中文名 | 开漏输出 | 外文名 | Open drain output |
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参 考 | 集电极开路输出(OC) | 词 性 | 名词 |
开漏输出,指漏极开路的输出形式。就像晶体管集电极开路的输出形式一样,集电极上没有接集电极电阻Rc,直接引到芯片外面成为输出端,需要在芯片外面接上一个负载电阻(上拉电阻)才能形成完整的放大(逻辑)电路。这种电路结构方便于组成“线与”逻辑。通常用于数字电路中的门电路以及模拟电路中的比较器输出级。2100433B
开漏输出跟集电极开路十分相似,工作原理也是一样的。不同的是,开漏输出使用的场效应管,使用时要加上拉电阻而已。
参考:集电极开路输出(OC)、漏极开路输出(OD)、推挽输出
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本文详述了涟钢CSP自2004年投产以来的各种开浇漏钢的形式,分析了CSP连铸机各种开浇漏钢原因,并针对不同的开浇漏钢原因列举了相应的预防措施。
故障现象笔者接修了1辆EQ153底盘油田热洗作业车,该车驻车打气时气压上升正常,松开手制动阀起步,制动总泵排气口就排气,起步困难,且气压下降很快至无法行驶,关闭手制动阀,气压又正常上升。故障分析制动总泵漏气,直观感觉制动总泵坏了。更换了漏气的制动总泵,漏气故障未能排除,再更换手制动阀,
在学单片机和选用逻辑器件的时候我们常别人说这款芯片是推挽输出驱动能力强,这个引脚是开漏输出需要加上拉电阻。
是不是有时候感觉一头雾水?
今天就详解一下推挽和开漏,以后你买芯片的时候就可以和别人大声理论了。
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推挽输出
推挽输出既可以输出低电平,也可以输出高电平,可以直接驱动功耗不大的数字器件。
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推挽输出电路
推挽电路是由两个三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,电路工作时,两只对称的开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小、效率高、既提高电路的负载能力,又提高开关速度。
其示意结构如下图所示:
当内部输出1电平时,上边的MOS管导通同时下边的MOS管截至,IO口输出高电平。
当内部输出0电平时,上边的MOS管截至同时下边的MOS管导通,IO口输出低电平。
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开漏输出
开漏输出只能输出低电平,如果要输出高电平必须通过上拉电阻才能实现。就类似于三极管的集电极输出。
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开漏输出电路
如上图:
内部输出1时MOS管截止,输出与地断开,这时候IO口其实是没有驱动能力的,需要外部连接上拉电阻才能输出高电平,才能驱动数字器件。
内部输出0时MOS管导通,输出低电平,所以开漏能输出低电平。
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准双向I/O
在学51单片机的时候老师告诉我们,51单片机的IO口是准双向的。
什么是准双向的?
示意如下:
其结构类似于开漏输出,只不过是把上拉电阻集成到了单片机内部。
开漏电路概念中提到的“漏”就是指MOS FET的漏极。
同理,开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。
开漏电路就是指以MOS FET的漏极为输出的电路。
一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻。
完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成。
1. 开漏和开集的原理类似,在许多应用中我们利用开集电路代替开漏电路。例如,某输入Pin要求由开漏电路驱动。则我们常见的驱动方式是利用一个三极管组成开集电路来驱动它,即方便又节省成本。如图3。
2. 上拉电阻R pull-up的阻值决定了逻辑电平转换的沿的速度。阻值越大,速度越低功耗越小。反之亦然。
需要补充的是,开漏和开集都可以作为驱动输出控制的开关,但是开漏电路在关闭输出的情况下会耗电,Vcc经上拉电阻过漏极到地,上拉电阻大小影响开关响应及驱动能力,如果上拉过小势必会导致在漏极导通的情况下的电力消耗。图2所示的开集输出电路,有同样的耗电问题。不过集电极驱动输出还有一种接法,可以解决耗电问题,使用PNP的三极管,发射极接电源,集电极接输出,基极加一个电阻接开关控制。当然在有些耗电不是问题的情况下开漏也是一个好的选择,很多处理器的i/o口都带有开漏功能,这样,就可以节约一个三极管。2100433B