集成电路工艺与设备基本信息

书    名 集成电路工艺与设备 作    者 北京半导体器件二厂资料室
出版社 科学出版社 出版时间 1972-05

第一章 扩散和外延设备

第二章 真空系统

第三章 光掩模

第四章 金属化、划片和电路组装设备

第五章 电子束装置

第六章 最后金属封装和塑料封装

第七章 红外检验和掩模对准

第八章 丝网漏印电路的制造

第九章 集成电路的自动测试设备

第十章 集成电路的新型测试仪表

第十一章 失效机理的研究与分析

第十二章 微型电子器件工厂的生产设施 2100433B

集成电路工艺与设备造价信息

市场价 信息价 询价
材料名称 规格/型号 市场价
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本书系根据美国1967年出版的《Integrated Circuit Technology》一书译出。其主要特点是结合集成电路的主要工序,对所使用的各种设备作了介绍。这其中包括外延扩散、真空系统、制版、金属化、划片、焊接、最后封装、红外线分析、电子束加工、自动测试、电路失效机理分析等设备以及生产线上的各种辅助设施。

本书涉及面广,比较易懂,可供从事这方面工作的工人、技术人员参考。

集成电路工艺与设备常见问题

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集成电路工艺与设备文献

集成电路工艺原理与实践课程体系改革与探索 集成电路工艺原理与实践课程体系改革与探索

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根据现有的教学平台、微电子技术人才的培养要求,整合优势资源,构建集半导体工艺原理、器件模拟与仿真和半导体工艺实践为一体的集成电路工艺原理与实践课程体系。在不断整合、修正和完善课程体系教学内容、制定合理规范考核机制的基础上,有效地提升任课教师的理论、实践教学能力,为培养具有提出问题、分析问题和解决问题能力及创新思维的微电子技术专业人才打下坚实的基础。

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《集成电路工艺原理(芯片制造)》课程试题库 《集成电路工艺原理(芯片制造)》课程试题库

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页数: 20页

评分: 4.5

《集成电路工艺原理(芯片制造)》课程试题库

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厚膜集成电路工艺

用丝网印刷工艺将电阻、介质和导体涂料淀积在氧化铝、氧化铍陶瓷或碳化硅衬底上。淀积过程是使用一细目丝网,制作各种膜的图案。这种图案用照相方法制成,凡是不淀积涂料的地方,均用乳胶阻住网孔。氧化铝基片经过清洗后印刷导电涂料,制成内连接线、电阻终端焊接区、芯片粘附区、电容器的底电极和导体膜。制件经干燥后,在750~950℃间的温度焙烧成形,挥发掉胶合剂,烧结导体材料,随后用印刷和烧成工艺制出电阻、电容、跨接、绝缘体和色封层。有源器件用低共熔焊、再流焊、低熔点凸点倒装焊或梁式引线等工艺制作,然后装在烧好的基片上,焊上引线便制成厚膜电路。厚膜电路的膜层厚度一般为 7~40微米。用厚膜工艺制备多层布线的工艺比较方便,多层工艺相容性好,可以大大提高二次集成的组装密度。此外,等离子喷涂、火焰喷涂、印贴工艺等都是新的厚膜工艺技术。与薄膜集成电路相仿,厚膜集成电路由于厚膜晶体管尚不能实用,实际上也是采用混合工艺。

单片集成电路和薄膜与厚膜集成电路这三种工艺方式各有特点,可以互相补充。通用电路和标准电路的数量大,可采用单片集成电路。需要量少的或是非标准电路,一般选用混合工艺方式,也就是采用标准化的单片集成电路,加上有源和无源元件的混合集成电路。厚膜、薄膜集成电路在某些应用中是互相交叉的。厚膜工艺所用工艺设备比较简易,电路设计灵活,生产周期短,散热良好,所以在高压、大功率和无源元件公差要求不太苛刻的电路中使用较为广泛。另外,由于厚膜电路在工艺制造上容易实现多层布线,在超出单片集成电路能力所及的较复杂的应用方面,可将大规模集成电路芯片组装成超大规模集成电路,也可将单功能或多功能单片集成电路芯片组装成多功能的部件甚至小的整机。

薄膜集成电路工艺

整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及其间的互连线,全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜,并通过真空蒸发工艺、溅射工艺和电镀等工艺重叠构成。用这种工艺制成的集成电路称薄膜集成电路。

薄膜集成电路中的晶体管采用薄膜工艺制作, 它的材料结构有两种形式:①薄膜场效应硫化镉和硒化镉晶体管,还可采用碲、铟、砷、氧化镍等材料制作晶体管;②薄膜热电子放大器。薄膜晶体管的可靠性差,无法与硅平面工艺制作的晶体管相比,因而完全由薄膜构成的电路尚无普遍的实用价值。

实际应用的薄膜集成电路均采用混合工艺,也就是用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉或抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的互连线,再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不便用薄膜工艺制作的功率电阻、大电容值的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式组装成一块完整电路。

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