普通可控硅的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。大家知道,晶闸管G、K之间是一个PN结(a),相当于一个二极管,G为正极、K为负极,所以,按照测试二极管的方法,找出三个极中的两个极,测它的正、反向电阻,电阻小时,万用表黑表笔接的是控制极G,红表笔接的是阴极K,剩下的一个就是阳极A了。测试晶闸管的好坏,可以用刚才演示用的示教板电路。接通电源开关S,按一下按钮开关SB,灯泡发光就是好的,不发光就是坏的。
鉴别可控硅三个极的方法很简单,根据P-N结的原理,只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。
阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上,阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上(它们之间有两个P-N结,而且方向相反,因此阳极和控制极正反向都不通)。
控制极与阴极之间是一个P-N结,因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围,反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻断状态的,可以有比较大的电流通过,因此,有时测得控制极反向电阻比较小,并不能说明控制极特性不好。另外,在测量控制极正反向电阻时,万用表应放在R*10或R*1挡,防止电压过高控制极反向击穿。
若测得元件阴阳极正反向已短路,或阳极与控制极短路,或控制极与阴极反向短路,或控制极与阴极断路,说明元件已损坏。
可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上,可控硅的功用不仅是整流,它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电,等等。可控硅和其它半导体器件一样,其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。
可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上,可控硅的功用不仅是整流,它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电,等等。可控硅和其它半导体器件一样,其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。
按关断、导通及控制方式分类
可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆 导可控硅、门极关断可控硅(GTO)、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。
按引脚和极性分类
可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。
按封装形式分类
可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中,金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。
按电流容量分类
可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常,大功率可控硅多采用金属壳封装,而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。
按关断速度分类
可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频(快速)可控硅。
可控硅开关输出量可连续变化,复合开关输出不连续,为阶梯式变化。
无触点可控硅开关的特点,等电位过零技术,实现电压过零时导通、电流为零时切除,确保投入无冲击涌流、切除无过电压。2、选用优质大功率、高耐压(反向耐压1600V)可控硅模块,经多年实际项目运行,其工作稳定...
双向可控硅又称为双向晶闸管 普通晶闸管(VS)实质上属于直流控制器件。要控制交流负载,必须将两只晶闸管反极性并联,让每只SCR控制一个半波,为此需两套独立的触发电路,使用不够方便。 双向晶闸管...
可控硅开关分类方法
可控硅有多种分类方法。
(一)按关断、导通及控制方式分类:可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅(GTO)、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。
(二)按引脚和极性分类:可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。
(三)按封装形式分类:可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中,金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。
(四)按电流容量分类:可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常,大功率可控硅多采用金属壳封装,而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。
(五)按关断速度分类:可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频(快速)可控硅。
普通可控硅的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。大家知道,晶闸管G、K之间是一个PN结(a),相当于一个二极管,G为正极、K为负极,所以,按照测试二极管的方法,找出三个极中的两个极,测它的正、反向电阻,电阻小时,万用表黑表笔接的是控制极G,红表笔接的是阴极K,剩下的一个就是阳极A了。测试晶闸管的好坏,可以用刚才演示用的示教板电路。接通电源开关S,按一下按钮开关SB,灯泡发光就是好的,不发光就是坏的。
鉴别原理
鉴别可控硅三个极的方法很简单,根据P-N结的原理,只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。
阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上,阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上(它们之间有两个P-N结,而且方向相反,因此阳极和控制极正反向都不通)。
鉴别注意事项
控制极与阴极之间是一个P-N结,因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围,反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻断状态的,可以有比较大的电流通过,因此,有时测得控制极反向电阻比较小,并不能说明控制极特性不好。另外,在测量控制极正反向电阻时,万用表应放在R*10或R*1挡,防止电压过高控制极反向击穿。
若测得元件阴阳极正反向已短路,或阳极与控制极短路,或控制极与阴极反向短路,或控制极与阴极断路,说明元件已损坏。
常用可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。
可控硅的主要厂家
主要厂家品牌:ST,NXP/PHILIPS,NEC,ON/MOTOROLA,RENESAS/MITSUBISHI,LITTELFUSE/TECCOR,TOSHIBA,JX,SANREX,SANKEN,SEMIKRON,EUPEC,IR等。
常用可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。
可控硅的主要厂家品牌:ST,NXP/PHILIPS,NEC,ON/MOTOROLA,RENESAS/MITSUBISHI,LITTELFUSE/TECCOR,TOSHIBA,JX,SANREX,SANKEN,SEMIKRON,EUPEC,IR等。
本文介绍了双向可控硅开关柜的工作原理和结构特点及其应用。通过对双向可控硅开关柜和接触器控制盘的对比分析,展现了采用双向可控硅开关柜的经济效益。
可控硅开关图
复合开关图
可控硅开关和复合开关是现在无功补偿装置主要的投切元件,那么两者到底区别在哪里呢?
可控硅开关也叫调节器,采用大功率反并联晶闸管模块、隔离电路、触发电路、保护电路及散热装置等元件组成。容易受涌流的冲击而损坏,因此可控硅必须过零触发,当可控硅两端电压为零的瞬间发出触发信号。过零触发技术可以实现无涌流投入电容器,另外由于可控硅的触发次数没有限制,可以实现准动态补偿(响应时间在毫秒级)。可控硅导通电压降约为1V左右,损耗很大(以每相额定电流为60A为例,则三相三控可控硅额定导通损耗为60×1×3=180W),必须加装大面积的散热片和冷却风机。晶闸管对电压变化率(dv/dt)非常敏感,遇到操作过电压及雷击等电压突变的情况很容易误导通而被涌流损坏,即使安装避雷器也无济于事,因为避雷器只能限制电压的峰值,并不能降低电压变化率。可控硅开关反应速度快,重复投切时间短适用于负荷(轧机、点焊机、行吊等)频繁变化的场合。
复合开关,把磁保持和可控硅开关二者巧妙地结合来,优势互补,发挥磁保持继电器运行功耗小和可控硅开关过零投切的优点,是一个较为理想的投切元件。这种投切开关不但抑制了涌流、避免了拉弧而且功耗较低,不需要加装散热器和冷却风扇。要把二者结合起来的关键是相互之间的时序配合必须默契,可控硅开关负责控制电容器的投入和切除,磁保持继电器负责保持电容器投入后的接通,当磁保持投入后可控硅开关就立即退出运行,这样就避免了可控硅元件的发热。复合开关适用于负荷变化不快的城网、农网、房地产等场合。现已批量用于山东电网户外JP柜中。
根据以上对比可以发现两者区别如下
额定电压:低压系统450V及以下
额定频率:50Hz
控制容量:三相60Kvar及以下,单相20Kvar及以下。
安装海拔:2000米及以下
运行环境:温度-25℃~+45℃,相对湿度不超过90%,周围环境应有良好的通风条件。
控制电压:DC +12V
控制电流:20mA
投入涌流:小于2In
投切次数:大于50万次
可控硅无触点开关:由大功率反并联晶闸管模块、光电隔离电路、触发电路、保护电路、散热装置等组成。用于低压400V系统容性负载的通断控制,无冲击涌流,无过压,工作时无噪音,允许频繁投切,安装、接线简单方便,特别适合配套快速投切SVC低压动态无功补偿装置使用。