门极不触发电压

低触发电压的可控硅结构保护电路设计的详细介绍 低触发电压的可控硅 ESD 保护结构的设计 摘要：当前的集成电路设计中大量采用了可控硅的设计结构来进行 ESD 的保护，但是一 般的 SCR 保护结构很难满足现在低电压，以及一些特殊要求的集成电路 ESD 保护的要 求。研究一种低触发电压的可控硅结构保护电路，通过和工艺寄生参数的结合，满足了低 触发电压的设计要求。 关键词：集成电路设计；静电保护；可控硅结构；触发电流 1 引言 静电放电（ ESD）对 CMOS 集成电路的可靠性构成了很大威胁 [1]。随着集成电路设计水 平的提高和应用领域的扩大，对于 CMOS 集成电路来说，由于特征尺寸较小，电源电压 较低，ESD 保护仅仅采用传统的二极管结构已经不能满足要求。 目前广泛使用的 ESD 保 护电路中，可控硅（ SCR）结构具有单位面积下最高的 ESD 保护性能 [2]，同时具有很好 的大电流特

介绍了一种低抖动、快前沿高电压重复率触发器,输出参数为:重复率可达100pulse/s,输出时延约225ns,抖动约1ns,前沿约26ns,脉宽约70ns,高阻负载上电脉冲的峰值可达-40kV,重复率为50pulse/s时,峰值可达-51kV,单次工作时的峰值可达-60kV。该触发器主要由控制单元、高压供电单元与脉冲形成单元构成,脉冲形成单元采用了低电感电容对负载快放电的结构,建立开关为氢闸流管。实验发现,氢闸流管存在微导通状态,开关的通道电阻及维持的时间与开关极间的电势差有关;电势差越高,通道电阻越小,微导通状态维持的时间越长。此外,氢闸流管的导通性能受灯丝加热电源的影响明显,当加热电压较低时,氢闸流管导通缓慢,延时与抖动较大,当加热电压过高时,氢闸流管易于发生自击穿。