加速器真空室内壁镀TiZrV/Pd复合薄膜的研究

真空蒸镀:在高真空下，通过金属细丝的蒸发和凝结，使金属薄层附著在塑胶表面。 真空蒸镀过程中金属(最常用的铝)的熔融，蒸发仅需几秒钟，整个周期一般不超过15s，镀层厚度为0.8-1.2uM.

设计真空蒸镀塑料制品应避免大的平坦表面，锐角和锐边。凹凸图案、纹理或拱形表面效果最佳。真空蒸镀很难获得光学平面样制品表面。

真空镀层附着力比水镀好很多，但价格稍微贵一些。

A9手机的面壳镀铜后镀LOU，共10μ，镀LOU层0.18μ。真空电镀相对于水电镀来讲，表面硬度较低，但污染较小。真空镀不导电

目前水电镀在重工业上应用较多(汽车等)，而真空电镀则广泛应用于家用电器、化妆品包装。

如果真空电镀的硬度能达到水电镀的等级，那么水电镀将要消失了。

目前很多手机上的金属外观件，都采用PVD真空离子镀，不仅能够提供漂亮的颜色而且耐磨性很好。不过比较贵，成本较高。

溅射镀:磁控溅射镀膜设备:

磁控溅射镀膜设备是一种多功能、高效率的镀膜设备。可根据用户要求配

置旋转磁控靶、中频孪生溅射靶、非平衡磁控溅射靶、直流脉冲叠加式偏压电源等，

组态灵活、用途广泛，主要用于金属或非金属(塑料、玻璃、陶瓷等)的工件镀铝、

铜、铬、钛金、银及不锈钢等金属膜或非金属膜及渗金属DLC膜，所镀膜层均匀、

致密、附着力强等特点，可广泛用于家用电器、钟表、工艺美术品、玩具、车灯

反光罩以及仪器仪表等表面装饰性镀膜及工模具的功能涂层。

a旋转磁控溅射镀膜机;旋转磁控溅射镀膜技术，是国内外最先进的磁控溅射镀膜技术，靶材利用率达到70~80%

以上，基体镀膜均匀，色泽一致。

b平面磁控溅射镀膜机;

c中频磁控溅射镀膜机;

d射频磁控溅射镀膜机。

可以在金属或非金属(塑料、玻璃、陶瓷)的工件镀金属铝、铜、钛金、锆、银、不锈钢及金属反应物(氧化

物、氮化物、炭化物)、半导体金属及反应物。所镀膜层均匀、致密、附著力好等特点。

一、 单室/双室/多室磁控溅射镀膜机

该镀膜机主要用於各种灯饰、家电、钟表、玩具以及美术工艺等行业，在金属或非金属(塑料、玻璃、陶瓷)等

制品镀制铝、铜、铬、钛、锆、不锈钢等系列装饰性膜层。

技术指标:

真空室尺寸:可以根据用户的要求设计成单室或双室或多室

极限压力:8×10-4Pa

恢复真空度时间:空载 从大气至 5 × 10-2Pa ≤ 3或8min(根据用户要求定)

工作真空度:10~1.0× 10-1Pa

工艺气体进入装置:质量流量控制器(可选配自动压强控制仪)

转动工件架形式:公 / 自转工件架

溅射源:矩形平面溅射源(1~4个)/柱状溅射源(1个)/混合溅射源

可以选配:基片烘烤装置;反溅射清洗

二、单室/双室/多室磁控反应溅射镀膜机

该镀膜机主要用於太阳能吸热管所需要的镀膜涂层(如Al-N/Al或Cu-C/1Cr18Ni9Ti);高级轿车后视镜镀膜

(蓝玻);装饰仿金、七彩镀膜;透明导电膜(ITO膜);保护膜。

技术指标:

真空室尺寸:可以根据用户的要求设计成单室或双室或多室

极限压力:8×10-4Pa

恢复真空度时间:空载 从大气至 5 × 10-2Pa ≤ 15min(根据用户要求定)

工作真空度:10~1.0× 10-1Pa

工艺气体进入装置:质量流量控制器(可选配自动压强控制仪)

工作气路:2路或3路

转动工件架形式:公 / 自转工件架

溅射源:矩形平面溅射源(1~4个)/柱状溅射源(1个)/混合溅射源

三、多功能镀膜机

设备基本配置:

真空室

工件转动系统

真空抽气系统

工作气体供气系统

溅射系统:平面溅射/柱状溅射/中频溅射/射频溅射系统

动系统

控制系统

冷却系统

技术指标:

真空室尺寸:φ600×800 φ850×1000 φ1000×1200 φ1100×1500 可以根据用户的要求设计成箱式

极限压力:8×10-4Pa

恢复真空度时间:空载 从大气至 5 × 10-2Pa ≤ 15min(根据用户要求定)

工作真空度:10~1.0× 10-1Pa

工艺气体进入装置:质量流量控制器(可选配自动压强控制仪)

工作气路:2路或4路

转动工件架形式:公 / 自转工件架

溅射源:矩形平面溅射源(1~4个)/柱状溅射源(1个)/中频溅射源/射频溅射源/混合溅射源

用途:本设备应用磁控溅射原理，在真空环境下，在玻璃、陶瓷等非金属;半导体;金属基体上制备各种金属膜、合

金膜、反应化合物膜、介质膜等等。

四、实验系列磁控溅射镀膜机

技术指标:

真空室:φ450×400

极限压力:5×10-5Pa

工作压力:1~1.0× 10-2Pa

真空系统主泵:涡轮分子泵

阴极靶数量:2~5个

工作气体控制:质量流量控制器，自动压强控制仪

工作气路:2路或4路

靶电源:直流磁控溅射源(10000W)，

中频电源(10000W)，

射频电源(2000W)。

工件转动:行星式公自转

工件负偏压:/

性能特点:磁控靶数量多，靶材种类变化大，各种参数变化范围大，所镀制膜层有金属、合金、化合物，可镀制单

层或多层膜。

五、中频磁控溅射镀膜机

中频磁控溅射镀膜技术是磁控技术另一新里程碑,是镀制化合物(氧化物、氮化物、碳化物)系膜的理想设备，

彻底克服了靶打弧和中毒现象,并具溅射速率快、沈积速率高等优点,适合镀制铟锡合金(ITO)、氧化铝(AL2O3)

、二氧化硅(SiO2)、氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氮化硅(Si3N4)等，配置多个靶及膜厚仪,可镀制多种多

层膜或合金膜层。

六、射频磁控溅射镀膜机

具有溅射速率高，能镀任何材料(导体、半导体和介质材料)。在低气压下等离子体放电，膜层致密，针孔少。

主要技术参数

真空室尺寸:F500´450(mm)

极限真空度:优於4´10- 4 Pa (3´10- 6Torr)

溅 射 靶: F 100mm磁控溅射源三只溅

射功率: 直流5千瓦，射频2千瓦