设备主要用于金属薄膜或绝缘薄膜的刻蚀,以图形化出需要的图形。 该设备使用等离子体状态下气体的化学活性要比在常态下强很多倍的特点,根据刻蚀材料的不同,选择不同的气体,就能很快与被刻蚀材料进行反应,从而实现刻蚀的目的。
本设备能精确控制刻蚀速率、适用于对均匀性要求高的刻蚀和不易湿法刻蚀的薄膜: 1. 选择比(刻蚀速率比): SiOx/Mo5,SiOx/Al20,SiOx/ITO>20,SiOx/SiNx>1,SiNx/SiOx>5,a-Si/光刻胶1, SiOx/光刻胶1, SiNx/光刻胶1; 2. ★ 刻蚀速率:SiO2 >80 nm/min,SiNx>150 nm/min,a-Si>150 nm/min,p-Si>100 nm/min,ITO>30 nm/min,光刻胶灰化速率>300 nm/min; 3。
DEH系统主要功能: 汽轮机转速控制;自动同期控制;负荷控制;参与一次调频;机、炉协调控制;快速减负荷;主汽压控制;单阀控制、多阀解耦控制;阀门试验;轮机程控启动;OPC控制;甩负荷及失磁工况控制;...
一、 LED 的结构及发光原理50 年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识,第一个商用二极管产生于 1960 年。 LED 是英文 light emitting diode (发光二极管)的缩...
⒈保水.保水剂不溶于水,但能吸收相当自身重量成百倍的水.保水剂可有效抑制水分蒸发.土壤中渗入保水剂后,在很大程度上抑制了水分蒸发,提高了土壤饱和含水量,降低了土壤的饱和导水率,从而减缓了土壤释放水的速...
道闸 主要功能: 功能一,手动按钮可作 ‘升’‘降’及‘停’操作、无线遥控可作 ‘升’‘降’‘停’及对手动按钮的 ‘加锁’‘解锁 ’操作 ; 功能二,停电自动解锁,停电后可手动抬杆 ; 功能三,具有便于维护与调试的 ‘自检模式 ’; 道闸 道闸又称挡车器,最初从国外引进,英文名叫 Barrier Gate ,是专门用于道路上限 制机动车行驶的通道出入口管理设备 ,现广泛应用于公路收费站、 停车场系统 管理车 辆通道,用于管理车辆的出入。电动道闸可单独通过无线遥控实现起落杆,也可以通过 停车场管理系统 (即 IC 刷卡管理系统)实行自动管理状态,入场取卡放行车辆,出场 时,收取 停车费 后自动放行车辆。
干法刻蚀工艺总结 离子束刻蚀机( IBE-150A) 背景 : 利用辉光放电原理将氩气分解为氩离子, 氩离子经过阳极电场的加速对样品表面 进行物理轰击, 以达到刻蚀的作用。 把 Ar、Kr 或 Xe之类惰性气体充入离子源放 电室并使其电离形成等离子体, 然后由栅极将离子呈束状引出并加速, 具有一定 能量的离子束进入工作室, 射向固体表面撞击固体表面原子, 使材料原子发生溅 射,达到刻蚀目的,属纯物理过程。 技术指标: 装片:一片六英寸衬底、或 1片四英寸,向下兼容。 抽气速度: 30min由 ATM 到 1.0×10-3Pa 极限真空度: 2×10-4Pa 离子能量: 300eV-400eV ICP 刻蚀机( OXFORD ICP 180) 背景 : 通入反应气体使用电感耦合等离子体辉光放电将其分解, 产生的具有强化学活性 的等离子体在电场的加速作用下移动到样品表面, 对样品表面既进行化学
主要工艺参数指标:2英寸GaAs,InP, Al2O3刻蚀均一性小于±3%,批次间重复性好于±3%;GaAs刻蚀速率大于1000nm/min, InP刻蚀速率大于1000nm/min, Al2O3刻蚀速率大于50nm/min。系统配置终点监测系统670nm激光干涉仪,可用于实时测量刻蚀深度。
主要功能:等离子刻蚀是利用高频辉光放电效应,使反应气体激活成活性粒子,如原子或游离基,这些活性粒子扩散到需刻蚀部位,与被刻蚀材料进行反应,形成挥发性反应物而被去除。其优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌。
等离子刻蚀机湿法刻蚀相对于等离子刻蚀的缺点
1. 硅片水平运行,机片高(等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干,硅片受冲击小);
2. 下料吸笔易污染硅片(等离子刻蚀去PSG后甩干);
3. 传动滚抽易变形(PVDF,PP材质且水平放置易变形);
4. 成本高(化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加)。
此外,有些等离子刻蚀机,如SCE等离子刻蚀机还具备"绿色"优势:无氟氯化碳和污水、操作和环境安全、排除有毒和腐蚀性的液体。SCE等离子刻蚀机支持以下四种平面等离子体处理模式:
直接模式--基片可以直接放置在电极托架或是底座托架上,以获得最大的平面刻蚀效果。
定向模式--需要非等向性刻蚀(anisotropic etching)的基片可以放置在特制的平面托架上。
下游模式--基片可以放置在不带电托架上,以便取得微小的等离子体效果。
定制模式--当平面刻蚀配置不过理想时,特制的电极配置可以提供。