批准号 |
69876027 |
项目名称 |
高稳定性高温压力传感器的研究 |
项目类别 |
面上项目 |
申请代码 |
F0404 |
项目负责人 |
姚素英 |
负责人职称 |
教授 |
依托单位 |
天津大学 |
研究期限 |
1999-01-01 至 2001-12-31 |
支持经费 |
13.5(万元) |
本项目采用硅熔键合和终止腐蚀相结合的方法研制半导体高温压力传感器。利用单晶硅的可靠性,高应变灵敏度和可重复的电学,机械特性,用单晶硅做应变电阻,介质膜隔离代替PN结隔离,提高传感器灵敏度,可靠性和工作温度。用有限元法模拟计算应变膜的应力分布规律,进行优化设计及软硬件补偿。该传感器工艺简单,适于高温小型化,集成化。 2100433B
批准号 |
60274062 |
项目名称 |
全LGS封装的声表面波高温压力传感器研究 |
项目类别 |
面上项目 |
申请代码 |
F0306 |
项目负责人 |
施文康 |
负责人职称 |
教授 |
依托单位 |
上海交通大学 |
研究期限 |
2003-01-01 至 2003-12-31 |
支持经费 |
5(万元) |
1、测量的是何种压力。
2、所测量的介质。在选择高温熔体压力传感器时需要考虑的关键因素是所测量的介质。
3、需要达到什么样的精度。
4、此高温压力传感器的耐温性、互换性、时间稳定性和坚固程度。
5、此高温压力传感器使用何种输出,需要的激励电压,以及怎样将传感器连接到自己的电气系统中 。
高温压力传感器是工业实践中最为常用的一种压力变送器,其广泛应用于各种工业自控环境,涉及石油管道、水利水电、铁路交通、智能建筑、生产自控、航空航天、军工、石化、油井、电力、船舶、机床、管道送风、锅炉,熔炉等众多行业。
高温压力传感器是为了解决在高温环境下对各种气体、液体的压力进行测量。主要用于测量锅炉、管道、高温反应容器内的压力、井下压力和各种发动机腔体内的压力、高温油品液位与检测、油井测压等领域。目前,研究比较多的高温压力传感器主要有SOS,SOI,SiO2,Poly2Si等半导体传感器,还有溅射合金薄膜高温压力传感器、高温光纤压力传感器和高温电容式压力传感器等。半导体电容式压力传感器相比压阻式压力传感器其灵敏度高、温度稳定性好、功耗小,且只对压力敏感,对应力不敏感,因此,电容式压力传感器在许多领域得到广泛应用。
高温压力传感器由硅膜片、衬底、下电极和绝缘层构成。其中下电极位于厚支撑的衬底上。电极上蒸镀一层绝缘层。硅膜片则是利用各向异性腐蚀技术,在一片硅片上从正反面腐蚀形成的。上下电极的间隙由硅片的腐蚀深度决定。硅膜片和衬底利用键合技术键合在一起,形成具有一定稳定性的硅膜片电容压力传感器。