氯化镓主要用途

用作有机反应的催化剂

1.将氯化氢气通过装浓硫酸的洗气瓶和氯化钙的干燥塔进行干燥。称取1～2g的镓放入小磁舟中，并将磁舟放在一根直径2cm与长度50cm的硬质玻璃管中。管子的一部分被包在一个小电阻炉中，炉的温度靠一只外连的变阻器来控制。用氯化氢气排出管中的空气之后，使电炉的温度缓升至200℃。一直保持这个温度到磁舟中全部镓反应完。该反应在75℃也能缓慢地进行，不过为使三氯化镓能升华到硬质玻璃管的较冷部分，需要较高的温度，这样也能使金属总是有新的表面进行反应。待金属镓都消失后，令仪器冷却，把氯化氢发生器拆除，并最后通入氮气来排出氯化氢气。将升华的产物从仪器上熔封下来，并用一般重量法分析氯和镓的含量，依照所用镓的量计算，产率为100%。

2.将三氧化二镓2.5g与亚硫酰氯约8mL(过剩2～3倍)置于封管中，在200℃下加热数小时。使三氧化二镓完全氯化。由于反应的结果，所产生的二氧化硫使反应管中压力升高，所以在开启以前有必要冷却至-10℃以下。开封后，使二氧化硫在室温下蒸发，进一步蒸馏除去过剩的亚硫酰氯(沸点757℃)。所剩下的三氯化镓可在220℃进行蒸馏精制。

常温密闭，阴凉通风干燥

1. 性状：无色针状的吸湿性结晶。在空气中遇湿气就水解而发烟。

2. 密度（g/mL,25/4℃）：2.47

3. 相对蒸汽密度（g/mL,空气=1）：未确定

4. 熔点（ºC）：77.9

5. 沸点（ºC,常压）：201.3

6. 沸点（ºC,5.2kPa）：未确定

7. 折射率：未确定

8. 闪点（ºC）：未确定

9. 比旋光度（º）：未确定

10. 自燃点或引燃温度（ºC）：不适用的

11. 蒸气压（kPa,25ºC）：未确定

12. 饱和蒸气压（kPa,60ºC）：未确定

13. 燃烧热（KJ/mol）：未确定

14. 临界温度（ºC）：未确定

15. 临界压力（KPa）：未确定

16. 油水（辛醇/水）分配系数的对数值：未确定

17. 爆炸上限（%,V/V）：未确定

18. 爆炸下限（%,V/V）：未确定

19. 溶解性：在水里反应强烈

中文名称:氯化镓

英文名称:Gallium(III) chloride

中文别名:三氯化镓;超干氯化镓(III)

英文别名:gallium trichloride; Galliumchlorideanhydrouswhitefusedlump

CAS号:13450-90-3

分子式:Cl3Ga

分子量:176.082

通常对水体是稍微有害的，不要将未稀释或大量产品接触地下水，水道或污水系统，未经政府许可勿将材料排入周围环境。

共价型化合物，气态时为双聚分子。在水中强烈水解，遇潮湿空气则发烟。气体在270℃左右以二聚物存在。易溶于水，发出大量热。在水溶液中三价镓在PH6以上时以含氧酸离子GaO33- GaO2-存在。易溶于醚、苯等有机溶剂，溶于液氨形成氨络合物。

在低于它的熔点温度下它很易于在真空中升华。有挥发性。气体在270℃左右成二聚物存在。易溶于水，并放出大量的热。在水溶液中三价镓在pH=6以上时则以含氧酸根离子GaO3-3、GaO-2等形式存在。易溶于有机溶剂，再者，溶于液氨而生成氨配合物。

Ga2O3能与氟气反应，生成GaF3，Ga2O3溶于50%的HF中得到产物GaF3·3H2O. Ga2O3能溶于微热的稀硝酸、稀盐酸和稀硫酸中。经过灼烧的Ga2O3不溶于这些酸甚至于浓硝酸，也不溶于强碱的水溶液中，只能通过NaOH、KOH或KHSO4和K2S2O7一起熔融才能使它溶解。与过量两倍的NH4Cl在250℃一起熔融生成氯化镓。在红热时，Ga2O3与石英反应形成玻璃体，但冷却时没有新化合物生成。红热时也能和上釉的瓷坩埚发生反应。

在加热的条件下，Ga2O3能与许多金属氧化物发生反应。现已测定了碱金属氧化物反应(高于400℃)所得到的镓酸盐M(I)GaO2的晶体结构，与Al2O3和Ln2O3一样，它与MgO、ZnO、CoO、NiO和CuO反应能形成尖晶石型的M(II)Ga2O4. 与三价金属氧化物反应的产物M(III)GaO3通常有钙钛矿或石榴石型结构(如镧系镓酸盐LnGaO3). 而且有更为复杂的三元氧化物。人们研究过有关用于激光、磷光和发光材料的镓的混合氧化物。认为镓酸盐的发光性质归之于氧的空缺。因为FeGaO3有令人感兴趣的电磁性质(即压电性和铁磁性)，所以它的合成、稳定性和晶体结构已被人们广泛地研究。

Ga2-xFexO3(x≈1)属于正交晶体，晶胞参数是:a=8.75A，b=9.40A，c=5.07A，配位数为8，熔融温度是1750℃，密度是5.53g/cm3。NiO·Fe2-xGaxO3的磁性和晶体结构也被研究过。

通常对水体是稍微有害的，不要将未稀释或大量产品接触地下水，水道或污水系统，未经政府许可勿将材料排入周围环境。

1、氢键供体数量:0

2、氢键受体数量:3

3、可旋转化学键数量:0

4、拓扑分子极性表面积(TPSA):43.4

5、重原子数量:5

6、表面电荷:0

7、复杂度:34.2

8、同位素原子数量:0

9、确定原子立构中心数量: 0

10、不确定原子立构中心数量:0

11、确定化学键立构中心数量:0

12、不确定化学键立构中心数量:0

13、共价键单元数量:1

1.向三氯化镓GaCl3的热水溶液中加NaHCO3的高浓热水溶液，煮沸到镓的氢氧化物全部沉淀出来为止。用热水洗涤沉淀至没有Cl-为止，在600℃以上煅烧则得到β-Ga2O3。残留NH4Cl时，在250℃就和Ga2O3反应，生成挥发性GaCl3。

2.这是高纯Ga2O3的制法。以高纯金属Ga为阳极，溶解于5%~20%H2SO4溶液里，向溶液加氨水，冷却，将Ga(NH4)(SO4)2反复结晶，在105℃干燥，在过量氧的条件下在800℃灼烧2h，则得到纯度为9999%~99.9999%的产品。

3.称取1kg99.9999%的高纯镓放入三颈烧瓶中，加入高纯硝酸，使镓全部溶解，然后过滤，滤液倒入三颈烧瓶中，移至电炉上蒸发(在通风橱中进行)，浓缩到接近结晶时，将溶液移置于大号蒸发皿中蒸发至干。将蒸干的Ga(NO3)3放在马弗炉中进行灼烧，温度控制在550℃，灼烧5h，待冷却后取出成品，得1.2kg高纯氧化镓。