干刻蚀机技术指标

干法刻蚀工艺总结 离子束刻蚀机（ IBE-150A） 背景 : 利用辉光放电原理将氩气分解为氩离子， 氩离子经过阳极电场的加速对样品表面 进行物理轰击， 以达到刻蚀的作用。 把 Ar、Kr 或 Xe之类惰性气体充入离子源放 电室并使其电离形成等离子体， 然后由栅极将离子呈束状引出并加速， 具有一定 能量的离子束进入工作室， 射向固体表面撞击固体表面原子， 使材料原子发生溅 射，达到刻蚀目的，属纯物理过程。 技术指标： 装片：一片六英寸衬底、或 1片四英寸，向下兼容。 抽气速度： 30min由 ATM 到 1.0×10-3Pa 极限真空度： 2×10-4Pa 离子能量： 300eV-400eV ICP 刻蚀机（ OXFORD ICP 180） 背景 : 通入反应气体使用电感耦合等离子体辉光放电将其分解， 产生的具有强化学活性 的等离子体在电场的加速作用下移动到样品表面， 对样品表面既进行化学

第二章干法刻蚀的介绍 2. 1刻蚀、干法刻蚀和湿法腐蚀 2. 1 .1关于刻蚀 刻蚀，是指用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。 刻蚀的基 本目的，是在涂胶 (或有掩膜 )的硅片上正确的复制出掩膜图形 [1]。 刻蚀，通常是在光刻工艺之后进行。 我们通常通过刻蚀， 在光刻工艺之后，将想要的图 形留在硅片上。从这一角度而言，刻蚀可以被称之为最终的和最主要的图形转移工艺步骤。 在通常的刻蚀过程中，有图形的光刻胶层〔或掩膜层 )将不受到腐蚀源显著的侵蚀或刻蚀， 可作为掩蔽膜， 保护硅片上的部分特殊区域， 而未被光刻胶保护的区域， 则被选择性的刻蚀 掉。 2.1.2 干法刻蚀与湿法刻蚀 在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法腐蚀。 干法刻蚀， 是利用气态中产生的等离子体， 通过经光刻而开出的掩蔽层窗口， 与暴露于 等离子体中的硅片行物理和化学反应，刻蚀掉硅片上暴露的