光电池是能在光的照射下产生电动势的元件。用于光电转换、光电探测及光能利用等方面。人们最早发现和应用的是硒光电池。它的原理是硒在光作用下产生电子被电极收集而产生电动势。后来又发现和应用了各种半导体材料的光电池,如硅光电池、硫化银电池等。它的原理是半导体的p-n结在光的作用下产生新的电子-空穴对,电子和空穴在p-n结电场的作用下移动到结的两边形成附加电势差。
光电池是一种特殊的半导体二极管,能将可见光转化为直流电。有的光电池还可以将红外光和紫外光转化为直流电。光电池是太阳能电力系统内部的一个组成部分,太阳能电力系统在替代电力能源方面正有着越来越重要的地位。最早的光电池是用掺杂的氧化硅来制作的,掺杂的目的是为了影响电子或空穴的行为。其它的材料,例如CIS,CdTe和GaAs,也已经被开发用来作为光电池的材料。有二种基本类型的半导体材料,分别叫做正电型(或P型态)和负电型(或N型态)。在一个PV电池中,这些材料的薄片被一起放置,而且他们之间的实际交界叫做P-N结。通过这种结构方式,P-N结暴露于可见光,红外光或紫外线下,当射线照射到P-N结的时候,在P-N结的两侧产生电压,这样连接到P型材料和N型材料上的电极之间就会有电流通过。 一套PV电池能被一起连接形成太阳的模组,行列或面板。用来产生可用电能的PV电池就是光电伏特计。光电伏特计的主要优点之一是没有污染,只需要装置和阳光就可工作。另外的一个优点是太阳能是无限的。一旦光电伏特计系统被安装,它能提供在数年内提供能量而不需要花费,并且只需要最小的维护。
光伏发电设备极为精 炼,可靠稳定寿命长、安装维护简便。单晶硅电池具有电池转换效率高,稳定性好,但是成本较高;非晶硅太阳电池则具有生产效率高,成本低廉,但是转换效率较低,而且效率衰减得比较厉害;铸造多晶硅太阳能电池则具有稳定得转换的效率,而且性能价格比最高;薄膜晶体硅太阳能电池则还只能处在研发阶段。
光电池是一种在光的照射下产生电动势的半导体元件。它是是能在光的照射下产生电动势的元件。用于光电转换、光电探测及光能利用等方面。
高能新光电池挺不错的,以产生电流的杯、槽或其他容器或复合容器的部分空间,能将化学能转化成电能的装置。具有正极、负极之分。随着科技的进步,电池泛指能产生电能的小型装置。如太阳能电池。电池的性能参数主要有...
二、实验步骤: 1.裁好所需尺寸大小的铜片两片,并以肥皂清洗,去除表面油污。 2.将铜片乾燥后,以酒精灯加热铜片,直到铜片表面全部变黑。: 3.将加热好的铜片(氧化铜)静置冷却。 &nbs...
光伏发电产品主要用于三大方面:一是为无电场合提供电源,主要为广大无电地区居民生活生产提供电力,还有微波中 继电源、通讯电源等,另外,还包括一些移动电源和备用电源;二是太阳能日用电子产品,如各类太阳能充电器、太阳能路灯和太阳能草坪灯等;三是并网发电,这 在发达国家已经大面积推广实施。我国并网发电还未起步,不过,2008年北京奥运会部分用电将会由太阳能发电和风力发电提供。
光电池案例
太阳能电池将太阳光能直接转化为电能。不论是独立使用还是并 网发电,光伏发电系统主要 由太阳能电池板(组件)、控制器和逆变器三大部分组成,它们主要由电子元器件构成,不涉及机械部件。理论上讲,光伏发电技术可以用于任何需要电源的场合,上至航天器,下至家用电源,大到兆瓦级电站,小到玩具,光伏电源无处不在。以晶体硅材料制备的太阳能电池主要包括:单晶硅、多晶硅、非晶硅和薄膜电池等。铸造多晶硅太阳能电池已经取代直拉单晶硅成为最主要的光伏材料。但是铸造多晶硅太阳能电池的转换效率略低于直拉单晶硅太阳能电池,材料中的各种缺陷,如晶界、位错、微缺陷,和材料中的杂质碳和氧,以及工艺过程中玷污的过渡族金属被认为是电池转换效率较低的关键原因,因此关于铸造多晶硅中缺陷和杂质规律的研究,以及工艺中采用合适的吸杂,钝化工艺是进一步提高铸造多晶硅电池的关键。量产的单晶硅电池转换效率在17%左右,多晶硅电池转换效率在16%左右。而薄膜电池量产的转换效率为10%左右。
除了常用的单晶、多晶、非晶硅电池之外,多元化合物太阳电池指不是用单一元素半导体材料制成的太阳电池。各国研究的品种繁多,大多数尚未工业化生产,主要有以下几种: a)硫化镉太阳能电池 b)砷化镓太阳能电池 c) 铜铟硒太阳能电池(新型多元带隙梯度Cu(In, Ga)Se2薄膜太阳能电池)
