合成温度下制备出一系列稀土掺杂的AlON多形体荧光粉，研究他们的发光和结构性质，优化高能球磨参数、烧结温度、保温时间、稀土掺杂浓度以及退火工艺。通过分析XRD, PL, EDS、TEM、XAFS等结果，揭示稀土离子在基质中的价态信息和配位环境，并结合第一性原理理论计算进行进一步验证。上述结构信息为进一步提高发光性能提供理论指导。把所得荧光粉涂覆在匹配的LED芯片上，考察荧光粉的实际应用效果。本项目通过实验和理论计算相结合，最终获得基于新型基质的性质优异的氧氮化物荧光粉。
利用化学法制备新型掺杂稀土纳米发光材料及对荧光粉表面的修饰，包覆抗紫外线照射的化合物。探讨样品的合成机理，研究化学组成与样品结构性能的内在关系。利用光谱实验研究样品的光学性能，如：纳米晶的激发、辐射和无辐射过程中，掺杂离子的特征发光性能和发光效率；纳米晶本征电子激发态与掺杂离子电子态的相互作用；影响掺杂离子激发态寿命的各种机制；纳米晶的颗粒大小对这些相互作用的影响。开发新型的发光材料。
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