极紫外光刻模板制造工艺中力学参数的择取和优化
《极紫外光刻模板制造工艺中力学参数的择取和优化》是依托哈尔滨工业大学，由郑亮担任项目负责人的青年科学基金项目。
极紫外光刻模板制造工艺中力学参数的择取和优化基本信息
| 中文名 | 极紫外光刻模板制造工艺中力学参数的择取和优化 | 依托单位 | 哈尔滨工业大学 |
|---|---|---|---|
| 项目类别 | 青年科学基金项目 | 项目负责人 | 郑亮 |
在摩尔定律的指引下，半导体工业大致每两年就跨上一个新的台阶。为了实现45纳米及更小节点器件的批量生产，需要新一代的光刻技术。作为下一代芯片工艺的领头羊，极紫外光刻技术被半导体业界普遍认为是现有光学光刻技术的接班人。在极紫外光刻的实现过程中，技术难度最大的环节之一是光刻模板的制造工艺。. 本项目研究的极紫外光刻模板的制造工艺是半导体业界学术研究最前沿的新课题。此研究将采用理论建模、计算仿真、实验分析相结合的技术线路，对极紫外光刻模板制造工艺中的力学参数进行选择和优化。建立光刻模板的理论方程；探索并研究出等效模拟技术和子模型技术，构建光刻模板制造工艺的三维非线性模型；并利用获得的实验数据对模型进行实验验证，修正模型重要参数。通过对其力学参数的优化，能够减少甚至完全消除光刻模板的变形，极大提高光刻工艺的最终精确度。为促进极紫外光刻的研究和发展、加速其工业实现提供有效的指导和参考价值。 2100433B
极紫外光刻模板制造工艺中力学参数的择取和优化造价信息
| 批准号 |
10702017 |
| 项目名称 |
极紫外光刻模板制造工艺中力学参数的择取和优化 |
| 项目类别 |
青年科学基金项目 |
| 申请代码 |
A0805 |
| 项目负责人 |
郑亮 |
| 负责人职称 |
副教授 |
| 依托单位 |
哈尔滨工业大学 |
| 研究期限 |
2008-01-01 至 2010-12-31 |
| 支持经费 |
21（万元） |
极紫外光刻模板制造工艺中力学参数的择取和优化常见问题
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极紫外光刻模板制造工艺中力学参数的择取和优化文献
紫外光固化饰面板制造工艺优化
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基于紫外光刻的微纳光纤布喇格光栅研究
介绍紫外光刻法制作微纳光纤布喇格光栅(MF-BG)的制作工艺,测量并分析不同直径的微纳光纤布喇格光栅的反射谱。数据表明随着微纳光纤的直径变小,光纤光栅的中心波长蓝移且反射强度也随之减小。仿真计算微纳光纤的有效折射率和光纤纤芯的束缚能力(即基模分布在纤芯的能量与基模全部能量的比值),来解释上述变化。
紫外光刻胶（UV resist）是用紫外光作曝光光源的光刻胶。
一般是指分光感度波长为sao一450nin的近紫外抗蚀剂紫外光刻胶有负性、正性和止一负性两用三类。负性的代表品种是聚乙烯醇肉桂酸醋、环化橡胶系抗蚀剂、止性代表品种是重氦茶酿系抗蚀剂，正负性抗蚀剂是为丁兼顾其既有.卜性又有负性的性能，往往会给全面照顾抗蚀剂应用上带来一些难题，尚未商品化、
2100433B
采用掩膜对准技术,对光刻胶进行曝光,使受紫外光辐照的光刻胶发生改变，从而完成刻蚀。
曝光系统最核心的部件之一是紫外光源。
常见光源分为:
可见光:g线:436nm
紫外光(UV)，i线:365nm
深紫外光(DUV),KrF 准分子激光:248 nm, ArF 准分子激光:193 nm
极紫外光(EUV)，10 ~ 15 nm
对光源系统的要求
a.有适当的波长。波长越短，可曝光的特征尺寸就越小;[波长越短，就表示光刻的刀锋越锋利，刻蚀对于精度控制要求越高，因为衍射现象会更严重。]
b.有足够的能量。能量越大，曝光时间就越短;
c.曝光能量必须均匀地分布在曝光区。[一般采用光的均匀度 或者叫 不均匀度 光的平行度等概念来衡量光是否均匀分布]
常用的紫外光光源是高压弧光灯(高压汞灯)，高压汞灯有许多尖锐的光谱线，经过滤光后使用其中的g 线(436 nm)或i 线(365 nm)。
对于波长更短的深紫外光光源，可以使用准分子激光。例如KrF 准分子激光(248 nm)、ArF 准分子激光(193 nm)和F2准分子激光(157 nm)等。
曝光系统的功能主要有:平滑衍射效应、实现均匀照明、滤光和冷光处理、实现强光照明和光强调节等。
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