IGBT检测
IGBT检测是用途为判断极性的检测方法。
IGBT检测基本信息
| 中文名 | IGBT检测 | 用 途 | 判断极性 |
|---|---|---|---|
| 用 具 | 万用表 | 注意事项 | 任何指针式万用表皆可用于 |
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的集电极(C)，红表笔接IGBT 的
发射极(E)，此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电
极(C)，这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住
指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E)，这时
IGBT 被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。
IGBT检测造价信息
任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用
表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好
坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测
功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。
变频器、软起动器、PLC、人机界面、低压电器、电气自动化工程、恒压供水设备、音乐喷泉控制系统、变频器维修等。
首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为
无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极(G )。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
IGBT检测常见问题
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IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的英文缩写。可以翻译做绝缘栅双极晶体管。 IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于...
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IGBT单管为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。P+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P...
-
我修过这种机器，不知道你是换上去就炸还是工作一会后炸，我上次修是原来的炸了，后来换上去后我把驱动以后的全检查过才通电试机的，换了以后还没有出现过再炸，IGBT栅极有保护二极管，就是那个小板上，一般IG...
IGBT检测文献
IGBT并联技术详解
IGBT 并联技术技术详解 IGBT 并联均流问题 影响静态均流的因素 1、并联 IGBT 的直流母 线侧连接点的电阻分量，因 此需要尽量对称； 2、 IGBT 芯片的 Vce(sat) 和二极管芯片的 VF的差异，因此尽量采取同一批次的产品。 3、 IGBT 模块所处的温度差异，设计机械结构及风道时需要考虑； 4、 IGBT 模块所处的磁场差异； 5、栅极电压 Vge 的差异。 影响动态均流的因素 1、 IGBT 模块的开通门槛电压 VGEth 的差异， VGEth 越高， IGBT 开通时刻越晚， 不同模块会有差异； 2、每个并联的 IGBT 模块的直流母线杂散电感 L 的差异； 3、门极电压 Vge 的差异； 4、门极回路中的杂散电感量的差异； 5、 IGBT 模块所处温度的差异； 6、 IGBT 模块所处的磁场的差异。 IGBT 芯片温度对均流的影响 IGBT 芯片的温度对于动态均
IGBT模块的检测方法
测试方法（晶川）：万用表只能测量不全面：若 IGBT损坏一般可以测 出；但是若 IGBT是好的，它无法肯定是好的。 IGBT损坏：GE,EG,CE,GC,CG任意一组出现二极管档有读数，即损坏。 （GE表示G接正表笔， E接负表笔；其他雷同） IGBT 的 EC 之间接有二极管，所以为导通态，电压为 0.34V左右。 若想完整测试 IGBT需要用晶体管图示仪。 IGBT损坏：GE,EG,CE,GC,CG任意一组出现电阻档有读数， 即损坏。（GE 表示G接正表笔， E接负表笔；其他雷同） 新 IGBT 红表笔 -黑表笔 电阻档 二极管档 1-2 无穷大 断路 2-1 无穷大 断路 4-3 无穷大 断路 3-4 无穷大 断路 8-10 无穷大 断路 10-8 0.447MΩ 0.324 9-8 无穷大 断路 8-9 0.448MΩ 0.324 5-4 无穷大 断路 4-5 无穷
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的集电极(C)，红表笔接IGBT 的
发射极(E)，此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电
极(C)，这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住
指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E)，这时
IGBT 被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。
任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用
表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好
坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测
功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。
变频器、软起动器、PLC、人机界面、低压电器、电气自动化工程、恒压供水设备、音乐喷泉控制系统、变频器维修等。
首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为
无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极(G )。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
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