《硅片局部平整度非接触式标准测试方法(GB/T 19922-2005)》由全国有色金属标准化技术委员会归口。本标准起草单位:洛阳单晶硅有限责任公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所。本标准试验验证单位:北京有色金属研究总院。本标准主要起草人:史舸、蒋建国、陈兴邦、贺东江、王文、邓德翼。本标准由全国有色金属标准化技术委员会负责解释。本标准为首次发布。2100433B
一般要求接触电阻在10-20 mohm以下。 有的开关则要求在100-500uohm以下。有些电路对接触电阻的变化很敏感
测试接点电阻的目的是确定接触点氧化或其它表面薄膜积累是否增加了被测器件的电阻。即使在极短的时间内器件两端的电压过高,也会破坏这种氧化层或薄膜,从而破坏测试的有效性。击穿薄膜所需要的电压电平通常在30m...
挺多的,以前国外产品用的多,近几年国内品牌也起来了,现在用的是NDT120
路面平整度的激光非接触式测量方法——本文提出了一种使用激光测量路面平整度的方法,测量精度可达0.2mm,测量范围为± 170 mm ,设计速度为144 km/h。在实验室条件下对此测量方法的线性作了试验。
针对铝电解槽电磁场的基本原理,提出一种阳极电流非接触式测试方法即多传感器测试方法。该方法是在每个阳极导杆附近,布置多个测试磁场的传感器,通过调节传感器的组合方式,得到测试点准确的磁场,进而反推得到各阳极导杆的电流分布。建立了铝电解槽的骨架模型,对多传感器测试方法进行验证并优化。结果表明:采用3个传感器的布置方案,阳极电流的测试误差减小,误差分布范围为0.35%~0.90%;在传感器1、2的间距为13 mm,传感器1、4的间距为5 mm的特定布置方案中,阳极电流的测试误差达到最小值,平均误差不超过?0.3%;并且该方法具有安装简单、操作方便、精度高以及可实现在线连续测量等特点。
测量硅片表面几何参数,以及电阻率型号等厚度可测中心点,可测全表面2000余点,出最大最小值平整度测量两种测量方式,局部平整度测量4种方式,电阻率测量范围为中心至边缘(尺寸不同,距离边缘距离有差别)。 2100433B
厚度范围400-990μm精确度≤±0.5μmRES低阻测量范围是0.001~0.999Ω·cm;高阻测量范围是0.2~199.9Ω·cm精确度≤±2%平整度精确度≤±0.15μm型号准确无误。
2015年12月10日,《碳化硅单晶片平整度测试方法》发布。
2017年1月1日,《碳化硅单晶片平整度测试方法》实施。