可控硅整流器结构

通常用双三极管来描述可控硅的四层结构，看成一NPN和PNP晶体管的互联. 若两晶体管的共基极电流放大系数分别为α1和α2(均为工作状态的函数)，导通的必要条件是α1+α2≃1.阻断状态下， 两晶体管的电流放大系数均很小;若在正向阻断状态下，于控制极注入一正向电流，则NPN管的电流放大系数α1迅速增大，并导致α2的增大，从而满足导通条件.

可控硅是一种极为重要的功率电子器件，可以以极小的控制功率控制兆瓦级的电力，常用于整流、开关、变频、逆变等电路中. 高功率可控硅采用甚大面积的硅片，需封装在带散热器的管壳中.

在可控整流电路的波形图中，发现晶闸管承受正向电压的每半个周期内，发出第一个触发脉冲的时刻都相同，也就是控制角α和导通角θ都相等，那么，单结晶体管张弛振荡器怎样才能与交流电源准确地配合以实现有效的控制呢?

为了实现整流电路输出电压"可控"，必须使晶闸管承受正向电压的每半个周期内，触发电路发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这种相互配合的工作方式，称为触发脉冲与电源同步。

怎样才能做到同步呢?大家再看调压器的电路图(上图)。请注意，在这里单结晶体管张弛振荡器的电源是取自桥式整流电路输出的全波脉冲直流电压。在晶闸管没有导通时，张弛振荡器的电容器C被电源充电，UC按指数规律上升到峰点电压UP时，单结晶体管VT导通，在VS导通期间，负载RL上有交流电压和电流，与此同时，导通的VS两端电压降很小，迫使张弛振荡器停止工作。当交流电压过零瞬间，晶闸管VS被迫关断，张弛振荡器得电，又开始给电容器C充电，重复以上过程。这样，每次交流电压过零后，张弛振荡器发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这个时刻取决于RP的阻值和C的电容量。调节RP的阻值，就可以改变电容器C的充电时间，也就改变了第一个Ug发出的时刻，相应地改变了晶闸管的控制角，使负载RL上输出电压的平均值发生变化，达到调压的目的。

双向晶闸管的T1和T2不能互换。否则会损坏管子和相关的控制电路。

它与以往工频可控硅整流器完全不同的工作原理.它是通过输入高压交流整流--高压滤波--高压高频调节--低压高频整流的方式产生低电压大电流输出.故其工作原理决定了该电源具有比可控硅整流器更高的变流效率和功率因素.使用该电源可明显降低电镀成本,提高产品质量,与可控硅电源相比,电镀能耗可节省15%--30%,为用户带来可观的经济效益.另外该电源体积小,重量轻(水冷比风冷更小),安装使用非常容易,可为用户节省宝贵的生产空间.

晶闸管整流器是一种以可控硅(晶闸管)为基础，以智能数字控制电路为核心的交流变直流可控整流电器。又称整流器、可控硅整流器等。具有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快体积小、重量轻等诸多优点。