硅化铬性质与稳定性

遵照规格使用和储存则不会分解。

硅化铬薄膜电阻率高，电阻温度系数小。灰色立方晶体，六方晶系，a=04422nm，c=06351nm，熔点接近于1550℃，晶体内的键连形式类似于Cr3Si，有金属光泽，不溶于盐酸、王水。

硅化铬薄膜电阻率高，电阻温度系数小。

通常对水是不危害的，若无政府许可，勿将材料排入周围环境。

1、 疏水参数计算参考值（XlogP）：无可用

2、 氢键供体数量：0

3、 氢键受体数量：2

4、 可旋转化学键数量：0

5、 拓扑分子极性表面积（TPSA）：0

6、 重原子数量：3

7、 表面电荷：0

8、 复杂度：8

9、 同位素原子数量：0

10、 确定原子立构中心数量：0

11、 不确定原子立构中心数量：0

12、 确定化学键立构中心数量：0

13、 不确定化学键立构中心数量：0

14、 共价键单元数量：2

1、摩尔折射率：无可用

2、 摩尔体积（m3/mol）： 无可用

3、 等张比容（90.2K）：无可用

4、 表面张力（dyne/cm）：无可用

CAS号：12018-09-6

MDL号：MFCD00168070

EINECS号：235-726-9

用作陶瓷材料、高电阻薄膜材料。

1.硅粉与铬粉混合后，于900～1100℃的氢气中焙烧，冷却后即可。或者将铬粉和硅粉的混合物与二氧化硅粉和硅粉的混合物混合均匀，于氢气流中焙烧，SiO2及Si粉形成的挥发性SiO同原料中的Na、K逸出，得到CrSi2。

2.铬与硅粉在真空中或在氢气保护下共熔或烧结可得到Cr3Si（立方晶体）熔点约1710℃，Cr5Si3(四方晶体，熔点约1600℃),CrSi（立方晶体，熔点约1600℃），CrSi2及Cr3Si2。

3.48.1份粒度为１100μｍ的铬粉与51.9份粒度为50μｍ的硅粉混合，另外将3份粒度为10μｍ的ＳｉＯ２粉与1.5份硅粉混合。两种混合物再混匀。1100℃氢气流中焙烧1h，再在1430℃烧10min，ＳｉＯ２及Ｓｉ粉形成的挥发性ＳｉＯ同原料中的Ｎａ、Ｋ一起逸出，得到ＣｒＳｉ２烧结体，粉细，含Ｎａ仅

0.5×10-6，Ｋ0.1×10-6。

密封于阴凉干燥处。

1. 性状：灰色立方晶体，六方晶系。

2. 密度（g/mL,25/4℃）：5.5

3. 相对蒸汽密度（g/mL,空气=1）：无可用

4. 熔点（ºC）：1475

5. 沸点（ºC,常压）：无可用

6. 沸点（ºC,5.2kPa）： 无可用

7. 折射率： 无可用

8. 闪点（ºC）： 无可用

9. 比旋光度（º）：无可用

10. 自燃点或引燃温度（ºC）：无可用

11. 蒸气压（kPa,25ºC）：无可用

12. 饱和蒸气压（kPa,60ºC）：无可用

13. 燃烧热（KJ/mol）：无可用

14. 临界温度（ºC）：无可用

15. 临界压力（KPa）：无可用

16. 油水（辛醇/水）分配系数的对数值：无可用

17. 爆炸上限（%,V/V）：无可用

18. 爆炸下限（%,V/V）： 无可用

19. 溶解性：不溶于水，溶于盐酸、氢氟酸。

中文名称:硅化铬

英文名称:Chromium silicide

别名:皮萨草

更多名称:Pisa grass

CAS号:12018-09-6

分子式:H2CrSi2

分子量:110.183