高压液封直拉法制备砷化镓单晶

高压液封直拉法制备砷化镓单晶
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高压液封直拉法工艺特点
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高压液封直拉法制备砷化镓单晶常见问题
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高压液封直拉法制备砷化镓单晶

高压液封直拉法是用高压单晶炉拉制GaAs单晶，拉晶时炉内惰性气体压力为3-6兆帕，B₂O₃覆盖层的厚度为10-20毫米。由于其合成温度低，时间短，则可有效地控制硅及其他杂质的污染，使半绝缘GaAs堆晶的迁移率大幅度提高。而且，这一方法还可制取较大直径的圆形<100>晶片。工艺中控制砷/镓比是获得半绝缘不掺杂质单晶的关键。

高压液封直拉法，可提高单晶纯度，扩大<100>单晶圆片直径，简化生产工艺，降低成本。比水平法和常压直拉法的单晶，更能符合微波场效应器件和超高速大容量集成电路的需要。

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材料名称	规格/需求量	报价数	最新报价（元）	供应商	报价地区	最新报价时间
样本制备间台	样本制备间台\|1m	1	查看价格	苏州中恒物流科技有限公司	广东	2021-11-05
单晶光伏组件	540W单晶光伏组件\|372块	1	查看价格	广东昇阳太阳能科技有限公司	全国	2022-03-08
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450w单晶组件	450w单晶组件\|445000瓦	1	查看价格	深圳市福能电力科技有限公司	全国	2021-11-16
絮凝剂制备装置	制备能力≥3kg/h,制备浓度0.5%,P=2kw\|1.0套	2	查看价格	北京沃洋洲环保装备有限公司		2017-08-14
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高压液封直拉法工艺特点

目前用于制备磷化镓的高压单晶炉可充100-200大气压的惰性气体。这种工艺的拉晶技术大体上和液封直拉法相同，只是因为炉内惰性气体压力很大，因此引起强烈的对流，从而给单晶生长带来更多的困难。但它目前仍然是从熔体中生长大直径磷化物单晶的最好方法之一。

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高压液封直拉法简介

由于Ⅲ一V族化合物半导体中的磷化铟、磷化镓等在熔点时具有很高的离解压，因此从熔体中生长单晶的工艺变得十分困难。自从出现液封直拉法后，又进一步改进炉子的机械结构强度，解决了由于炉内充高压惰性气氛带来的高压气体密封问题。采用氧化硼为密封剂，进行磷化镓等直拉单晶生长，这种技术称为高压液封直拉法。

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高压液封直拉法制备砷化镓单晶常见问题

液封槽

化工生产中，把管子弯下来放进一个液体槽中，以达到密封关内气体、防止漏气的作用，所用到的承装液体的槽就叫液封槽。
砷化镓光电池价格是多少?

1.剑沙数码专营店松下CR2032砷化镓光电池价格12.5元 2.盈洲数码专营店砷化镓光电池 &nb...
请问衬底对砷化镓电池的影响是什么？

太阳能光伏发电在全球取得长足发展。常用光伏电池一般为多晶硅和单晶硅电池，然而由于原材料多晶硅的供应能力有限，加上国际炒家的炒作，导致国际市场上多晶硅价格一路攀升，最近一年来，由于受经济危机影响，价格有...

高压液封直拉法制备砷化镓单晶文献

沟槽衬底砷化镓-铝镓砷双异质结条形激光器

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评分： 4.7

半导体激光器是光纤通信系统最有希望的光源.但是由于横模不稳定引起的L-I(光功率—电源)特性的扭曲,严重地影响了它的应用范围.因此,努力改进其性能,特别是控制其横模得到了广泛的重视.本文所报导的沟槽衬底条形激光器工艺简单,而且在沿结平面方向因第一外延层n-Al_(0.3)Ga_(0.7) As厚度变化引起了有效折射率的变化,产生了一定的波导作用,从而稳定了横模.同时这种激光器的作用区是圆弧形的,有利于跟光纤的耦合.沟槽衬底条形激光器的横向电流限制是用沟槽区外的p-n-p-n结构实现的.它的制造工艺主要是采用普通的化学腐蚀和液相外延.首先在(100)取向的n-GaAs衬底上扩散Zn形成一层厚约 2微米的P-GaAs,

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用脉冲喷射电沉积法制备纳米晶镍镀层

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用脉冲喷射电沉积法制备纳米晶镍镀层作者：江山，潘勇，唐甜，周益春， JIANG Shan， PAN Yong， TANG Tian， ZHOU Yi-chun 作者单位：江山,JIANG Shan(河南工业大学理学院,河南,郑州,450007;湘潭大学先进材料及其流变特性教育部重点试验室,湖南,湘潭,411105) ，潘勇,唐甜,周益春,PAN Yong,TANG Tian,ZHOU Yi-chun(湘潭大学先进材料及其流变特性教育部重点试验室,湖南,湘潭,411105;湘潭大学材料与光电物理学院,湖南,湘潭,411105) 刊名：材料保护英文刊名： MATERIALS PROTECTION 年，卷(期)： 2007,40(3) 被引用次数： 5次参考文献(15条) 1.卢柯;周飞纳米晶体材料的研究现状 1997(01) 2.徐承坤;杨中东电沉积制备纳

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