硅化锆分子结构
中文名称:硅化锆
英文名称:zirconium disilicide
别名:皮萨草
更多名称:Pisa grass
CAS号:12039-90-6
分子式:H12Si2Zr
分子量:159.4903
1. 性状:灰色正方结晶粉末
2. 密度(g/mL,25℃):4.88
3. 相对蒸汽密度(g/mL,空气=1):未确定
4. 熔点(ºC):1620
5. 沸点(ºC,常压):未确定
6. 沸点(ºC,1mmHg):未确定
7. 折射率:未确定
8. 闪点(ºC):未确定
9. 比旋光度(º):未确定
10. 自燃点或引燃温度(ºC):未确定
11. 蒸气压(20ºC):未确定
12. 饱和蒸气压(kPa,60ºC):未确定
13. 燃烧热(KJ/mol):未确定
14. 临界温度(ºC):未确定
15. 临界压力(KPa):未确定
16. 油水(辛醇/水)分配系数的对数值:未确定
17. 爆炸上限(%,V/V):未确定
18. 爆炸下限(%,V/V):未确定
19. 溶解性:未确定
20. 晶格常数:a=0.372nm,b=1.476nm,c=0.367nm。
21. 显微硬度(kg/mm2):1063
22. 生成热(kJ/mol):62.8
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常温密闭,阴凉通风干燥
1.以金属锆和硅粉为原料。将金属锆粉碎,再与硅粉充分混合,将混合料放入石墨炉内,加热至900~1000℃进行预反应,然后通入氢气,再升温至1200℃左右进行反应,制得硅化锆。
2.采用直接法。以金属锆和硅粉为原料制备硅化锆,反应式如下。
首先将金属锆粉碎,再与硅粉充分混合,将混合料放入石墨炉内,加热至900~1000℃进行预反应,然后通入氢气,再升温至1200℃左右进行均化反应,即制得硅化锆。
用作精细陶瓷原料粉,用于生产半导体薄膜生产用坩埚。
CAS号:12039-90-6
MDL号:MFCD00151547
EINECS号:234-911-1
PubChem号:24864812
1、 氢键供体数量:0
2、 氢键受体数量:0
3、 可旋转化学键数量:0
4、 拓扑分子极性表面积(TPSA):0
5、 重原子数量:3
6、 表面电荷:0
7、 复杂度:18.3
8、 同位素原子数量:0
9、 确定原子立构中心数量: 0
10、 不确定原子立构中心数量:0
11、 确定化学键立构中心数量:0
12、 不确定化学键立构中心数量:0
13、 共价键单元数量:1
通常对水是不危害的,若无政府许可,勿将材料排入周围环境
常温常压下稳定
避免的物料 氧化物
采用复合包渗法在C103铌合金基体上制备硅化物涂层,利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和能谱分析(EDS)等检测手段对涂层的组织结构进行观察和分析,重点采用TEM分析涂层与基体界面区的微观结构。结果表明:涂层是以MoSi2为主体层的多相复合结构;涂层与基体界面处存在NbSi2过渡层;由外向内,过渡层形貌发生明显改变,逐渐由细小等轴晶组织过渡为规整柱状晶组织。
施工技术交底记录 单位工程名称: 年 月 日 交底项目 硅化加固地基施工 交底人 施工班组 内容摘要: 1、配合比情况; 2、冬、雨季施工注意要点; 3、工艺标准及质量 要求; 4、保证质量具体措施; 5、容易忽略的其他问题。 一、施工操作工艺 1.硅化加固地基常用流程有三种: 单液注浆工艺流程: 机具设备安装→定位打管 (钻)→封孔→配置浆液、 注浆→拔管→管 子冲洗、填孔→辅助工作。 双液注浆工艺流程: 机具设备安装→定位打管 (钻)→封孔→配甲液、 注浆→冲管→配乙 液、注浆→拔管→管子冲洗、填孔→辅助工作。 加气硅化注浆工艺流程: 机具设备安装→定位打管 (钻)→封孔→加气→配置浆液、 注浆 →加气→拔管→管子冲洗、填孔→辅助工作。 2.机具设备安装程序为: 但是先将钻机或三角架安放与预定孔位, 调好高度和角度 然后将注水泵和管道 (包括浆管吸砂管、回浆管 )连接好;再安装压力表,