65AH 恒电流放电参数表( 20℃ 安培) 编号 型号 电 压 5min 10mi n 15mi n 20mi n 30mi n 45mi n 1h 2h 3h 4h 5h 8h 10 h NGA4120065HS0B A A412/65G6 1.85 102.0 77.0 63.0 56.0 48.0 42.0 36.0 22.0 15.9 12.9 10.9 7.3 6.2 NGA4120065HS0B A A412/65G6 1.80 120.0 95.0 76.0 64.0 52.0 45.0 39.0 23.0 16.7 13.4 11.3 7.6 6.5 NGA4120065HS0B A A412/65G6 1.75 134.0 107.0 84.0 70.0 56.0 48.0 41.0 24.0 17.1 13.6 11
65AH 恒电流放电参数表( 20℃ 安培) 编号 型号 电 压 5min 10mi n 15mi n 20mi n 30mi n 45mi n 1h 2h 3h 4h 5h 8h 10 h NGA4120065HS0B A A412/65G6 1.85 102.0 77.0 63.0 56.0 48.0 42.0 36.0 22.0 15.9 12.9 10.9 7.3 6.2 NGA4120065HS0B A A412/65G6 1.80 120.0 95.0 76.0 64.0 52.0 45.0 39.0 23.0 16.7 13.4 11.3 7.6 6.5 NGA4120065HS0B A A412/65G6 1.75 134.0 107.0 84.0 70.0 56.0 48.0 41.0 24.0 17.1 13.6 11
YUY-PVT002B硅光电池光伏特性综合实验仪
一、产品概述
本系统是一个太阳能光伏发电系统,通过它可以学习并掌握硅光电池的工作原理,掌握硅光电池的基本特性、掌握硅光电池基本特性测试方法,了解硅光电池的基本应用,为控制器和逆变器工作原理提供一个实用的教学、试验、演示平台。
二、设备功能用途:研究太阳能电池的基本特性:太阳能电池的开路电压和闭路电流,电流密度、太阳能电池的输出伏安特性,功率因子测定预分析等。太阳能电池的温度特性研究及PN结V/I特性。研究太阳能电池量子效率,光谱透过率以及与入射光强度、入射角度的关系等。三、技术要求:供电电源:220V±10%,频率:50Hz模拟光源:220V/350W高压氙灯光谱范围:360-1100nm;太阳能电池功率:15W;电流测量范围: DC20mA、DC200mA、DC2A、DC20A四档0—20A;电流测量准确度:0.2%。短路电流密度重复性:<1%;电压测量范围:DC200mV、DC2V、DC20V、DC50V四档电压测量准确度:0.2% ;测试负载电阻:0—99.9KΩ测试结果重复性<±0.5%测试样品尺寸: ≥156x156mm(可定制更大尺寸)照度计:量程1-2000Lx、2000-20000Lx和20000-50000Lx三档手动切换环境检测单元:可对环境温度、湿度实时液晶屏显示,并显示实时时钟和可设置闹钟。100W逆变器;可对交流220V不同负载进行试验;蓄电池:标称电压:12V;标称容量:7.2Ah控制器:12V/24V自动切换,10A。设有电池板检测指示灯,蓄电池容量指示灯,负载指示灯,可对各个部件进行实时检测。工作模式:连续模式四、设备主要配置:单晶硅、多晶硅、非晶硅、微晶硅各2块有机太阳电池、聚合物太阳电池各2块测试负载电阻模块1套测试光谱部件1套其他标配。五、售后服务和培训:提供一年免费保修免费培训、实验指导书
介绍
“硒光电池”是一种直接把光能转换成电能的半导体器件。因其表面覆盖有半透明的金属电极,又称为金属-半导体光电池。
对光的波长响应范围约是380nm~750nm。
大多采用液相外延法或MOCVD技术制备。用GaAs作衬底的光电池效率高达29.5%(一般在19.5%左右),产品耐高温和辐射,但生产成本高,产量受限,主要作空间电源用。以硅片作衬底,用MOCVD技术异质外延方法制造GaAs电池是降低成本很有希望的方法。
GaAs(砷化镓)光电池大多采用液相外延法或MOCVD技术制备。用GaAs作衬底的光电池效率高达29.5%(一般在19.5%左右),产品耐高温和辐射,但生产成本高,产量受限,目前主要作空间电源用。以硅片作衬底,用MOCVD技术异质外延方法制造GaAs电池是降低成本很有希望的方法。