可变电阻式存储器忆阻器

忆阻器（英语：memristor/ˈmɛmrɨstər/），又名记忆电阻（英语：memory resistors），是一种被动电子元件。如同电阻器，忆阻器能产生并维持一股安全的电流通过某个装置。但是与电阻器不同的地方在于，忆阻器可以在关掉电源后，仍能“记忆”先前通过的电荷量。两组的忆阻器更能产生与晶体管相同的功能，但更为细小。最初于1971年，加州大学伯克利分校的蔡少棠教授根据电子学理论，预测到在电阻器、电容器及电感元件之外，还存在电路的第四种基本元件，即是忆阻器。 正在开发忆阻器的团队包括惠普、SK海力士、HRL实验室。

之后从2000年始，研究人员在多种二元金属氧化物和钙钛矿结构的薄膜中发现了电场作用下的电阻变化，并应用到了下一代非挥发性内存-阻抗存储器（RRAM 或 ReRAM）中。2008年4月，惠普公司公布了基于TiO₂的RRAM器件，并首先将RRAM和忆阻器联系起来。但仍然有专家认为，这些实作出的电路，并不是真正的忆阻器。

非易失性存储器（英语：non-volatile memory，缩写为NVM）是指当电流关掉后，所存储的数据不会消失者的电脑存储器。非易失性存储器中，依存储器内的数据是否能在使用电脑时随时改写为标准，可分为二大类产品，即ROM和Flash memory。

类型

非易失性存储器主要有以下类型：

• ROM（Read-only memory，只读内存）

• PROM（Programmable read-only memory，可编程只读内存）

• EAROM（Electrically alterable read only memory，电可改写只读内存）

• EPROM（Erasable programmable read only memory，可擦可编程只读内存）

• EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory，电可擦可编程只读内存）

• Flash memory（闪存）

可编程金属化单元（英语：programmable metallization cell，缩写为PMC），一种新的非挥发性内存技术，由亚利桑那州立大学开发，这项专利已授权并转移给Axon Technologies公司。它有可能取代快闪存储器。

英飞凌在2004年取得PMC技术的授权，并用来开发导电桥接随机存取内存(conductive-bridging RAM，CBRAM)，NEC称为Nanobridge，Sony称其为electrolytic memory。但这些公司都没有做出实际应用成果。

最主要推动 CBRAM 装置的公司是Adesto Technologies，最快有可能在2011年第一季推出首款 CBRAM 样品。

相变化内存（英语：Phase-change memory，英语：Ovonic Unified Memory，英语：Chalcogenide RAM，简称PCM,PRAM,PCRAM,CRAM），又译为相变位内存，是一种非易失性存储器装置。PRAM 使用含一种或多种硫族化物的玻璃（Chalcogenide glass）制成。硫属玻璃的特性是，经加热可以改变它的状态，成为晶体（Crystalline）或非晶体（Amorphous）。这些不同状态具有相应的电阻值。因此 PRAM 可以用来存储不同的数值。 它是可能取代快闪存储器的技术之一。 2100433B

在可变电阻区内，当U(GS)不变时，I(D)随U(DS)的增加近似直线上升，且U(GS)越小，该段输出特性曲线斜率越小。此时，场效应管可视作一个受U(GS)控制的压控电阻，且U(GS)越小，等效电阻值越大。也正因此，该区域叫做“可变电阻区”。